Элемент памяти^f^-ff^;ri-iill, lt..-,i i л-б!^^?^ •

Авторы патента:

витель Б. А. Калабеков , Р. И. Клейнерман

G11C11/36 - диодов, например применяемых в качестве пороговых элементов

О П И С А Н И Е 372578

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сс;са Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 29.IX.1971 (№1700369/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 01.III.1973. Бюллетень № 13

Дата опубликования описания 25.IV.1973

М. Кл. G 11c 11/00

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 681.142.07 (088.8) Авторы изобретения

Б. А. Калабеков и P. И. Клейнерман

Московский ордена Трудового Красного Знамени электротехнический институт связи

Заявитель

ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ

Предмет изобретения

Предложенное устройство относится к области вычислительной техники.

Известны элементы памяти, содержащие диоды Ганна, подключенные одними электродами к разнополярным клеммам источника питания, резистор и конденсатор.

Однако такие устройства сложны и недостаточно надежны в работе.

Предложенный элемент памяти отличается тем, что в нем другие электроды диодов Ганна соединены между собой и подключены через резистор к входному выводу элемента, а через конденсатор вЂ” к клемме нулевого потенциала источника питания.

Это позволяет значительно упростить устройство и повысить его надежность.

На чертеже изображена принципиальная электрическая схема предложенного элемента памяти.

Он содержит диоды Ганна 1, 2, подключенные соответственно к разнополярным клеммам 3, 4 источника питания, а также резистор

5, соединенный с входным выводом б элемента, и конденсатор 7, соединенный с клеммой нулевого потенциала 8 источника питания и выходным выводом 9 элемента.

Устройство работает следующим образом.

При подаче на клеммы 8, 4 питающего напряжения Е„и на клеммы б, 8 управляющего сигнала Еу в одном из диодов возникает домен, что обуславливает переход данного диода в режим ограничителя тока. При этом напряжение на другом диоде оказывается ниже порогового, поэтому негенерирующий домен диод представляет собой лишь пассивную нагрузку для генерирующего. После снятия сигнала Е,- конденсатор 7, сохраняя напряжение на своих обкладках неизменным за время гашения домена, обеспечивает благоприятные

10 условия для зарождения нового домена именно в ранее генерирующем его диоде.

Схема предложенного элемента памяти обладает двумя устойчивыми состояниями. Одно устойчивое состояние характеризуется тем, 13 что генерирующим домен является диод 2.

Пр и этом напряжение на конденсаторе 7 и, следовательно, на выходе элемента имеет положительную полярность. Другое устойчивое состояние предполагает генерирующим домен

20 диод l. В этом случае выходное напряжение элемента характеризуется отрицательной no:Iярностью.

Таким образом, предложенный элемент памяти имеет потенциальную форму представ25 лення дискретной информации.

Элемент памяти, содержащий диоды Ганна, 30 подключенные одними электродами к разно372578

+Еп

Составитель Л. Морозов

Техред T. Ускова Корректор Е. Талалаева

Редактор Л. Утехина

Заказ 1137/10 Изд. № 326 Тираж 576 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, K-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 полярным клеммам источника питания, резистор и конденсатор, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы устройства, в нем другие электроды диодов Ганна соединены между собой и подключены через резистор к входному выводу элемента, а через конденсатор вЂ” к клемме нулевого потенциала источника питания.