Устройство для подключения электронных приборов к измерителю параметров

Авторы патента:

ПЫЖ МИХАИЛ ВАСИЛЬЕВИЧ

КАСПЕРОВИЧ НИКОЛАЙ ЛУКЬЯНОВИЧ

H01L21/66 - испытания или измерения в процессе изготовления или обработки (после изготовления G01R 31/26)

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1ц 473l32

Союз Советских

Социалистнческит

Республик

4, Ф: Мы, @ i., .р Я (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 26.04.73 (21) 1911160/26-25 с присоединением заявки № (51) М, Кл. G 01г 31/26

ГосУдаРственный комитет (23) Приоритет

Совета Министров СССР по делам изобретений Опубликовано 05.06.75. Бюллетень № 21 (53) УДК 621.385.832 (088.8) и открытий

Дата опубликования описания 28.08.75 (72) Авторы изобретения

М. В. Пыж и Н. Л. Касперович (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОДКЛЮЧЕНИЯ ЗЛЕКТРОННЫХ

ПРИБОРОВ К ИЗМЕРИТЕЛЮ ПАРАМЕТРОВ

Изобретение относится к устройствам для подключения электронных приборов и может быть использовано в производстве приборов, например транзисторов.

Известны устройства того же назначения, содержащие узел подключения и логическое устройство, осуществляющее правильное подключение электродов прибора к измерителю независимо от правильности установки прибора в узел подключения.

Недостаток известных устройств заключается в том, что при помощи логического устройства невозможно отличить отсутствие контактов в узле подключения от обрыва цепи в испытуемом приборе.

Цель изобретения вЂ” улучшение контроля электрического подключения прибора к узлу подключения без использования физических свойств прибора.

Цель изобретения достигается благодаря тому, что на каждый электрод испытуемого прибора устройство содержит контрольный контакт и усилитель-формирователь, причем все усилители-формирователи включены последовательно и выходная обмотка импульсного трансформатора предыдущего усилителяформирователя через первый разделительный диод, электрод испытуемого прибора, рабочий и контрольный контакты, второй разделительный диод соединена со входом следующего усилителя-формирователя, а вход первого и выход последнего усилителей-формирователей соединены с логическим устройством.

Схема предложенного устройства приведена

5 на чертеже.

Исследуемый прибор (ИП) устанавливается в узел подключения 1. ilpu этом электроды 2 и 3 прибора замыкают рабочий контакт

4 с контрольным контактом 5, а раоочий кон1о такт 6 вЂ” с контрольным контактом 7. Логическое устройство 8 подает запускающий сигнал на вход первого усилителя-формирователя 9. С выхода усилителя-формирователя 9 сигнал через импульсный трансформатор 10, 15 разделительные диоды 11, 12, контакты 4, 5 и электрод 2 поступает на вход второго усилителя-формирователя 13. Прохождение этого сигнала возможно только при наличии электрического контакта между электродом прибора и рабочим контактом. Так же осуществляется связь между вторым 13 и третьим 14 усилителями-формирователями через разделительные диоды 15, 16, контакты 6, " и электрод 3. Наличие этой связи гарантирует электрический контакт электрода 3 с рабочим контактом 6.

Число контролирующих каскадов зависит от числа электродов у исследуемых приборов.

Сигнал с последнего (в данном случае треть30 его) усилителя-формирователя 14 поступает

473132

1, I

Составитель В. Немцова

Техред Е. Подурушина

Редактор Т. Орловская

Корректор Н. Аук

Заказ 2023/18 Изд. № 758 Тираж 902 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 на вход логического устройства, подтверждая наличие электрического контакта всех электродов прибора с рабочими контактами. Резисторы 15, 16 предназначены для задания электрического режима усилителя формирователя.

Предмет изобретения

Устройство для подключения электронных приборов к измерителю параметров, содержащее рабочие контакты и логическое устройство, отличающееся тем, что, с целью улучшения контроля электрического подключения, на каждый электрод испытуемого прибора устройство содержит контрольный контакт и усилитель-формирователь, причем все усилители-формирователи включены последо5 вательно и выходная обмотка импульсного трансформатора предыдущего усилителя-формирователя через первый разделительный диод, электрод испытуемого прибора, рабочий и контрольный контакты, второй разделитель10 ный диод соединена с входом последующего усилителя-формирователя, а вход первого и выход последнего усилителей-формирователей соединены с логическим устройством

Способ определения величины объемного заряда перехода // 465602

Зонд для измерения емкостных характеристик диэлектрических и полупроводниковых структур // 458062

Устройство для измерения кривой эффекта электромагнитного поля на поверхности полупроводников // 457941

Устройство для измерения концентрации носителей тока в полупроводниках // 456203

Бесконтактный способ измерения электрофизических параметров полупроводниковых двухслойных структур // 452793

Способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводнике мдп-структуры // 452792

Способ измерения параметров свч-транзисторов // 451027

Способ измерения параметров полупроводниковых приборов // 449322

Способ контроля качества соединений элементов конструкции полупроводниковых приборов // 446854

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Устройство для измерения толщины плоского изделия и способ его реализации // 2107257

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Способ градуировки резонансного датчика параметров эпитаксиального слоя на проводящей подложке // 2107356

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2110116

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Способ регулирования величины напряжения в открытом состоянии тиристоров и диодов // 2119211

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов

Способ контроля однородности слоев пористого кремния на монокристаллическом кремнии // 2119694

Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2120683

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Способ контроля дефектности пленок диоксида кремния на кремниевых подложках // 2127927

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349