Способ изготовления диодной матрицы

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

3999)4

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое От авт. свидетельства №

Заявлено 29.111.1971 (№ 1639075/18-24) с присоединением заявки №

Hpиоритет

Опубликовано ОЗ.Х.1973. Бюллетень ¹ 39

Дата опубликования описания 29.1.1974

М. К.7. О 1 lс 11/36

Государственный кои(итет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

УДЕ, 68 .327 (088.8) Автор изобретения

П. Г. Чубов г.; с

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДНОЙ МАТРИЦЫ

Изобретение относится к вычислительной технике.

Известные способы изготовления диодных матриц характеризуются сложностью процесса изготовления. 5

Предлагаемый способ изготовления диодной матрицы позволяет упростить процесс изготовления и заключается в следующе».

Г1олоскti ti3 тит;!на

При помощи электролиза в растворе серной кислоты тонкий слой свинца на медных полосках окисляют до появления пленки двуокиси свинца. Титано«ые полоски покрыва!от очень 20 тонким слоем (IÎ вЂ” 4 — 10 — и!и!) вольфрамовой кислоты, например, напылением в вакууме илн оса)кдепием взвешенных в воде илн другой жидкости тонкодисперсных частиц вольфраМОВОЙ кислоты. Полоски титана располагают 25 параллельно, н на них под прямым углом накладывают полоски, изготовленные аналогично указан(ному «ыше. При этом образуется устройство, показанное на чертеже.

На чертеже приняты следующие обозначе- 30 ния: титановые полоски 1 — 4 н оксндиро«анные медные полоски 5, 6.

Полученное устройство скрепляют л к) бы» нз известных способов н форму!от поочсрсдным пропусканием постоянного тока «нротн«оположных напра«лениях. 1 1апряженнс формо«. ки 10 — -15 В; оптимальная плоти<)сть T()l(;I

0,8 — 1 а/см, продолжительность 10 !2»нн.

Образованные указанным спосооо» «узл;!х решетки Вентильные эл<..мсн.Гы ОО)libel;liltol р<. зко выраженной асимметрией вольт-аз!перно!! .<арактерис)нки. 1(ратность прямых и обр;гп!ы. ;

ТОКОВ При неоолl 1(!IIX Hаllp(1Ж()111!ЯX (0<. !1!Гll< I

ДЕСЯТКОВ ТЫСЯ

Оригинальным свойст«ом узлового элс»< и);! является способность резко у«елнчн«а гь <ипротивление I) лроводяще» направлении нрн пропусканни импульсов тока «нро«одящ<

ttBIIp3t3лении, ббл! и(их рити

ПользуItob 3TI(XI C«oil<. «OXI, н3 ю 7ВОДВ) ю %13TPtILtx запн(ы«1!ть II II

Ц и Ю П 0 С Р(" Д С Т ВО М I(0 11! P 0 13 « I t I I II X Н \1 Гl УЛ Ь(013 l ()ка, Оольнlнх по В(.личине 1 ри Гнчсск()го зн(lч.— ния, так как узловые элементы, »0,7I)cpl IIIII« » действи!о импульсов, тока, становятся неlipoводящими. Явление необратимо, и з«писанная информация сохраняется неограниченно долго. 399914 и1ийся тем, что, с целью упрощения процесса изготовления, шины одного направления выполняют из меди, покрывают слоем свинца и электролитическн окисляют в растворе серной кислоты до появления пленки двуокиси свинца, шины другого направления выполняют из титана, окисляют на воздухе и покрывают слоем 10 —" — 10 — M34 вольс1)рагиовоЙ

Составитель P. Яворовская

Текред Л. Богданова

Корректоры; А. Николаева и Л. Корогод

Редактор A. Батыгин

3aказ 36/I7 Изд. № 62

ЦИИИПИ Государственного комитета по делам изобретепий и

Москва, >К-,35, Раугиская

Типография, пр. Сапунова, 2

Предмет изобретения

Способ изготовления диодной матрицы, характеризующийся тем, что систему параллельно расположенных шин одного на правления размещают под прямым углом к системе параллельно расположенных шин другого направления, скрепляют и формуют посредством пропускания электрического тока, от,гичаюТираж 57G Подписное

Совета Министров СССР открытий иаб., д. 4/5