Всесоюзная iп д-ггут!''! t-vhs'ljs'' !?' :';tия i lu 1 ;ш-1 г;лjsи :<:;.• ifi/iitt библиотекатравитель

Авторы патента:

H01L21/306 - обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для образования диэлектрических пленок H01L 21/31; последующая обработка диэлектрических пленок H01L 21/3105)

342249

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союэ Соеетских

Сониалистииеских

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 23.Ч.1969 (№ 1334992/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 14.VI.1972. Бюллстень № 19

Дата опубликования описания 02Л 111.1972

М. Кл. Н 01/ 7/50

Комитет по. делам изобретений и открытий при Соеете Министраэ

СССР

УДК 621.382.002(088,8) Авторы изобретения

Л. А. Лаукманис и И, А. Фелтынь

Физико-энергетический институт АН Латвийской ССР

Заявитель

BCFCQ:"О21-1А"

,Д ДИЦ- г1-,Р, ТРАВ ИТЕЛЪ

Изобретение относится к способам выявления кристаллографических несовершенств на поверхности монокристаллических полупроводниковых материалов. Оно может быть использовано для определения этих несовершенств на разных технологических стадиях создания активных элементов в промышленности полупроводников, в том случае когда применяются паро-газовые среды (например, при эпитаксиальном наращивании) .

Известны газовые травители для полупроводников на основе водорода и хлористого водорода. Эти травители непригодны для выявления дислокаций на поверхности полупроводников.

Предложенный травитель представляет собой смесь водорода, хлористого водорода и хлора. Он позволяет выявить дислокации при высоких температурах на локальных участках поверхности, созданных, например, при помощи диэлектрических пленок Si02, ЯэМп и др.

Наилучшие результаты по выявлению дислокаций на поверхности кремния были достигнуты при применении смеси следующего состава (в об. %): водород 94,2; хлористый водород 0,8; хлор 5.

В результате воздействия описываемого травителя в течение 30 вЂ” 60 сек при температуре 1200 С на поверхности монокристаллического кремния четко выявляются дислокации.

Предмет изобретения

Травитель на основе смеси водорода и хлористого водорода, отличающийся тем, что, с целью выявления дислокаций на поверхности кремния, в его состав введен газообразный хлор, а компоненты взяты в следующем соотношении (в об. %): водород 94,2; хлористый водород 0,8; хлор 5.

Всесоюзная iп д-ггут!! t-vhsljs !? :;tия i lu 1 ;ш-1 г;лjsи :<:;.• ifi/iitt библиотекатравитель

Травитель для полупроводниковых материалов // 308470

Способ защиты поверхности карбида кремния при высокотемпературном травлении // 270080

Устройство для травления кремниевых фотоэлектрических преобразователей // 244515

Автомат для травления // 170123

Патент 159233 // 159233

Способ изготовления цинко-германиевого поверхностно- барьерного триода // 104970

Способ обработки кристаллов свинцового блеска для детекторов // 5411

Способ обработки свинцового блеска (галена) для детекторов // 3537

Процесс плазмохимического травления поликремния до кремния // 2110114

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно технологии изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной технологии (ССТ) с двумя слоями поликремния

Способ непрерывной жидкостной химической очистки поверхности, преимущественно полупроводниковых пластин // 2118013

Изобретение относится к технологии жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, и может быть использовано в электронной промышленности

Устройство для микроволновой вакуумно-плазменной с электронно-циклотронным резонансом обработки конденсированных сред // 2120681

Состав разбавителя для смывания ненужного фоторезиста на пластине в процессе изготовления полупроводниковых устройств (варианты) и способ смывания ненужного фоторезиста (варианты) // 2126567

Устройство для шлюзования // 2133521

Способ электрохимической обработки полупроводниковых пластин // 2133997

Изобретение относится к электронной технике, а именно к процессам электрохимической обработки полупроводниковых пластин, в частности к операциям электрополировки и утонения пластин, формирования анодных окисных пленок и слоев пористого кремния (формирование пористого кремния включает в себя несколько одновременно протекающих процессов - электрохимического травления и полирования, а также анодного окисления)

Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур // 2133998

Способ непрерывного жидкостного химического снятия слоев полимеров с поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139593

Установка для химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139594

Способ просушивания кремния // 2141700

Изобретение относится к способу просушивания с соблюдением чистоты поверхностей таких материалов, как полупроводники, керамика, металлы, стекло, пластмассы и, в частности, кремниевые пластины и лазерные диски, у которых подложка погружена в жидкую ванну, а поверхности просушиваются по мере отделения от жидкости, например, путем продувки газа над поверхностью жидкости, причем газ может растворяться в жидкости и снижает поверхностное натяжение жидкости