Способ получения микроэлектронных диодных матричных и полосовых структур

 

ОПИСАНИЕ l685I9

ИЗОЫ ЕтЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 14.11.1963 (№ 819016/26-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 18.11.1965. Бюллетень ¹ 4

Дата опубликования описания 26.11.1965

Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР

Авторы изобретения

В. И. Савченко и С. Л. Сидоренко

Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ ДИОДНЫХ

МАТРИЧНЫХ И ПОЛОСОВЫХ СТРУКТУР двустороннюю разметку пластин электролитическпм прорезанием в них взаимно перпендикулярных борозд глубиной 0,05 мм, шириной

0,1 — 0,15 мм и с шагом 1,4 ми, с последующей шлифовкой поверхностей пластин в отмученном абразивном порошке. Далее электрохимическим путем осаждают на пластины металл, например медь, с толщиной покрытия 50 мк, наносят полистироловый рисунок взаимно пер10 пендикулярных шин с утолщениями, соответстьующими расположению будугцих диодов, снимают путем химического растворения металл с незащищенных полистиролом участков пластин и, наконец, вытравливают германий

)5 электрохимическим растворением в 10%-ном растворе ХаОН прп плотности тока 1 = 0,2—

0,4 а/сл - до тех пор, пока р-и-столбики германия останутся лишь на перекрестиях, где имеются утолщения.

Таким образом, получается микроэлектронная диодная матрица, представляющая собой две взаимно перпендикулярные системы параллельных шин, в утолщениях которых расположены диоды.

Плотность компоновки диодов в матрице составляет 1200 — 1400 диодов в 1 слй.

Полосовую структуру получают разрезани30 ем матриц.

Подписная группа ЛВ 174

Известен способ получения микроэлектронных диодных матричных и полосовых структур с большой плотностью диодов в единице объема непосредственно из пластин путем электролитического прорезания лунок в п-слое исходной пластины германия п-р-п-структуры, осаждения металла, нанесения изолирующего рисунка шин и травления формируемой матричной структуры, пока германий не останется лишь в виде столбиков на перекрестиях шин.

Предлагаемый способ отличается от известных тем, что слой исходной и-р-и-пластины германия снимают электрохимической полировкой, а холостые перекрестия шин получают полным удалением германия при травлении, Это позволяет упростить технологию изготовления диодных матриц (полос) и повысить изолирующие свойства холостых перекрестий шин матриц.

Сущность способа заключается в следующем.

Исходный материал — пластины германия— подвергают двусторонней диффузии паром Sb в атмосфере водорода при 850 С. Один из и слоев полученной и-р-и-структуры снимают электрохимической полировкой или шлифовкой абразивным порошком. Затем производят

Кл. 42m 14щ

42m, 14оз

21а>, 36is

2la>, 75

МПК G 061

G 061

Н 03k

Н Oln

УДК 682.142.659;621.374;

621.314.63/64 (088.8) 168519

Предмет изобретения

Составитель Г. Чуйко

Редактор П. Шланн Техред А. А, Камышникова Корректор Ю. М. Федулова

Заказ 3809/17 Тираж 900 Формат бум. 60X90 /8 Объем 0,1 изд. л. Цена 5 кон.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Способ получения микроэлектронных диодных матричных и полосовых структур, с разметкой и-р-и-структуры исходной пластины германия под ряды диодов и шин осаждением металла, нанесением изолирующего рисунка шин и травлением формируемой матричной системы, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления диодных матриц и полос и повышения изолирующих свойств холостых перекрестий шин матриц, 5 слой и-исходной и-р-и-пластины снимают электрохимической полировкой, а холостые перекрестия шин получают полным удалением германия при травлении.