Генератор^ цилиндрических магнитныхдоменов

 

О П И С А Н И Е ()427383

ИЗОБРЕТЕ Н ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено 21.09.72 (2) ) 1829525/18-24 с присоединением заявки— (32) Приоритет—

Опубликовано 05.05.74. Бюллетень ¹ 17

Дата опубликования описания 26.11.74 (51) М. Кл. G IIc11/16

Государстеенныи комитет

Совета Министров СССР ео делам изобретений и открытий (53) УДК 681.325.65 (088.8) (72) Лвтор изобретения

ВП15

E. В. Карасев

Институт электронных управляющих машин (71) Заявитель (54) I EHEVATOV U,I4aVVPV14SVCKVX

ДОМЕНОВ

)Предложенный генератор относится к области вычислительной техни1ки и может быть использован при построении ЗУ нацилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Известен генератор ЦМД, содержащий ферромагнитную аппликацию генератора доменов, расположенную на одной стороне пластины из магнитоодноосного материала и .имеющую форму диска или прямоугольника.

Лпплгткация генератора доменов имеет размеры существенно большие, чем аппликации каналов продвижения ЦМД, для того, чтобы создать градиентные магнитные поля, достаточные для расщепления «первичного» магнитного домена. Под действием полюсов, создаваемых одновременно ферромагнитными продвигающими аппликациями и ферромагнитной аппликацией генератора доменов при их намагничивании в магнитном управляющем поле, вращающемся в плоскости пластины, происходит растягива,ние «первичного» магнитного, домена с последующим его расщеплением на два, один из которых (цилиндрический) вводится в продвигающую схему, а второй («первичный») продолжает свое движение вдоль периметра аппликации генератора доменов и может быть нопользован в следующем цикле.

Однако в таком генераторе ЦМД генерация цилиндрических доменов осуществляется только при одном направлении вращения управляющего поля, при изменении направления вращен)ия у)правляющего поля на обратное генерация цилиндрических доменов не .происходит. Это приводит к тому, что в ЗУ, использующих прямое и обратное (реверсное) направления .вращения управляющего поля, необходимо .иметь два генератора доменов, каждый из которых предназначен для определенного направления вращения управляющего поля. Кроме того, в известном устройстве растягивание «первичного» домена производится на довольно большие расстояния, превышающие период продвигающей:схемы, что может привести к срыву «первичного» магнитного домена с полюсов, создаваемых продвигающими аппликациями, т. е. к срыву генерации.

Целью изобретения является расширение

20 ооласти применения генератора ЦМД.

Эта цель достигается за счет того, что предложенный генератор содержит элемент расщепления магнитных доменов, образованный двумя Т-образными и одной прямоугольной аппликациями..Причем Т-образные аппликации расположены на разных сторонах пластины из магнитоодноосного материала одна под другой и повернуты по отношению одна к другой на 90 . Прямоугольная аппликация

З0 ра)споло?кена на н11жнеЙ стороне л.1астины из

427383 магпитооднооспого материала между апплпкацией генератора доменов и Т-образный апплпкацией, находящейся а нижней стороне пластины.

Предложенное устройство позволяет гепсрировать ЦМД для прямого и обратного (реверсного) направлений;вращения управляющего магнитного поля с использованием только одной аппликации генератора магнитных доменов. В данном устройстве расщепление

«первичного» магнитного домена производи гся без существенного его растягивания под действием отталкивающих полюсов, создаваемых ферромагнитными аппликациями, расположенными на противоположных сторонах пластины.

iHa фиг. 1 — 4 изображен процесс генерации

LtMgI и его ввода в продвигающий канал для прямого (по часовой стрелке) направления вращения управляющего поля. На фиг. 5 — 5 .изображено взаимодействие ЦМД с пол осами, создаваемыми ферромагнитными аппликациями при различных направлениях управляющего поля. На фиг. 7 — 10 изображен процесс .генерации ЦМД при обратном (против часовой стрелки) направлении вращения управляющего поля.

На фиг. 1 — 10 обозначено: пластина из магнитоодноосного материала 1, ферромагнитная аппликация генератора доменов 2, элемент расщепления магнитных доменов 8, прямоугольная ферромагнитная аппликация 4, Т-образные ферромагнитные аппликации 5, 6, «первичный» магнитный домен 7 и ЦМД 8.

На верхней стороне пластины из магнитоодноосного материала 1 помещена ферромагнитная аппликация генератора доменов 2, в непосредственной близости от которой ломещен элемент расщепления магнитных доменов 8. Аппликация генератора и элемент расщепления магнитных доменов составляют генератор ЦМД для прямого и обратного направлений,вращения управляющего поля.

Злемент расщепления магнитных доменов состоит из трех ферромагнитных аппликаций:

Т-образной аппликации 5, расположенной на верхней стороне пластины, Т-образной аппликации 6 и прямоугольной аппликации 4, расположенных на нижней стороне пластины.

Устройство работает следующим образом.

