I йоксоюзная 1^:,, ,ту-'^л.^,-г,--.(!«;;;угг»г, 5 • -.-•' - '..*„ ' ', t;'v i й1--^'л^'--3 bia'- цц;
366497
О П И С А Н И Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советсиих
Социалистических
Республии
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 12.IV.1971,(¹ 1646946/18-24) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 16.1.1973. Вюллетень ¹ 7
Дата опубликования описания 6.111.1973
М. Кл. G 1lс 11/34
Комитет по делем изобретений и отнрытир при Совете Министров
СССР
УДК, 681.327.67(088.8) Авторы изобретения
А. В. Амирханов, П. Е. Кандыба, К, Ф. Комаровских, В. И. Рыбальченко и Г. И. Фурсин
Заявитель
МНОГОУСТОЙЧИВЫИ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ
Предлагаемое устройство относится к области вычислительной техники и может быть использовано в качестве элемента памяти запоминающих и решающих устройств электронных вычислительных машин.
Известен статический многоустойчивый элемент памяти, представляющий собой последовательное соединение н агру зочного резистора и полупроводниковых четырехслойных приборов — тиристоров, эмиттерные переходы которых зашунтированы резисторами.
Недостатком таких элементов является низкая надежность работы вследствие необходимости точного подбора составляющих тиристор транзисторов и других компонентов схем.
Предлагаемый элемент содержит параллельно соединенные последовательные цепочки из полупроводникового четырехслойного прибора и нагрузочного резистора по числу устойчивых состояний, объединенные концы которых через дополнительный резистор подключены к шине нулевого потенциала, а эмиттерные переходы полупроводниковых четырехслойных приборов зашунтированы переменными резисторами.
На чертеже показана принципиальная электрическая схема многоустойчивого элемента памяти.
Элемент памяти содержит четырехслойные приборы 1, одни выводы которых через нагрузочные резисторы 2 соединены с шиной записи 8 и источником питания 4, другие выводы — с общим резистором 5, обеспечивающим c÷èòûBaí èå информации. Эмиттсрные переходы 6 четырехслойных приборов зашунтированы переменными резисторами 7. В зависимости от величины этих резисторов четы10 рехслойные приборы имеют различные пороги напряжений включения.
Для пояснения работы элемента памяти, например на «m+1» состояние, предположим, что имеется «гтг» четырехслойных приборов с
15 различными порогами включения
U„;„, (I В исходном состоянии все четырехслойные приборы элемента памяти находятся в выклю20 ченном состоянии, так как величина напряжения источника питания выбирается меньше, чем наименьшее напряжение включения первого четырехслойного прибора. При этом 1-гвых = гтг10/тг 25 где U„, — выходное напряжение элемента памяти; 1, — ток четырехслойного прибора в выключенном состоянии. В этом случае вследствие малой величины 30 тока 1, величиной U,,,- можно пренебречь. 366497 Предмет изобретения ВыюР Составитель Г. Милославский Редактор Н. Белявская Техред T. Курилко Корректор О. Тюрина Заказ 428/17 Изд, лГ 122 Тираж 576 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Я(-35, Раугпская наб., д, 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 В режиме записи числа «Ь> в многоустойчивый элемент памяти по шине записи на пего поступает такой уровень напряжения который переводит «Й» четырехслойных приборов в открытое состояние. При этом дОлжнО Выполняться услОВие U вкл (Uçàn. После перевода «й» четырехслойных приборов в открытое состояние U„,„,=kIi,R, где lл — ток четырехслойного прибора в открытом состоянии. Следовательно, в зависимости от количества находящихся в открытом состоянии четырехслойных приборов на выходе многоустойчивого элемента памяти устанавливается в каждом отдельном случае определенный уровень дискретного напряжения. Для хранения информации в ячейке памяти от источника питания 4 на четырехслойные приборы подается постоянное или импульсное напряжение. В последнем случае мощность, затрачиваемая на хранение информации, меньше, но при этом время повторения импульсов должно быть меньше времени выключения четырехслойных приборов. Стирание информации производится либо отключением источника питания 4, либо подачей на шину записи 8 перепада напряжения обратной полярности на время, большее времени выкл1очения четырехслойных приборов. Многоустойчивый элемент памяти, содержа10 щий последовательную цепочку из полупроводникового четырехслойного прибора и нагрузочного резистора, связанного с. шиной записи и источником питания, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности в 15 работе, он содержит параллельно соединенные последовательные цепочки из полупроводникового четырехслойного прибора и нагрузочпого резистора по числу устойчивых состояний, объединенные концы которых че20 рез дополнительный резистор подключены к шине нулевого потенциала, а эмиттерные переходы полупроводниковых четырехслойшях приборов зашунтированы переменными резисторами и.
