Полупроводниковый материал для записи голограмм

 

-Qкэ < lp i, i..

О П"И C А Н И Е III) 453976

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Со1оз Советскик1

Социалистических

Ресоублик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 23.02.73 (21) 1886848 26-25

1886849/26-25

1886850/26-25 с присоединением заявки М (23) Приоритет (51) Ч. Кл. - G ОЗН 1, 00

11 011. 31/00

Н 011 29/12

В 01J 17/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Опубликовано 05.03.76. Б1оллетень М 9

Дата оп бликования опися111гя 30.01. 6 (53) УДК 772.99:621.383 (088.8) (72) Авторы изобретения

П. П. Погорецкий, Е. H. Салькова, М. С. Соскин, Д. И. Блецкан и И. Ф. Копинец (71) Заявитель

Институт физики AH Украинской ССР (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ

ДЛЯ ЗАПИСИ ГОЛОГРАММ

Формула изобретения

Изобретение относится к области голографии и может быть использовано для записи информации с помощью излучения рубинового лазера, а также для получения отражающих профильных дпфракционных решеток.

1-1сдостатком голографической записи на известных материалах является длительный и трудоемкий процесс обработки материалов, невысокая дифракционная эффективность.

С целью разработки материала для записи голограмм используют материал из,груп1пы слоистых полупроводников, коэффициент поглощения которых чувствителен к красной области спектра, например, сернистого германия, иодистого висмута, фосфористого кадмия. .Чонокристаллы имеют вид плоско-параллельных пластинок с зеркальной поверхностью.

При плотности энергии излучения рубинового лазера порядка 0,1 дж/см для сернистого германия, 0,05 дж/см - для йодистого висмута, 0,2 дж/см- для фосфорпстого кадмия, работающего в режиме свободной генерации, записываются профильные голографические решетки с высокой пространственной частотой (10з мин/мм). Профиль решетки для каждого пз материалов различен.

Голографическая решетка записывалась излучением рубинового лазера за времена порядк-1 10 " .ек, и нс требовалась последующая обработка. Геометрп eci iic размеры pIICTa.iлов не изменялись при длительном хранении (2 месяца) TBK Acc, 13 и сво11cTII2 решетк11.

Дпфракционная эффективность в первом порядке составляет для сернистого германия

1j = (10+-2) ",0, для иодIIcTQI 0 висмута 1j =

= (12+-2) %, для фосфористого кадмия

11 = (15+2) % прп воспроизведении излучением гелий-неонового лазера (i. = 0,633 нм), прп нанесении на поверхность тонкого слоя золота достигнуто значение 11=30 j»1 50%.

Описываемая среда существенно ускоряет и упрощает процесс записи голограмм. Кристаллы достаточно технологичны прп выращивании, обладают низкой ссбестопмость1о. Онп устойчивы и воздействшо влаги, что позволяет создавать на 11х основе дешевые и надежные голографические элементы.

Записанные на кристаллах голограммы прежде всего могут быть использованы как оптические элементы и как материал для записи и хранения информации.

1. Пол1 прово:1н11ковый материя,r 1. 1я зяп11с11 голограмм, отл и ч а ю щи йс я гем, что, с цель1о непосредственной фпк"ацпп интерференционной картины при вь1соких дпфракцпон30 ной эффектив11остп и чувствительности, упо453976

Составитель Е. Халатова

Текред А. Камышникова Корректор Л. Орлова

Редактор М. Цветаева

За каз 1221, 12 Изд. М 2о7 Тираж 581 Г1одиисиос

Ц1-1ИИПИ Государствениого комитета Совета Мииистров СССР ио делам изобретеиий и открытий

113035, Чоскви, )К-35, Рати!с ая иаб., и. -i j5

Тииогря!,)ия, ир. С:и!миовя, 2 мяиутый материал выполнен из слоистого полупроводника, чувствительного к красной области спектра.

2. Материал по и. 1, отличающийся тем, что упомянутый материал выполнен из сернистого германия.

3. Материал по и. 1, о т л и ч а !0 III и и с я тем, что упомянутый материал выполнен из йодистого висмута.

4. Материал по п. 1, отличающийся тем, что упомянутый материал выполнен из фосфоplIcToI 0 кадмия.