Запоминающее устройство на магнитныхпленках

 

О П И С А Н И Е (11) 434479

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

СОюэ СОВетских

Сецмйлистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 31.07.72 (21) 1821147/18-24 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 30.06.74. Бюллетень № 24

Дата опубликования описания 29.10.74 (51) М. Кл. 6 11с 7/00

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР по делам иэооретений и откРытий (53) УДК 681,327.025 (088.8) гъ !

1 (72) Авторы изобретения

С. И. Карый и Б. С. Севериновский (71) Заявитель (54) ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО HA МАГНИТНЫХ

ПЛ ЕН КАХ

Изобретение относится к области электронной вычислительной техники.

Известно оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) с компенсацией разрушающих магнитных полей тока считывания, содержащее накопитель и многоступенчатый дешифратор.

При построении такого ОЗУ каждый запоминающий элемент (ЗЭ) в накопителе образуется на пересечении двух шин: числовой шины и разрядной шины. Числовые шины прокладываются параллельно направлению оси легкого намагничивания пленки, разрядные шины — перпендикулярно числовым шинам. Каждая числовая шина объединяет ЗЭ, принадлежащее одному числу, а разрядная шина — ЗЭ, принадлежащие одному разряду.

Числовые шины, расположенные конструктивно рядом, подключены к выходам дешифратора инверсно (т. е. подключены начала четных шин и концы нечетных). Каждый выход дешифратора соединен с соседним через резистор, а последовательно с числовой шиной включен другой резистор. В режиме считывания в соответствующую числовую шину поступает импульс тока считывания. По рядом расположенным числовым шинам протекают компенсирующие токи, которые обеспечивают компенсацию разрушающих магнитных полей импульса тока считывания.

Наличие большого количества дополнительных элементов (по два резистора на каждую числовую шину) и паек и необходимость дополнительного рассеяния мощности транзи5 стором последней ступени дешифратора усложняют устройство, так как через транзистор кроме тока считывания протекают компенсирующие токи.

С целью упрощения устройства выходы де10 шифратора предпоследней ступени соединены с соседними выходами через соответствующие резисторы и с соответствующими входами дешифратора последней ступени — через последовательно соединенные резисторы и диоды.

15 На чертеже представлена схема устройства.

Оно состоит из дешифратора 1 предпоследней ступени с выходами 2 — 6, дешифратора 7 предпоследней ступени с выходами 8, 9 и дешифратора 10 последней ступени на транзи20 сторах 11 — 15, а также накопителя с ЗЭ 16 на плоских магнитных пленках. Накопитель имеет систему числовых шин 17 — 21 и систему разрядных шин 22. Устройство также содержит две группы резисторов 23 — 27 и 28 — 32

25 и диоды 33 — 37.

Числовые шины 17 — 21, располохкенные конструктивно рядом, подключены к коллекторам соответствующих транзисторов 11 — 15 инверсно. Группа резисторов 23 — 27 включена меж30 ду выходами 2 — 6 дешифратора 1 предпослед434479 ней ступени, а группа резисторов 28 — 32 и диоды 33 — 37 включены последовательно между выходами 2 — 6 этого же дешифратора и соответствующими входами дешифратора 10 последней ступени.

В каждой группе сопротивления резисторов равны между собой, а сопротивления резисторов 23 — 27 примерно на порядок больше сопротивлений резисторов 28 — 32.

Устройство работает следующим образом.

Если, например, дешифратором 1 предпоследней ступени выбирается выход 4, а дешифратором 7 предпоследней ступени выход 8, то по цепи, состоящей из резистора 30, диода 35, транзистора 13 и шины 19, протекает импульс тока считывания I g, а по цепи, состоящей из резисторов 25, 29, диода 34, транзистора 12, шины 18, и по цепи, состоящей из резисторов

26, 31, диода 36, транзистора 14, шины 20, протекают компенсирующие токи 118 и 120.

Величина тока 1 определяется сопротивлением резистора 30, а величина токов I

l>o — соответственно сопротивлениями резисторов 25, 29 и резисторов 26, 31.

Магнитное поле импульса тока 1 в создает в

ЗЭ, расположенных под числовыми шинами

18 и 20, разрушающее магнитное поле. Это поле совместно с магнитным полем импульсов тока по разрядным шинам 22 при многократном повторении режима записи в ЗЭ, расположенных под числовой шиной 19, не приведет к разрушению информации в ЗЭ, расположенных под числовыми шинами 18 и

20, так как по шинам 18 и 20 протекают компенсирующие токи, которые обеспечивают компенсацию разрушающего магнитного поля.

К цепи, состоящей из резисторов 24, 28, диода 33, транзистора 11, шины 17, а также к цепи, состоящей из резисторов 27, 32, диода

37, транзистора 15, шины 21, приложено напряжение на два порядка меньше, чем к цепи, состоящей из резистора 30, диода 35, транзистора 13, шины 19. Сопротивление диодов 33 и 37 при таком напряжении значительно возрастает, что исключает протекание тока по шинам 17 и 21.

Соотношение между сопротивлениями резисторов 25, 26 и 30, т. е. между сопротивленияl0 ми групп резисторов 23 — 27 и 28 — 32, а также сопротивления резисторов 28 — 32 выбираются такими, чтобы обеспечить необходимую величину токов l s и l o для компенсации в запоминающих элементах, расположенных

15 под числовыми шинами 18 и 20 разрушающего магнитного поля импульса тока I„.

В описанном ОЗУ может быть использован накопитель на цилиндрических магнитных пленках. Схема такого устройства может быть

20 использована также при построении запоминающего устройства без разрушения информации.

25 Предмет изобретения

Запоминающее устройство на магнитных пленках, содержащее накопитель и многоступенчатый дешифратор, последняя ступень ко30 торого выполнена на транзисторах, причем соседние числовые шины подключены к коллекторам соответствующих транзисторов инверсно, отличающееся тем, что, с целью упрощения устройства, выходы дешифратора

35 предпоследней ступени соединены с соседними выходами через соответствующие резисторы и с соответствующими входами дешифратора последней ступени — через последовательно соединенные резисторы и диоды.

434479

Составитель С. Карый

Техред Н. Куклина

Корректор Л. Орлова

Редактор Е. Дайч

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 2868/13 Изд. № 1739 Тираж 591 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5