Зонд для измерения емкостных характеристик диэлектрических и полупроводниковых структур

Авторы патента:

H01L21/66 - испытания или измерения в процессе изготовления или обработки (после изготовления G01R 31/26)

G01R31/26 - испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)

G01R1/067 - Измерение электрических и магнитных величин (измерение физических величин любого вида путем преобразования их в электрические величины см. примечание 4 к кл. G01; измерение диффузии ионов в электрическом поле, например электрофорез, электроосмос G01N; исследование неэлектрических и немагнитных свойств материалов с помощью электрических и магнитных методов G01N; индикация точности настройки резонансных контуров H03J 3/12; контроль электрических счетчиков H03K 21/40; контроль работы системы связи H04)

О П И С А Н И Е пц 4580 62

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союэ Советских

Сациалнстнческнх

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 23.01.73 (21) 1874986/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 25.01.75. Бюллетень № 3

Дата опубликования описания 12.03.75 (51) М. Кл. Н 01l 7/68

G 01r 27/26

Государственный комитет

Совета Министров СССР (53) УДК 621.382(088.8) по делам иэобретеннй н открытий (72) Авторы изобретения (71) Заявители

Л. Н. Морозов и В. А. Петров

Всесоюзная ордена Ленина академия сельскохозяйственных наук им. В. И. Ленина и Агрофизический научно-исследовательский институт (54) ЗОНД ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ЕМКОСТНЬ!Х ХАРАКТЕРИСТИК

ДИЭЛ ЕКТР ИЧ ЕСКИХ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР1

Изобретение относится к электронике и может использоваться для исследования полупроводниковых и диэлектрических структур.

В настоящее время C(V) -характеристики снимаются при помощи контактных металлических пленок, напыленных или осажденных на поверхность структуры полупроводник-диэлектрик.

Однако использование известных контактных пленок не обеспечивает контроля параметров образца до напыления в процессе обработки и невозможность снятия C(V)-характеристик в любой точке образца. Помимо этого, сам процесс напыления пленочного контакта может изменять свойства структуры, что затрудняет процесс исследования.

Целью изобретения является повышение надежности контактирования.

Для этого зонд выполнен из двух частейвЂ” втулки и полусферы с гибким элементом, шарнирно крепящим ее относительно нижнего торца втулки.

На чертеже приведена схема конструкции зонда.

Зонд для измерения емкостных характеристик диэлектрических и полупроводниковых структур содержит полусферу 1, втулку 2 и гибкий элемент 3, соединяющий полусферу 1 и втулку 2.

Зонд работает следующим образом, При опускании зонда на поверхность образца 4 прижимающая втулка 2 начинает оказывать давление на нижнюю часть. Если плоскость образца не параллельна плоскости гра5 ни зонда (см. чертеж), то его полусферическая часть начинает поворачиваться относительно втулки 2 до тех пор, пока плоская грань не прижмется к поверхности образца 4.

При этом гибкий элемент 3 несколько дефор10 мируется.

После проведения измерений зонд поднимают и передвигают на другое место. Посколь ку элемент 3 сделан из пластичного материа15 ла, то нижняя часть зонда при передвижении остается в положении, которое придано ей давлением втулки 2. Это свойство системы позволяет определять расстояние перемещения плоской грани зонда с большой точ20 н остью.

Предложенная конструкция зонда имеег преимущества перед известной, в которой используется жидкая поверхность, контактирующая с образцом. Устранено влияние вибраций

25 на емкость. Передвижение зонда можно проводить с значительно большей точностью. Используя различные материалы для изготовления зонда можно проводить исследования

C(V)-характеристик и других параметров об30 разца практически при любых температурах.