Ттл-инвертор

 

ТТЛ-ИНВЕРТОР, содержшикй входной транзистор, база которого подключена к входу устройства, эмиттер - к общей шине, коллектор через peaitcTop к шине питания ибазе Ъервого выходного транзистора, коллектор которого по.пключен к шине питания, a эмиттер - к выходу устройства и коллектору второго выходного транзистора, эмиттер которого подключен к общей шине, a базе - к входу устройства, отличающийся тем, что, с целью увеличения быстроасйст ВИЯ и нагрузочной способност)1| в него введен токоответвляюший транзистор, коллектор которого подключен к выходу устройства, база через дополюттельный резистор - к шине питания, a эмнттер - к коллектору входного транзистора. . . а Э (Л С

3 у H 03 К 19/088

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

flO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

И АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 336949б/18-21 (22) 23 12,81. (46) 4.6.08.83, Бюл. _#_e 30 (72) В. П, Акопов и П. E. Аврамнци (б3) 621,376,083(088.8) (66) 1. Шагурии И, И. Транзисторнотранзисторные .логические схемы. N, С ов. радио, 1,974, с. 41., рис. 1.28, 2. ДАТА BOOK Electronics ИпХогтаОоп ser

BC 13 (- Ы. (64)(б7) ТТЛ-ИНБЕР ГОР, содержащий входной транзистор, база которого подключена к входу устройства, эмиттер к общей шине, коллектор через резистор— к шине питания и базе первого выходного транзистора, коллектор которого подключен к шине питания, а эмиттер - к выходу устройства и коллектору второго выходного транзистора, эмиттер которого подключен к общей шине, а база — к sxoду устройства, о т л и ч а ю ш и и с я тем, что, с целью увеличения быстродействия и нагрузочкой способности, в него введен токоответвляюший транзистор, коллектор которого подключен к выходу устройства, база через допотштельный резистор - к шине питании, а эмиттер — к коллектору входного транзистора.

4 1035

Изобретение относится к импульсной технике, и может быть использовано в

ТТЛ-интегральных схемах.

Известен ТТЛ-инвертор, содержащий входной многоэмиттерный транзистор, включенный по схеме с общей базой, коллектор которого подключен к базе выходно готранзистора, включейного по схеме с общим эмиттером, а коллектор через нагрузочный резистор попключен к шине щ пта (1«J.

Недостатком известного ТТЛ-инвертора является невысокая нагрузочная способность схемы из-за наличия реэистивной нагрузки в цепи коллектора выхопного транзистора.

Известен также ТТЛ-инвертор, содержащий входной транзистор, база которого подключена к входу устройства, эмиттер— к общей шине, коллектор через резистор - о к шине питания и базе первого выходного транзистора, коллектор которого подключен к шине питания, а эмиттер — к выходу устройства и коллектору второго выходного транэпстора, эмиттер которого подключен, к общей шине, е база — к входу устройст= ва (2 1.

Напостаткеми известного устройстве являются малые быстродействие и негруэожея способность, Е1ель изобретения — увеличение быстродействия и нагрузочкой способности устройства.

Лля достижения поставленной цели в устройство, содержащее входной транзистор, база которого подключена к вхо.пу устройства, эмиттер — к общей шине, коллектор через резистор — к шине питания и базе первого вьтхопного транзистора, коллектор которого подключен к пшще питания, а эмиттер - к выхопу устройства

40 и коллектору второго выходного транзистора, эмиттер которого подключен к общей шине, а базе — к входу устройстве, введен токоответвляющий транзистор, коллектор которого подключен к выхопу устройст-".

Д5 ва rбаза через дополнительный резистор - к шине питания, а эмиттер - к коллектору входного транзистора.

На чертеже приведена принципиальная схема прецлагаемого инвертора.

56

Инвертор содержит многоэмиттерный транзистор 1, вхоцной транзистор 2, второй выходной транзистор Э, токоответвляюшнй транзистор 4, первый выходной трен зистор 5, резисторы 6, 7 и 8, 55 .

Питание подается на шину 9, Входами устройства являются ивы 10 и 11, выходом - шина 12, 802 2

Предложенный ТТЛ- иявертор работает слйпукхпим образом.

При подаче хотя бы на один из входов. устройства низкого уровня напряжения логического "0, примерно равного потеяциалу земли, многоэмиттерный транзистор открывается и на его коллекторе устанавливается потенциал эмиттера, что приводит к запиранию входного и второго выходного транзисторов 2 и Э, отпиранию первого выхоцного транзистора 5 и получению на выходе 12 высокого потенциала.

Токоответвляющий транзистор 4 при этом ра.ботает в активном инверсном режиме, Коллекторный инверсный ток токоответвляюшего транзистора 4 - малая величина по сравцешпо с эмиттерным током первого . выхоцного транзистора 5 и не оказывает существенного влияния на его работу.

Прп попаче на вход устройства высокогопотоипиела логической 1 " происхо дит перекоммутация базового тока многоэмиттерного транзистора l из цепи эмиттере в цепь коллектора, входной и второй выхопной транзисторы 2 и 3 отпираются и

На выходе устанавливается низкий потенциал л огич BcKOI Î 0 °

При нагрузном токе, втекаюшем по вь1хопной шине 12 в устройство и превышшощем коллекторный ток входного транзистора 2 потенциал коллектора второго т (выходного транзистора 3 становится выше потенциале коллектора вход ного транзистора 2, поэтому базовый ток токоответвляющегп транзистора

4 начинает течь в пепи, коллектора вхоцного транзистора 2 и вводит токоответвляюший транзистор 4 в открытое состояние, прп этом по цепи коллектор-эмиттер токо-. ответвляющего транзистора 4 честь нагруэочного тока течет в коллекторную цепь входного транзистора 2. Это приводит к уравновешиванию коллекторных токов входного и второго выходного трайзисторов 2 и Э и равенству пепений напряжения на открытых база-эмиттерных переходах, вследствие чего коллекторный ток многоэмиттерного транзистора 1 норовну распределяется в базы входного и второго выхо,пного транзисторов 2 и 3 и они одинаково входят в насьпцение (вскрытое, состояние) .

При нагрузочном токе, меньшем коллекторного токе входного транзистора 2, потенциал не коллекторе второго выходного транзистора 3 становится ниже потенциала коллектора входного транзистора 2.

Часть базового тока токоответвляющего

3 1035802 4 тращистора 4 ответвляется в цепь коллек- - Таким образом, исключение базовых тора второго выхсщйого транзистора 3, резистаров в цепях входного и выходного. иго приводит к равенству коллекторных транзисторов позволяет уменьшить их токов входного и второго выходного тран- насышение, что привопит к увеличению зисторов 2 и 3 и одинаковой степени их 5 быстродействия и нагрузочной способности отпирания е . ° устройства.

Составитель А. Янов

Редактор Л. Алексеенко Техред С.Мигунова Корректор 1I. Бокщан

Заказ 5855/60 Тираж 936 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5.

Филиал ППП "Патент, r. ужгород, ул. Проектная, 4