Микродатчик
О П И С А Н И Е 337672
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советския
Социалистичвския
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено 10.VI1.1970 (№ 1466788,:26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 05Х.1972. Вюллстснь № 15
Дата опубликования описания 31 V.1972
Л!. Кл. G 01l 19/02
Комитет ло левам иаобрвтеиий и открытиЯ ори Совете Мииистрое
СССР
УДК 621.3.083.8(088.8) Лвторы изобретения
В. Г. Журавлева, Ю. Д. Клебанов и В. Н. Сумароков
Заявитель
M И КРОДЛТЧ И К
Изобретение относится,к изготовленшо микролат lHIKQIB, а именно,к микродатчнкам для градуировки,по давлению камер сверхвысокого давления (СВД).
Из вестны миер ода тч и ки для гр адуи ров к и по давлению камер СВД, содержащие активный элемент, вы полненный, например, в виде проволоки из реперных металлов.
Та кие микродатчики хара ктеризуются сра внительно низким сопротивлением активного элемента, что требует большого измерительного тока, и сложностью градуировки камеры
СВД по фазовым переходам в нескольких реперных металлах за один цикл нагружения, что снижает точность измерения.
Цель изобретения — повышение точности измерений.
Для этого активный,элемент;предлагаемого датчика размещен на диэлоктрнчеокой подложке и вьсполнен в виде структуры нанесенных одна на другую пленок репериых металлов, на пример висмута, таллия и других, и спла во в, причем пленки этих металлов и сплавов отделены одна от другой диэлектриком и электрически соединены параллельно.
На фиг. 1,схематически изображен предлагаемый микродатчик, выполненный в виде пленочной структуры реперных металлов и сплавов, виды сверху и сбоку; на фиг. 2— микродатчик, слои структуры которого разделены слоем диэлектрика.
Л ктивный эле..с„т > гкродатчнка размещен па диэлектрической ч|одложке 2 и выполнен в виде структуры нанесенных одна,на jp) гую,пленок 3 и 4 ре|перных металлов, напри5 мер висмута, таллия и других, и сплавов. Для повышения стабильности микродатчиков пленки реперных .металлов в активном элементе разделяют слоями 5 диэлектрика. Выводы (на чертеже не показаны) микродатчн10 ка подключены к блоку б измерения сопротивления.
Наивысшая точность измерения при градуироаке камер СВД достигается в случае, когда скачки сопротивления при фазовых,пере15 ходах во всех пленках раперных металлов или с плавов равны один другому. Из этого условия определяют,соотношение толщины пленок.
11аиболее удобным способом нанесения
20 пленок является испарение реперных металлов и сплавов и конденсациях их в вакууме.
Путем нанесения слоев реперных металлов и сплавов через маски можно получить микродатчики с размерами активного элемента ме25 нее 1 мм.
Предмет изобретсния
1. Микродатчик,,содержащий активный элемент, служащий для гра дунрсмки iso да вле30 нию камеры с верхвысокото давления, отличающийся тем, что, с целью повышения точно337672
Фиг., Составитель Л. Рубинчик
Техред Т. Курилко
Редактор T. Иванова
Корректор Л. Орлова
Заказ 1414(12 Изд. № 827 Тираж 448 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская иаб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 сти измерений, а ктивный элемент размещен на диэлектрической подложке и выполнен в виде структуры нанесенных одна на другую пленок реперных металлов, например висмута, таллия и других, и с плаво в. 2. Микродатчик по п. 1, отличающийся там, что пле нки репер ных металлов,и сплавов отделены одна от другой слоями диэлектрика и электрически соединены параллельно.