«Первичный» магнитный домен 7, находящийся под аппликацией генератора доменов во внешнем поле смещения, двигается вдоль периметра аппликации генератора под действием магнитного управляющего поля, вращающегося в плоскости пластины 1 по часовой стрелке. При направлении управляющего поля Н, (фиг. 1) «первичный» магнитный домен притягивается одновременно к полюсам, создаваемым на краях аппликации генератора доменов и аппликации 6. Аппликация генератора доменов создает притягивающий полюс на верхней стороне пластины кристалла, а аппликация 6 — на нижней (фиг. 5).

Для направления управляющего поля Н, 5

1D

55 бО

65 (фиг. 2) полюса, образованные на краю аппликации генератора и в центре аппликации 6, удерживают «первичный» магнитный домен, в то время как аппликации 4 и 5 создают отталкивающие полюса на своих краях. Аппликация 5 создает отталкивающий полюс на верхней стороне пластилины кристалла, а прямоугольная аппликация 4 — на нижней (фиг. 6). Отталкивающие полюса вызывают локальное сужение «первичного» магнитного домена с дальнейшим его расщеплением на два, один из которых (цилиндрический) 8 вводится в продвигающий канал С, (фиг. 3), а второй продолжает свое движение вдоль периметра аппликации генератора доменов и может быть использован в .качестве «первичного» в следующем цикле (фиг. 4). Ввод цилиндрического домена осуществляется во вторую четверть периода вращения управляющего поля с того момента, когда направление управляющего поля совпадает .с направлением продвигающего канала.

Для реверсного направления вращения управляющего поля (против часовой стрелки)

«первичный» магнитный домен 7 вращается против часовой стрелки вдоль периметра аппликации генератора доменов. При направлении управляющего поля Н, «первичный» магнитный домен притягивается к полюсам, создаваемым на краях аппликации генератора доменов аппликации 6 (фиг. 7). Для,направления поля Н, (фиг. 8) «первичный» домен одновременно притягивается к полюсам, создаваемым на краях annëèêà öèè 4 и 5.

Аппликация 5 создает притягивающий полюс

íа верхней стороне пластины, а аппликация 4 — на нижней. При направлении управляющего поля Н : (фиг. 9) полюса, образованные на краю аппликации генератора и в центре аппликации 5, удерживают «первичный» домен, в то время как полюса, создаваемые на противоположном краю аппликации генератора доменов и на краю аппликации 6, отталкивают «первичный» домен. Отталкивающие полюса вызывают локальное сужение

«первичного» домена с дальнейшим его расщеплением. После расщепления цилиндрический домен 8 (фиг. 10) вводится в продвигающий канал C, а второй домен продолжает свое движение вдоль периметра аппликации генератора доменов и может быть использован в качестве «первичного» в следующем цикле.

Схема предложенного устройства по срав-. нению с известными устроиствами значительно упрощена. Использование системы из трех ферромагнитных аппликаций позволяет генерировать цилиндрические домены при наличии только одной аппликации генератора доменов; использование одной аппликации, генератора увеличивает полезную площадь в магнитном кристалле, а следовательно, объем записанной информации в магнитном кристалле. При этом надежность работы устройства повышается, так как расщепление «первично427383

<Риг. 1

Puz. б го» магнитного домена происходит под действ ием отталкивающих полюсов, создаваемых ферромагнитными аппликациями, помещенными на противоположных сторонах пластины, и не требуется значительного растяжения

«первичного» магнитного домена. Кроме того, время ввода начальной, информации с момента начала работы устройства уменьшается (ввод ЦМД производится во вторую четверть периода, в то время как в известном устройстве ввод производится в четвертую четверть периода вращения управляющего поля).

Предмет изобретения

Генератор цилиндрических магнитных доменов, содержащий ферромагнитную аппликацию генератора доменов, расположенную на верхней стороне пластины из магнитоодноосного материала, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения, он содержит элемент расщепления магнитных доменов, образованный двумя Т-образными и одной прямоугольной ферромагнитными аппликациями; причем Т-образные аппликации расположены на разных сторонах пластины

10,из магнитоодноосного материала одна под другой и .повернуты по отношению одна к другой на 90, а прямоугольная аппликация расположена на нижней стороне пластины из магнитоодноосного материала между аппликацией генератора доменов и Т-образной аппликацией, находящейся на нижней стороне пластины.

427383

<Риг.3

1Риг. 8

Фиг. 7

<Риг f0

Составитель Ю. Розенталь

Техред Е. Борисова

Редактор Д. Утехина

Корректор В. Гутман

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент»

Заказ 1661/515 Изд. М 818 Тираж 591 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, %-35, Раушская наб., д. 4/5

Генератор^ цилиндрических магнитныхдоменов Генератор^ цилиндрических магнитныхдоменов Генератор^ цилиндрических магнитныхдоменов Генератор^ цилиндрических магнитныхдоменов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к магнитным материалам, а именно, к использованию осевой симметрии для задания магнитных свойств материалов

Изобретение относится к области металлургии, а именно к магнитным материалам, в частности к использованию осевой симметрии для задания магнитных свойств материалам

Изобретение относится к разработке памяти в области магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращательного момента

Изобретение относится к устройству памяти, включающему в себя структуру магнитного туннельного перехода (МТП)

Изобретение относится к вычислительной технике

Изобретение относится к вычислительной техники, а именно к ячейкам магнитного туннельного перехода

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при создании запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах
Наверх