Способ детектирования атомарного кислорода

 

пц 463622

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕПЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 29.10.73 (21) 1967574 26-25 (51) М. Кл. 6 01! 9,02 с присоединением заявки е (23) Приоритет

Опубликовано 05.03.75. Бюллетень . Й 9

Дата опубликования описания 15.05.75

Комитет па делам иваорвтений и открытий при Совете Ыиниатров

СССР (53) УДК 543. 72.1 (088.8) (72) Авторы изобретения

Г. В. Малинова и И. А. Мясников (71) Заявитель (54) СПОСОБ ДЕТЕКТИРОВАНИЯ АТОМАРНОГО

КИСЛОРОДА

Изобретение относится к способам газового анализа и может быть применено для детектирования атомарного кислорода при изучении механизма гетерогенных и гомогенных реакций, определении коэффициента гетерогенной рекомбинации атомов кислорода, при исследовании процессов пиролиза и фотолиза молекул кислорода, двуокиси углерода.

Известен способ детектирования атомарного кислорода по изменению электропроводности тонких полупроводниковых пленок окиси цинка. Недостатками этого способа являются однократность использования окиси цинка и малая величина допустимой концентрации молекулярного кислорода (не более 10- торр).

Предложенный способ позволяет устранить указанные недостатки за счет применения в качестве полупроводникового cëoH окиси свинца, которую можно многократно использовать в присутствии любых концентраций (от 10 — до десятков сотен торр) молекулярного кислорода.

Предложенный способ детектирования атомарного кислорода заключается в следующем.

На кварцевую подложку наносят поликристаллическую пленку окиси свинца толщиной

10 — 20 мк. Слой подвергают термовакуумной обработке, а затем пассивацпи в кислороде.

После этого осуществляют детектирование атомарного кислорода путем измерения со5 противления окиси свинца. Чувствительность способа составляет 10 — 10 атомов кислорода в 1 см прилегающего к пленке пространства в присутствии молекулярного кислорода в диапазоне от 10 — до десятков и сотен торр.

Предмет изобретения

1. Способ детектирования атомарного кислорода с помощью тонкого полупроводникового слоя, заключающийся в тсрмовакуумной

15 обработке слоя и измерении его сопротивления, отличаюгцпйся тем, что, с целью детектирования атомарного кислорода в присутствии молекулярного кислорода в диапазоне концентраций от 10 до сотен торр и много20 кратного использования полупроводникового слоя, в качестве полупроводникового слоя применяют окись свинца.

2. Способ по и. 1, отличающийся тем, что, с целью устранения влияния молекуляр25 ного кислорода, слой окиси свинца подвергают пасспвации в кислороде.