Антенное устройство

Авторы патента:

Векслин И.М.

H01L21/283 - осаждением электропроводящих или диэлектрических материалов для электродов

вафа( уф фЕ ч g чар

¹ 45966

Класс 21 а Я4б, 64 АВТОРСКОЕ СВИДЕТЕЛЬСТВП HA ИЗОБРЕТ(НИЕ

ОПИСАНИЕ, антенного устройства.

К зависимому авторскому свидетельству И. М. Векслина, заявленному

31 августа 1935 года (спр. о перв. № 175604).

Основное авторское свидетельство на имя А. Л. Минца от 31 декабря

1935 года № 45331.

0 выдаче зависимого авторского свидетельства опубликовано 29 февраля 1936 года. (254) Тип. „Печатный Труд". Зак. 1655 вЂ” 505

В авторском свидетельстве № 45331 на имя R. П. Минца описано антенное устройство для ультра-коротких волн, в котором в качестве-вибраторов применены цилиндрические трубы с закругленными концами, укрепленные горизонтально в своей средней части, т. е. в пучности тока жестко к опорам.

Согласно настоящему изобретению, представляющему собой развитие изобретения по основному авторскому свидетельству N 45331, предлагается указанные вибраторы укреплять на металлической раме опоры непосредственно, т. е. без изоляторов, как это схематически показано на чертеже, на котором цифрой 1 обозначена металлическая труба рамы и цифрами 2 вЂ” вибраторы, укрепленные на этой трубе горизонтально в своей средней части.

Предмет изобретения.

Форма выполнения антенного устройства по авторскому свидетельству№ 45331, отличающаяся тем, что вибраторы укреплены на металлической раме непосредственно, т. е. без изоляторов.

Полупроводниковое устройство, обладающее двухслойной силицидной структурой и способы его изготовления /варианты/ // 2113034

Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)

Способ магнетронного распыления // 2114487

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Способ изготовления твердотельного прибора // 2189088

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и их электродов

Способ изготовления самосовмещенной встроенной медной металлизации интегральных схем // 2230391

Способ заполнения углублений проводящим материалом // 2258274

Способ формирования контактного слоя титан-германий // 2343586

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем

Способ формирования электрически изолированных областей кремния в объеме кремниевой пластины // 2403647

Изобретение относится к приборам микро- электромеханических систем (МЭМС), в частности к их изготовлению на стандартных пластинах кремния

Способ изготовления медной многоуровневой металлизации сбис // 2420827

Изобретение относится к технологии изготовления многоуровневой металлизации интегральных схем

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2080686

Способ изготовления инжектирующего контакта к моносульфиду самария // 2089972

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при формировании металлизации полупроводниковых приборов на основе моносульфида самария с использованием методов термического испарения, магнетронного и ионно-плазменного распыления и др