Пьезокерамический материал

 

Союз Советских

Социалистических

Республин

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (») 3481 28 (61) Дополнительное к авт. свид-вуль 286012 (22) ЗаЯвлено06.07.70 (21) 1448227/26-9 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.08.76.Бюллетень № 29 (45) Дата опубликования описания 25.11.76 (51) M. Кл.

H 01 L 21/324

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 666.638 (088.8) Г. Е. Савенкова, О. С, Дидковская, В. В. Клил ов, Ю. Н. Веневцев и А. Н. Бронников (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) ПЬЕЗОКЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к радиоматериапам.

Известен пьзокерамический материал с высокой механической добротностью и низкой температурой спекания на основе Pb(t < г, к ) Q3 при х = 0,4-0,6 с добавкой окисей висмута (0.002-2,5 вес%), марганца (0,002-2,5 вес.%) и двухвалентного элемента, например цинка (0,005 — 5,0 вес.%) имеет сравнительно низкие, значения диэлек- пт трической проницаемости (Я вЂ” 500-700).

Предлагаемый материал увеличивает диэлектрическую проницаемость материала.

Данное изобретение отличается от известного тем, что в материал ввецен окисел !5 одного из щелочноземельных металлов.

Сущность изобретения состоит в том, что в известном материале pb(gq т ") р> с добавками В1>03 Мп Оо и двухвалент— ного элемента окись цинка замещают окисью 20 одного из щелочноземельных металлов (Ва, S r, Са) в количестве до 100% от общего веса компонентов. В результате такого замещения получен материал с высокой меха— нической добротностьк низкой температурой спеканпя керамики и повышеннь|ми,значениями диэлектрической проницаемости (E. 800 — 1000), Полученнь|й материал отличается низкими значениями диэлектрических потерь в сильных электрических полях.

Материал получают следующим образом.

После помола исхоцных веществ, взятых в необходимых соотношениях, из полученной шихты изготовляют брикеты. Их подвергают о отжигу при 800 С в течение 2 час.Затем брикеты тщательно измельчают в порошок с размером частиц <3 — 5 JLL,после чего qo— бавляют раствор поливинилового спирта в качестве связки и прессуют изделия заданной формы и величины.

Спрессованные изделия помещают в печь о и опекают при 1050 — 1100 С в течение о

1,5 час, Скорость подъема 200-300 С в о час, охлаждения 100-200 С в час.

Электроды наносят вжиганием серебра при 650 С в течение 10-30 л ин. Поляризация изделий осуществляется в силиконоо вом. масле при 150-160 С в течение 1

348128

50,34 -34,50

18,49 - 28,54

30,56 — 17,26

0,002 — 2,5

0,002 2,5

Окись свинца

Окись циркония

Окись титана

Окись висмута

Окись марганца

Окись одного из

Составитель И. Мишустин

Редактор Т. Лаврова Техред Н. Андрейчук Корректор Н. Бабурка

Подписное

Совета Министров СССР и открытий наб„ц, 4/5

Заказ 4912/424 Тираж 963

ЦНИИ ПИ Госупарственного комитета по делам изобретений

113035, Москва, Ж-35, Раущская

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4 — 1,5 час, в постоянном поле с напряженностью 3-4 кв/мм.

Пример . Для получения 100 г материала состава (Ьо у5 Srpp5 ) (2 ) 53

>lp qy)0> с добавками 0,67 вес.% В1 0

2,0 вес.% X О и 1,0 вес.% Мпo готовилась смесь исходных компонентов, г:

Pb СО 78,06, Sr СО 2,23, Ti0 11,55, Ьг0 19,87, В О 0,97, кп0 0,50, Мп0 0,27. Методы испытании при напря- 10 жении на образце не более 100 мв. Свойства полученного материала (дисков ф =9 мм, И =1 мм) следующие: температура спекания 1070 С, плотность 7,5 г/см С» 940, tg 6 00,005, G „1100, Т, С,325, tg o при Е =3 кв/см 0,015.

Формула изобретения

1. Пьезокерамическии материал, получен20 ный из смеси окислов свинца, циркония, титана, висмута, марганца и одного из двухвалентных металлов, о т л и ч а ю щ и й— с я тем, что, с целью увеличения диэлектрической проницаемости, он содержит окисел одного из щелочноземельных металлов, 2. Пьезокерамический материал по п.1, отличающийся тем, что он содержит исходные компоненты, в следукщих количественных отношениях, вес.%: двухвалентных металлов (цинка, кадмия, никеля и др.) О, 005-5, 0 и окись одного из щелочноземельных металлов, остальное до 1 00% от общего веса компонентов.

Пьезокерамический материал Пьезокерамический материал 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области изготовления интегральных схем

Изобретение относится к оборудованию для сварки давлением с подогревом, в частности к установкам для диффузионной сварки полупроводников с диэлектриками, и может быть использовано в радиотехнической, электронной и приборостроительной промышленности

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых структур, точнее к изготовлению кремниевых структур, содержащих p-слой кремния над и под границей раздела, и может быть использовано для создания приборов сильноточной электроники и микроэлектроники

Изобретение относится к полупроводниковой технологии, может быть использовано в области создания современных материалов для микроэлектроники, в частности структур кремний-на-изоляторе (КНИ) для производства современных сверхбольших интегральных схем (СБИС) и других изделий микроэлектроники
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегральных схем (ИС)

Изобретение относится к оборудованию для сварки с подогревом и может быть использовано в радиотехнической, электронной и приборостроительной промышленности

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для интеграции электронных материалов в полупроводниковой, электронной, сверхпроводниковой, оптической и электротехнической технологиях, для создания современных материалов микроэлектроники, гетероструктур с кристаллическим слоем типа металл-металл, металл-полупроводник, полупроводник-полупроводник, полупроводник-металл, полупроводник-изолятор вне зависимости от структуры подложки, в частности структур кремний-на-изоляторе (КНИ) или полупроводник-на-кремнии (ПНК), для производства многофункциональных устройств микросистемной техники, устройств на основе сверхпроводящих материалов, спиновых транзисторов, современных сверхбольших интегральных схем (СБИС), систем на чипе и других изделий спинотроники, опто- и микроэлектроники
Наверх