Устройство для проявления фоторезиста

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

387444

Союз Соевтокив

Социалистическик

Реооублик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 01.IV.1971 (¹ 1640345j26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 21.Ч1.1973. Бюллетень № 27

Дата опубликования описания 25.IX;1973

М. Кл. Н 01с 17/00

Комитет ло делам изобретений и открытий сои Совете Министров

СССР

УДК 621.396.692.002.5 (088.8) Авторы изобретения

E. М. Корсетов, А. Т. Мягков и P. В. Щербачев

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПРОЯВЛЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА

Изобретение относится к технологическому оборудованию для производства радиоэлектронных деталей.

Известные устройства для проявления фотореэиста, содержащие наружный каркас, реакционную камеру с расположенными на ее крышке распылительными форсунками и размещенныи внутри камеры предметный столик, соединенный с приводным механизмом, не обеспечивают интенсификации процесса проявления и повышения качества проявления фоторезиста.

Цель изобретения — интенсификация процесса проявления и повышение качества проявления фоторезиста.

Для этого крышка с форсунками, которые установлены на сферических шарнирах с разрезным и полукольцами, подвижно соединена с каркасом, например, посредством ходового винта, а поверхность предметного столика выполнена наклонно к оси вращения, На фиг. 1 представлена кинематическая схема:предлагаемого устройства; на фиг, 2— крепление форсунки на крышке камеры.

Устройство для проявления фоторезистора состоит из наружного каркаса 1, закрывающего реакционную камеру 2 с расположенными на ее раздвижной крышке 3 распылительными форсунками 4. Форсунки установлены (см. фиг. 2) на сферических шарнирах 5 с разрезными полукольцами б и болтом 7, позволяющими изменять угол наклона факела распылительных форсунок до 20 — 30 к вертикали. Раздвижная крышка 8 снабжена внешним цилиндром 8 и соединена при помощи ходового винта 9 и скобы 1î с наружным каркасом 1. Это соединение позволяет изменять расстояние между распылительными форсунками и обрабатываемыми .изделиями.

Внутри реакционной камеры 2 находится предметныи столик 11, поверхность которого наклонена к оси вращения под углом Ь вЂ” 15" к горизонтали. Наклонное расположение пздел ий, уложенных в кассеты 12 реакционной камеры, подобранное в соответствии с центробежной силой при центрифугировании,:позволяет удерживать изделия без дополнительных конструктивных средств.

Предметный столик 11 через вал 18, муфту

14 обгона и электромагнитную муфту 15 соединен с планетарным редуктором 1б, который атмеет два выходных вала, размещенных один в другом, причем, внешний вал 17 одновременно является и кулисой, а внутренний вал

18 обеспечивает прямую передачу от электродвигателя 19. Это позволяет вращать предметный столик с двумя скоростями.

Принцип работы устройства заключается в следующем.

30 Изделие, подлежащее ооработке, укладыва387441

25 ют на кассету 12, которую ставят на предметный столик 11 в реакционной камере 2. Ходовым винтом 9 устанавливают необходимое расстояние между кассетой 12 и распылительными форсунками 4 и угол наклона факела распылительных форсунок. Затем камеру закрывают крышкой 3.

Фоторезист проявляют методом пульверизации в среде очищенного воздуха или нейтрального газа при малой скорости вращения (24 об1мин) предметного столика 11. Движен ие от электродвигателя 19 передается через эластичную муфту 20, центральную шестерню 21, кулису 22, полый вал 17, шестерню 28, полую кулису 24, на муфту 14 обгона и далее, через клиноременную передачу, вал 18 и на предметный столик 11 с кассетой 12.

По окончании проявления отключают распыл ительные форсунки проявления и включают форсунки струйной промывки деионизованной водой (дистиллированной) при 45—

50 С. По окончании промывки отключают распылительные форсунки промывки и включают электромагнитную муфту 15, которая вращает предметный столик 11 с большой скоростью (1400 об1мин) от электродвигателя

19 через эластичную муфту 20, вал 18, который проходит внутри полого вала 17, и кулису 24, электромагнитную муфту 15, муфту 14 обгона, одновременно совмещающую шкив, далее через клиноременную передачу, вал 13 и на предметный столик 11 с кассетой 12, одновременно включают распылительную форсунку очищенного воздуха, сушат методом центрифугирования с интенсификацией сушки обдувом очищенным воздухом.

Предмет изобретения

Устройство для проявления фоторезиста, содержащее наружный каркас, реакционную камеру с расположенными на ее крышке распылительными форсунками, размещенный внутри камеры предметный столик, соединенный с приводным механизмом, отличающееся тем, что, с целью интенсификации процесса проявления и повышения качества проявления фоторезиста, крышка с форсунками, которые установлены на сферических шарнирах с разрезными полукольцами, подвижн 3 соединена с каркасом, например, посредством ходового винта, а поверхность предметного столика выполнена наклонно к оси вращения.

387441

Фиг. 1

Фиг. 2

Редактор Л. Ба ыгип

Заказ 2639 2 Изд, № 704 Тираж 780 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, К-35, Раушская наб., д. 4, 5

Типография, пр. Сапунова, 2

Составитель Н. Блинков»

Тскред Е. Борисова

Корректоры: H. Прокуратов:! и Е. Хмелева

Устройство для проявления фоторезиста Устройство для проявления фоторезиста Устройство для проявления фоторезиста 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике газофазной химической модификации приповерхностного слоя полимерных пленок, в частности фоторезистных, и может быть использовано на операциях контроля фотолитографических процессов, а также любых других пленок, прозрачных в видимой области спектра на отражающих подложках

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике технологических процессов производства изделий микроэлектроники, в частности к контролю фотолитографических процессов с использованием газофазной химической модификации приповерхностного слоя пленок фоторезистов
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам удаления слоя фоторезиста с поверхности кремниевых подложек методом плазмохимического травления
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к удалению резистивной маски с поверхности кремниевых пластин после фотолитографических операций
Изобретение относится к способам допроявления фоторезистов и может быть использовано в области микроэлектроники интегральных пьезоэлектрических устройств на поверхностных акустических волнах (фильтры, линии задержки, резонаторы)

Изобретение относится к способу освещения, по меньшей мере, одной среды для быстрого прототипирования (СБП), в котором указанное освещение осуществляют, по меньшей мере, двумя одновременно индивидуально модулируемыми световыми пучками (ИМСП), проецируемыми на указанную среду для быстрого прототипирования (СБП), и в котором указанную среду для быстрого прототипирования освещают световыми пучками (ИМСП), имеющими, по меньшей мере, два различных содержания длин волн (СДВ1, СДВ2)
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к микроэлектронике интегральных пьезоэлектрических устройств на поверхностных акустических волнах (фильтры, линии задержки и резонаторы), которые находят широкое применение в авионике и бортовых системах

Изобретение относится к микролитографии как одной из важнейших стадий технологии микроэлектроники и предназначено для формирования резистных масок
Наверх