Нелинейный полунроводниковый конденсатор

 

ОПИСАН" Й" Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

3I03I2

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”

С

МПК Н Olg 3/26

Заявлено 21.V.1962 (№ 716303/26-9) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Опубликовано 26.Ч11.1971. Бюллетень № 23

Дата опубликования описания 17.XI.1971.

Комитет по делам иаобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.319.4(088.8) Автор изобретения

Р. С. Нахмансон

Заявитель

НЕЛИНЕЙНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КОНДЕНСАТОР

П р е д м е т и з о б ip е т е.н и я

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано для конструирования нелинейных реактивностей.

Известны нелинейные полупроводниковые конденсаторы, вьвполненные в виде системы слоев полупроводник-диэлекприк-металл.

Однако известные усцройства не позволяют лолучать требуемое значение перекрытия и крутизны.

С целью повышения значений аервкрытия и крутизны в предлагаемом конденсаторе в системе слоев лолупроводник-диэлектрик-металл слой диэлекврика выполнен из двуокиси ч..итана.

На чертеже приведено предлагаемое устройство.

На полупроводниковую пластину 1, выполненную, например, из кремния, наносится слой

2 диэлектрика из двуокиси титана, а поверх него наносится слой металла, в результате чего образуется нелинейный конденсатор, Емкость нелинейного конденсатора зависит от величины приложенного напряжения, так как на1пряжение, приложенное к его обкладкам-пластине 1 кремния и к слою 3 металла, падает как в слое диэлектрика, так и в пластине 1 кремния.

Если к слою 3 металла приложено положительное напряжение, то электроны скапливаются у .поверхности, образуя обогащенный слой. Емкость системы возрастает, п риближаясь к максимально возможному значению— емкости диэлектрика. Здесь аналогия р-и-nelo реходом заканчивается, так как в этом случае через последний начинает течь прямой ток,,и добротность емкости уменьшается до значений, меньших единицы. В рассматриваемом случае ток ограничивается утечкой ди15 электрика и может быть очень мал.

Нелинейный полупроводниковый конден;о сатор на основе кремния, выполненный в виде системы слоев полупроводник-диэлект1ри кметалл, отличающийся тем, что, с целью повышения значений перекрытия и крутизны, слой диэлектрика выполнен из д вуокиси ти25 тана.

310312

Составитель Н. Степанов

Редактор Т. И. Морозова Текред Т. П. Курилко Корректор В. И. Жолудева

Заказ 357/1255 Изд. № 1019 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 7К-35, Раушская наб., д, 4/5

Тип, Харьк. фнл, пред. «Патент»