Способ изготовления rc-интегральных схем
О П И С А Н И Е 323085
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Соеетокиз
Сопиалистическик
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 03.1V.1970 (Ме 1423712/26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 07.1.1972. Бюллетень № 3
Дата опубликования описания 23.II.1972
М. Кл. Н 05k 3/10
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 621.3.049.7(088.8) Авторы изобретения Н. А. Бразалюк, С. E. Львов, Ю. К. Понкин и H. А. Фарбовская
Заявитель
Я ""
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ RC-ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ Щ1Ц
I j -...;
Предмет изобретения
Изобретение относится к технике получения
RC-интегральных схем, применяемых в радиоэлектронной аппаратуре.
Известен способ изготовления RC-интегральных схем, основанный па поочередном нанесении на керамическую подложку элементов схемы на основе тантала и технологического слоя из алюминия и использующий электроннолучевой метод нанесения тантала с последующим оксидированием.
Целью изобретения является получение малогабаритных низкочастотных интегральных схем и обеспечение надежной защиты алюминия при оксидировании. Это достигается тем, что в качестве защитного слоя используют окись германия.
Первоначально на керамическую подложку через механическую маску с конфигурацией нижней обкладки конденсатора электроннолучевым методом наносят тантал с удельным сопротивлением 10 — 20 ол/кв. Затем. через механическую маску методом термического испарения на подложку осаждают технологический слой алюминия и через ту же маску осаждают слой окиси германия. Слой алюминия наносят таким образом, чтобы он соединял все участки тантала между собой и защищал одновременно выводы нижних обкладок конденсаторов от окисления во время оксидпрования. Слой окиси германия наносят с целью обеспечения надежной защиты алюминия, который во время окспдирования без защитного слоя отслаивается с подложки. Все три
5 слоя: Та, АI u GeO могут быть нанесены без нарушения вакуума. На следующем этапе участки тантала подвергаются анодному окислению. В результате этого образуется слой окиси тантала Та 05 являющейся диэлектриком кон10 денсатора. Затем алюминиевую маску стравливают, и через механические маски последовательно напыляют резисторы пз МЛТ и кермета, контактные площадки и вторые обкладки конденсаторов.
Способ изготовления RC-интегральных схем, основанный на поочередном нанесении на ке20 рамическую подложку элементов схемы íà основе тантала и технологического слоя из алюминия и использующий электроннолучевой метод нанесения тантала с последующим оксидированием, отличающийся тем, что, с целью
25 получения малогабаритных низкочастотных интегральных схем и обеспечения надежной защиты алюминия при оксидировании, в качестве защитного слоя используют окись германия.
