Ячейка памяти

 

D (т1!хет датент, ...:;.Снввж бтвсзп.:.т 1 Окй Ala2

<1ц 490 ) 8 0

ОПИСАН

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 08.10.73 (21) 1965599/18-24 с присоединением заявки Хе (23) Приоритет

Опубликовано 30.10.75. Бюллетень М 40

Дата опубликования описания 28.01.76 (51) М. Кл. G llс ll/36

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 681.327.66 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. С. Липин, Г. И. Айзенштат. Л. А. Лукина и Л. Л. Люзе (71) Заявитель (54) ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ

Изобретение относится к области вычислительной техники.

Известна ячейка памяти, содержащая диод

Ганна, анод которого подключен к шине питания, первый катод — к шине записи и через резистор к шине нулевого потенциала, а второй катод — к шине «Стирание» и через резистор к шине нулевого потенциала, причем второй катод отделен от первого щелью в полупроводнике, не доходятцей до анода.

В такой ячейке памяти отсутствует развязка между ее выходом и входом «Стирание».

Цель изобретения — улучшение эксплуатационных характеристик.

Это достигается тем, что в ячейку введен второй диод Ганна, анод которого подключен к шине питания, первый катод — к второму катоду первого диода Ганна, второй катод второго диода Ганна — к шине «Считывание» и через резистор к шине нулевого потенциала, а третий катод — к выходу ячейки и через резистор к шине нулевого потенциала.

На чертеже показан один из вариантов ячейки памяти.

Ячейка памяти состоит из двух активных элементов с использованием эффекта Ганна, выполненных из арсенида галлия и типа,— диодов 1 и 2, нагруженных на оощий резистор

3, включенный в цепь катода 4 второго диода.

В цепях катодов 5 и 6 второго диода Ганна имеются резисторы 7 н 8, а в цепи катода 9 первого диода Ганна — резистор 10.

В диодах катоды отделены между собой щелями (не доходящими до анода) 11, 12, 13, делящими активные элементы на области

14 — 18.

10 Ячейка работает следующим образом.

В исходном состоянии в областях 14 и 15 диода 1 Ганна и в областях 16 и 18 диода 2

Ганна напряженность электрического поля близка к пороговому значению и выше мини15 мального поля поддержания домена, а в области 17 напряженность электрического поля ниже этой величины.

Запись «1» проводят подачей импульса отрицательной полярности на катод 9 диода 1.

20 В результате, в области 14 образуется домен, дрейфующий к аноду. Достигнув конца щели

11, домен распространяется на все сечение диода 1 Ганна (области 14, 15), вызывая уменьшение тока в резисторе 3 и, как слсд25 ствие, увеличение напряжения в области 16 диода 2. Это приводит к образованию домена в области 16 у катода 4.

После того, как в диоде 1 домен разрядится у анода, он вновь образуется в этом диоде, 30 так как наличие домена в области 16 диода 2

490180

Предмет зобретения

Со.:; )атель Г. Лйзенштат

Текрс;! М, Семенов

Коорск«opec Е. Давыдкнн)! и В. Дод

Редактор Р1, Грузова

Заказ 11, 19 Яа ) i о 19 14 Тиp3)к о48 Подиисиос

Цi!HIIIIN Государствсш)о:о комитета Совета Министров СССР по аслам изобретений и открыт:.й

Москва, у!(-85, Раушская иаб., д. 4,5

Типография, !р. Сапунова, 2

ЗыЗываст по.!и)хкснис потенциала на с)тод!!Ох! —:.. -зисторе и увеличение папр5!5ксни5! в обла J 15. Поскольку домены в 1)loIC 1 Гап)iа .!

В облает;I 16 диода 2 поперсм aIIo отстают друг от друга, происходит непрерывное:!ерс,. Очс пе эле:)!Снтов. До прихода импульса отрицательной полярности (сигнала «Считывание») па катод 5 домен из области 16 пс п1)оникпу)ь B Ооласть 17 !)cлсдстВие

I изкого Зпа !ения папря)ееппости электричсск. . с и О;! я !) o Gл асти 1 1 (»aizi e xi >I IIHiil a.iL IIQI 0 .:;.)я поддер;кания домена). С приходом сиг-!

)ала «Считывание» па электро! О домен из

Области 1б про)гикает в области 17 и 18. С рсз.; —.ора 8 сит.!ал снимается в 1;агрузку.. л5! с. pa!i!!5; «1» достаточно подать сигпа,. Поло::к ! ". е л ы! О и II o. i 5I p l I o c T i i и а э л с к т р Од 4, э л е к! р;! Пес.(п pa3135)3aillihlli с выхо !Иымн !!С)!ямп.

Ячейка памяти, содсржаща5! первый диод

Ганна, анод которого подк.,owe!I к шине пи5 тания, первый катод — к шине записи и через резистор к шине пулевого потснциа ча, второй катод подключен к шипе «Стирание» и через резистор к шине пулевого потенциала, о т;I и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью улучше!!ия

10 эксплуатационных характеристик, она содергкит второй диод Ган;!а, анод которого подключен к шике питания, первый катод — к второму катоду первого диода Ганна, второй катод sòoðoão диода Ганна подключен к шине

15 «Считывап! е» и через рсз:!стор к шине пуле1)o) e»!Illa. Ia, т()етий выходу я !сйки и через 1)езистор к шине ну,!сВого потенциала.