Патентш4е}ш14еская| библиотека i

 

37377I

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Совотсииа

Социаиистическиа

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 27Л.1972 (№ 1742315/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

М. Кл. G 11с 11/40

Комитет по делам изаоретений и открытий ори Совете Министров

СССР

Опубликовано 12.III.1973. Бюллетень № 14

Дата опубликования описания 24Х.1973

УДК 621Д77 022(088 8) Автор изобретения

Э. P. Караханян

Рыбинский вечерний авиатехнологический институт

Заявитель

ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

Предлагаемый запоминающий элемент может быть использован для построения оперативных запоминающих устройств ЭЦВМ.

Известны запоминающие элементы, содержащие информационные и нагрузочные МДПтранзисторы, а также запоминающие элементы, в которых, с целью уменьшения рассеиваемой мощности, включены вспомогательные конденсаторы.

Недостатком известных элементов хранения является необходимость использования восстанавливающего сигнала с повышенным напряжением.

Целью изобретения является уменьшение напряжения восстанавливающего сигнала.

B предлагаемом запоминающем элементе это достигается благодаря тому, что заряд запоминающих и разряд вспомогательных конденсаторов осуществляется при помощи диодов.

В результате применения предлагаемого изобретения снижается мощность, рассеиваемая в цепях управления и в самом элементе.

FIa чертеже изображен предлагаемый запоминающий элемент.

Запоминающий элемент представляет собой триггерную ячейку, состоящую из информационных транзисторов 1 и 2, запоминающих 8, 4 и вспомогательных 5, б конденсаторов. Между стоками информационных транзисторов и обкладками вспомогательных конденсаторов включены заряжающие диоды 7 и 8. Вторые обкладки вспомогательных конденсаторов подключены через вход 9 к генератору восстанавливающего сигнала. Между общей точкой 10 и теми обкладками вспомогательных конденсаторов, которые подсоединены к заряжающим диодам, включены разряжающие диоды

11 и 12.

10 Открытое состояние одного из информационных транзисторов 1 или 2 и закрытое состояние другого поддерживаются за счет наличия или отсутствия заряда на запоминающих конденсаторах 8 и 4, благодаря подаче на вход 9

15 восстанавливающих сигналов медленно нарастающего и медленно спадающего напряжения.

Предположим, что в исходном состоянии транзистор 1 открыт, а транзистор 2 закрыт.

20 Такое состояние элемента может сохраняться, если запоминающий конденсатор 8 заряжен, а запоминающий конденсатор 4 разряжен. Когда на входе 9 восстанавливающий сигнал увеличивается с — Е до 0 ), запоминающий кон25 денсатор 8 медленно разряжается током обратно смещенного р — тг-перехода, образованного стоковой областью транзистора 2, Восста*) Для определенности полагаем, что в качестве информационного используются МДП-транзисторы с р-ка30 налом, 373771

Составитель Р. Яворовская

Техред Л. Богданова

Корректор Н. Аук

Редактор Б. Наикина

Заказ 1440/14 Изд. № 130б Тираж 576 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 новление за,ряда на запоминающем конденсаторе 8 осуществляется во время умень1пенця напряжения на входе 9 с 0 до — Е. В монумент, когда напряжение на входе 9 станет меньше напряжения на запоминающем конденсаторе

8, открывается диод 9, и конденсатор заряжается по цепи: генератор восстанавливающего сигнала, вспомогательный конденсатор б, заряжающцй диод 8, запоминающий конденсатор 8, общая точка 10. При этом напряжение на конденсаторе 8 восстанавливается до первоначального уровня.

Одновременно заряжается вспомогательный конденсатор 5 по цепи: источник восстанавливающего сигнала, конденсатор 5, диод 7, открытый транзистор 1, общая точка. Очевидно запоминающий конденсатор 4 зарядиться не сможет, т. к, оказывается зашунтированным открытым транзистором 1. Когда напряокен ие на входе 9 увеличивается до О, оба вспомогательных конденсатора разряжаются по цепи: генератор восстанавливающего сигнала, вспомогательный конденсатор 5 или б, разряжающий диод 11 или 12, общая точка.

В результате при периодической подаче восстанавливающих сигналов на входе 9 запоминающий элемент сохраняет свое состояние— записанную информацию.

Лмплитуда восстаидвливающего сигнала должна бьцть боль1це цапряжения, соответствующего логической единице (10 — 12 в), на величину прямого падения напряжения на

5 диоде, составляющего 0,6=0,8 в. 3 ИЗвЕстных элементах памяти восстановление утраченного заряда осуществляется за счет использования нагрузочных МДП-транзисторов. Напряжение васстанавливающега сигнала в этом случае

10 превышает напряжение логической единицы на величину порога открывания транзистора, которое с учетом смещения подложки достигает значения 7 — 10 в. Таким образом, включение диодов в элемент позволяет снизить ам15 плитуду напряжения восстанавливающего сигнала с 18 — 20 в до 11 — 13 в.

Предмет изобретения

Запоминающий элемент, содержащий ин20 формационные МДП-транзисторы, за поминающие и вспомогательные конденсаторы, отличаюи ийся тем, что, с целью уменьшения напряжения восстанавливающего сигнала, между стоками информационных МДП-транзисто25 ров и вспомогательными конденсаторами включены заряжающие диоды, а между шиной нулевого потенциала и вспомогательными конденсаторами — разряжающие диоды.