Устройство для моделирования потенциальных
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
383067
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
М, Кл. б 06@ 7, 44
Заявлено 02.!!!.1971 (М 1629850/18-24) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 23,Ч.1973. Б1оллетень № 23
Дата опубликования описания 05.IX.!973
Комитет по делам изобретений н открытий при Совете Министров
СССР
УДК 681.333<088.8) Авторы изобретения
С. В. Свечников и A. К. Смовж
Институт полупроводников АН Украинской ССР
Заявитель
УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНЫХ
ПОЛЕЙ
Изобретение относится к устройствам для модеЛирования потенциальных полей и может быть применено в области вычислительной техники при построении автоматически систем, предназначенных для моделирования различных процессов, описываемых двумерным уравнением Лапласа или Пуассона.
Известны устройства, предназначенные для моделирования потенциальных полей на электропроводной бумаге и с помощью дискретных RC-элементов.
Однако с помощью таких устройств трудно автоматизировать процесс нахождения распределения потенциала на исследуемой модели. Кроме того, моделирующие устройства иа дискретных RC-элементах обладают низкои точностью моделирования.
Цель изобретения — создание устройства, обладающего высокой точностью. моделирования и позволяющего автоматизировать процесс снятия потенциала.
Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что в него дополнительно введены фотопроводящий и прозрачный токопроводящий слои и теневая съемная рамка.
Устройство позволяет относительно легко автоматизировать процесс измерения распределения потенциала на исследуемой модели.
На чертеже приведена схема предлагаемого устройства.
Устройство состоит из фотопроводящих слоев 1 и 2 и прозрачного токопроводящего слоя
8, размещенных на прозрачной диэлектрической подложке 4. Максимум фотопроводимости слоя 1 расположен в длиинозолновой,;1 слоя
2 — в коротковолновой области спектра, Материалом для слоя 1 служит, например, CdTe, а для слоя 2 — CdS, максимумы фотопроводимости которых расположены при 9000 и
1о 5100 ангстрем соответственно. Слои 8 выполнен из плен1 и SïO >. Фотослоп 1 си ябже11 11è 3коомными электродами 5 для подключения источника внешнего напряжения <р;. 11;! i фотослоем 1 размещена съемная маска 6, фор1$ ма которой определяется формой исследуемой модели. Маска равномерно освс1це1111 монохроматическим светом 7, длина волны которого соответствует максимуму фотопроводимости слоя 1 и в выбранном примере составляет
2о 9000 ангстрел!. Источпик 8 монохр я м ятического света, длина волны которого соответствует максимуму фотопроводимости слоя 2 и и выбранном примере составляет 5100 ангстрел1, расположен со стороны подложки 1.
25 Предлагаемое устройство работает следующим образом.
В темноте проводимость фотослоя 1 очень мала. Световой поток 7, пройдя через маску 6, освещает некоторую область поверхности фо30 тослоя 1, вызывая явление внутреннего фото383067
Предмет изобретения
Составитель Е. Тимохина
Техред Е. Борисова
Редактор Э. Иконникова
Корректор И. Божко
Заказ 2379j)0 Изд. № 615 Тираж 647 IIo3>,!-.иснос
LIHI IVIIIII Комитета по делам изобретений и открытий при Совета Министров СССР
Москва, )K-35, Раушская наб., д. 415
Типография, «р. Сап)п)ова, 2 эффекта. При этом проводимость освещенной области резко возрастает, а право "fH>;асть темповых у:астков фотаслоя 1 остается не;!заlei)пoi Вслс;)стВиР Высакои KpaTiioc) и фатаслоя 1, т. е. отношения световой прова fi:ìîCTH k; I-.POBOГ!ИМСС1 И В ТЕМПОТЕ, ТОК В ОСПОВ:10М протекаеT через освещенную область, распределяя !30TC!IIIHaл В соответствии с ее фо )май.
Мо;!елирование еоднородпых по проводимоC T kI 0 б л 2 С т е Й B p O!3 0 JI ) f T C II C II 0 11 0 I)i b Io м а С к и, характерпзу!ощейся соответствующей пеодпоро, и!Остью коэффициента пропускания падающего светового потока. При этом необходимо согласовывать оптическую плотность маски с люкс-амперной характеристикой материала фотослся 1, толщину которого выбирают таким образом, чтобы падающий световой поток
7 практически полностью погло)цался в этом слое и не проходил к границе раздела слорВ 1 и 2. Если это условие не будет выполнено, то:!еизбе)кно возникновение значительной фото э.д.с., искажающей истинное распределение IOTCIIIII;2J12 на резистивном слое 1. С этой
»(e He l»io материалы фотослоев 1 и 2 должны обладать одним и тем ке типом про30димостп и 031)паковой ко;!центрацией свободных !
)оситслей.
Источник 8 формирует точечный световой зонд, осве)цаюц;ий через подло)кку 4 и слой
3, сл)»(214!f11 KQJIJICKTQPQ)f, локалы1У10 Оаласть фотаслая 2. Проводимость Освеlцеп наго 1 lacTка фотослоя 2 из-за внутреннего фотоэффекта резко возрастает, !то приводит K созданию токопроводящего мостика . .;ежду соответствующим участком фотослая 1 и слоем 8, котоPI>iiI ЗЯРЯ КЯЕТСЯ Jo ПОТЕПЦИЯ;!а ЭТО "0 Уг!ЯСТКЯ. I KIf. >i 00P 230M> CKaiI!!POB2I1He I CBCTOB0i 0 30Н5 да, сформированного источии;o:„. 8, определяется !)яспоеделРпие пОтсппияля пя фотослОе 1.
Основпьв) моделирующим элементом предлагаемого устройства является тс:!евая маска
6. Выбирая форму и распределение Оптичес10 кой плотности маски, можно создавать па фотослое 1 электрические поля различной конфигурации. Задавая с помощью оптоэлектpoIIiioI 0 сдвигoBoro perHcTpa pe;ким сканирОвания светового зонда, можно автоматизиро15 вать процесс снятия распределe 1»ÿ потенциала на исследуемой модели.
Устройства для моделирования потенциальных полей, садсржяшсе п!Позряч!ГРI0,1HB.ICKTрическуlo по;!ложку, фотопроводящий слой и источник пита !ия, отличо)()и!ееся тем, что, с
25 целью пав iiociikiH точности моделирования, oIIo садер)кит дополните:1ы1ый !ротопроводягций cJI o li H I) f) 03 172 1! I bill To KÎI! >)) Овод)!)цп)1 c 1 0iI, установленные последог>атсльпо па прозрачпаи диэлектричсскои ПО;!ложке, Teliel >, ю мяс30 K >, pacHo Io)K IIH) 10 напр ОTHB oc!IQB!!OI o фотопроводящего слоя, соедп аппо"Î с источником питания и установле:!ного на;!ополпитсльно» фотопроводящем слое.
