Матрица для запоминающего устройства

 

-:.л ватент,.-, .

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (11)452853 (61) Зависимое от авт. свидетельства(22) Заявлено 18Я. р.73 (21)1922503/1Ж (51) М. Кл.

3 11с 5/02 с присоединением заявкиГосударственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изобретений н открытий (32) Приоритет

ОпубликованЮ. 12,74 Бюллетень № 45 (53) УДК б28 е 327/088 ° 8/

Дата опубликования описания Я,12.74

Ю.А. Бурнин (72) Автор изобретения (71) Заявитель I ВЫЧИСЛИТ6ЛЬНЫЯ ЦВНТр СИбх1рСЕОГО ОТДт-ЛЕНиЯ АН СССР (т4) MATPHUA ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

Изобретение относится к области вычислительной техники.

Известны матрицы на ферритовых запоминающих элементах, прошитых коорлинатными и разрядными шинами, концы которых прикреплены пайкой или сваркой к лепесткам выводов расположенных на диэлектрической рамке матрицы. Матрицы могут бытЕ залиты компаундом и иметь металлическую экранную пластину, гребенки фиксации коор- 10 динатных шин по краям экранной пластины и гибкие шлейфы, припаивающиеся к выводным лепесткам матрицы по сторонам, соответствующим сложению матриц в куб памяти. !5

Однако в таких матрицах прочность пайки координатных шин к лепесткам невысока, и пайка требует больших затрат труда.

Кроме того, больше число паек и наличие второго паянного соединения в цепи каж- 20 дой изгибающей координатной шины снижает надежность матрицы.

Цель изобретения - упрощение технологии изготовления и повышения надежности работы матрицы.

Эта цель достигается тем, что в предложенной матрице диэлектрическая рамка и гибкие шлейфы выполнены из пленки пла стификата, внутри которой на длину шлей- фов заармированы концы проводников координатных и разрядных шин, а диэлектрическая рамка с гибкими шлейфами закреп- лена на экранной пластине планками.

Это позволяет в несколько раз сократить число паек, что значительно упрощает технологию изготовления и повышает надежность матрицы.

На чертеже изображена матрица в двух проекциях.

Матрица памяти состоит из прошитых координатными 1 и разрядными 2 шинами ферритовых запоминающих элементов 3.

Параллельно плоскости прошитых элементов 3 расположена металлическая экранная пластина 4,. по краям которой размещены гребенки 5 фиксации шин 1, а за ни» ми по контуру диэлектрическая рамка 6 матрицы с выводом 7 шин 1. Рамка 6 ! матрицы выполнена из пленки пластификаI та, внутри которой заармированы продолжения 8 проводников шин 1. При этом выводы 7 этих шин концы проводников коорl динатных шин, выступающие из пленки пластификата наружу. Продолжения 8 провод ников координатных шин заармированы в пленку пластификата по длине, достаточной для соединения выводов 7 с элементами электронного обрамления матрицы, а на сторонах, по которым матрица укладывается в куб памяти по длине, достаточной для выполнения функций гибкого шлейфа 9.

Для придания пленочной рамке необходимой прочности она закреплена на экранной пластине дополнительными планками 10, расположенными у краев экранной пластины.

Ферритовые запоминающие элементы 3 вместе с их шинами 1 и 2 могут быть задиты эластичным компаундом.

Предмет изобретении

Матрица для запоминающего устройства,, содержащая ферритовые запоминающие элементы, прошитые координатными и разряд5 ными шинами и залитые компаундом; экранную пластину, гребенки фиксации координат ных шин, диэлектрическую рамку крепления выводов координатных шин по контуру матрицы и гибкие шлейфы, расположенные по

1Î периметру матрицы, отличающаяся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и повышения надежности работы матрицы, диэлектрическая рамка для крепления выводов координатных шин и гибкие шлейфы

15 выполнены из пленки пластификата, внутри которой, на длину шлейфов заармированы концы проводников координатных и разрядных шин, а диэлектрическая рамка с гиб кими шлейфами закреплена на экранной пластине планками.

Матрица для запоминающего устройства Матрица для запоминающего устройства Матрица для запоминающего устройства 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к ПЗУ Х-конфигурации

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Изобретение относится к устройству для создания отрицательного высокого напряжения, которое требуется, например, для программирования электрически стираемой программируемой постоянной флэш-памяти

Изобретение относится к схеме для генерации отрицательных напряжений с первым транзистором, первый вывод которого соединен с входным выводом схемы и второй вывод которого соединен с выходным выводом схемы и вывод затвора которого соединен через первый конденсатор с первым выводом тактового сигнала, со вторым транзистором, первый вывод которого соединен с выводом затвора первого транзистора, второй вывод которого соединен со вторым выводом первого транзистора и вывод затвора которого соединен с первым выводом первого транзистора и со вторым конденсатором, первый вывод которого соединен со вторым выводом первого транзистора, а второй вывод которого соединен со вторым выводом тактового сигнала, причем транзисторы являются МОП-транзисторами, выполненными, по меньшей мере, в одном тройном кармане (Triple Well)

Изобретение относится к средствам, обеспечивающим возможность адресации в устройстве, содержащем один или более объемных элементов

Изобретение относится к устройству хранения данных, к способу осуществления бездеструктивного считывания данных и способу придания поляризации парам субъячеек памяти

Изобретение относится к игровым системам и, в частности, к способам и средствам, позволяющим определять местоположение игрового устройства в казино
Наверх