Элемент памяти

Авторы патента:

G11C11/08 - многодырочных, например трансфлюксоров пластин с несколькими отдельными многодырочными элементами памяти (G11C 11/10 имеет преимущство; использование пластин с несколькими отверстиями, в которых каждое отверстие образует отдельный элемент памяти G11C 11/06)

I»I474849

О П И С А Н "И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (G1) Зависимое от авт. свидетельствавЂ” (22) Заявлено 09.03.73 (21) 1891974/18-24 с присоединением заявки J¹â€” (32) ПриоритетвЂ”

Опубликовано 25.06.75. Бюллетень ¹ 23 (51) М. Kë. 6 11с 11/08

Тосударственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 681.327.66 (088.8) Дата опубликования описания 21.10.75 (72) Автор ы

НЗО,PeI eН ЛЯ

Ю. В. Остапенко, Ю. П. Панев, В. А. Степанов и Ю. С. Яковлев (71) Заявитель Ордена Ленина институт кибернетики АИ Украинской CCP (54) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ

ИзобреTBHIHc относится к вычислительной те.ыике и может быть использовано в запоминающ их устройствах.

Известный элемент памяти, содержащий слои ферраматнитного материала, числовую 5 птину .считывания и выходную шину, расположенные параллельно и .разделенные слоем изоляционного материала, а также числовую к разрядную IIIHiHbI записи, расположенные параллельно и разделенные слоем изоляцн- 10 онного .материала, характеризуется сложностью ToxHOJIoIlHIH изготовления из-за большого количества слоев, расположенных один над други м.

Цель изобретения вЂ” упрощение теюнологии изготовления элемента памяти.

Это достелгается тем, что числовая шина засвиси,и разрядная ши на запиаи, числовая пинна считывания и выходная шина попарно обхвачены слоями изоляционнаго материала, поверх кото рых расположены сло и ферромагнитного материала, между слоя м и ферромагнитного материала расположен заполнитель, прлчем оба слоя ферромагнитного матер нала вместе с заполнителем обхвачены оощим слоем ферромагнитного материала, толщина которого равна толщ ине слоев фер ромагнитного материала, обхватьпвающих каждую пару .шин.

Предлагаемый элемент памяти, по сравчению с известным, проще по технологи и,изгоговления, так каK содержит меньшее число слоев, расположенных один .над другим.

На фиг. 1 представлена кон "труктивная схема предлагаемого элемента памяти; на фиг. 2 вЂ” диаграмма изменения наматниченности участков магн|итопровода элемента памяпи; на фланг. 3 вЂ” временная диаграмма его работы.

Устройство состоит из разрядной шины 1 записи, числовой шины 2 записи,,расположенной под шиной 1 и отделенной от нее изоляционным слоем 3, выходной шины 4, числовой шины 5 считы ва нация, расположенной под выходной шиной 4 и отделенной от нее изоляционным слоем б, изоляционных слоев 7 н 8, обхватывающих соответственно, пары IIIIHH 1, 2,и 4, 5, слоев

9 и 10 ферромагнитного,материала, расположенных поверх изоляционных слоев 7 и 8 соответственно, заполнителя П, общего слоя ферроматнитного:материала 12. Заполнитель

11 расположен между слоями 9 и 10 и служ ит для нанесения общего слоя 12 ферромагнитного материала. Слой 12 является общим, магнитным слоем для всего элемента ,памяти, расположен на слоях 9, 10, заполнителе 11 и обхватывает Hx. Толщины слоев 9.

10 и 12 равны. Площади сечений, перемычек

474849

1 2 5 а и d одинаковы и в два раза больше площадей сечений каждой из перемычек b, с, е, f.

Устройство работает следующим образом.

Пу» считывании информации по числовой шине 5 считывания подают импульс тока считызан ня I,„. При этом перемычка (фнг. 1, 2) из размагничеиного состояния (фиг. 2, б) намагничивается до насыщения в направлении, по казанном на фиг. 2, в. Согласно закону непрерывности магнитного потока, магнитный поток геремычки а замыкается через перемычку с, намагнмченность которой изменилась на противоположную.

Намагниченность остальных перемычек осталась прежней. В результате изменения намагниченности перемычки Ы п р и действ ни тока I „в выходной шине 4 индуктируется

:выходной оипнал «1». Если элемент памяти находится в исходном состоянии «0» (фиг.

2, а), то .под действием тока считываиия нама гниченность всех перемычек не изменяется, и ia выходной шине оигнал отсутствует (фиг.

2, в, фнг. 3).

При записи «1» в числсвую ш"гну 2 записи по око нчании установления состояния намагниченности (фиг. 2, в) подают импульс тока запиои 1 „, который,перемат ничивает пе ремычку а. В результате магнитный поток пееемыч ки а замыкается через перемычки b, с, е; пе ремычка d размагничивается (фиг.

2, д). После установки состояния (фиг. 2, д) в разрядную BIBну 1 записи подают импульс тока установки 1,,„., который меняет направле)н ие .потоков;в перемычках а, К с, е, f на обратное. Перемычка d при этом остается размагниченной (фиг. 2, ж).

При записи «0» в числовую шину 2 записм подают .ток записи 1„. Одновременно в разрядную штину 1 записи, подают импульс тока запрета I»», Поля этнх токов напразлены встречно, так что суммарное магнитное поле, воздействующее на перемычку а, равно нулю. При этом намагниченности в сех перемычек .не меняются (фиг. 2, г). Ток установки подают в шину 1 после тока запрета, и он только подтверждает предыдущее еостояние (фиг. 2, е).

Предлагаемый элемент памяти:имеет однооторон нее огра н ичение уп равляющих токов (по минимуму), что указывает на его высокую фун кц ио!нальную надежность. Предмет изобретения

Элемент памяти, со держащий слои ферромагнитного матерниада, числовую шину считывания и выходную шину,,расположенные ,па р аллель но и ip азделенные,слоем,изоля ционного .материала, а также числовую,и разрядную ш ины записи, ра сположенные па рал25 лельно и разделенные слоем изоляционного материала, отличающийся тем, что,с целью упрощения технолопни .изготовлен ия элемента, в .нем числовая .шина записки и разрядная ши на записи, числовая ши на считыва ния и

30 выходная шина попарно охвачены слоями изоляционного матергиала, IIQHBpx которых расположены слои ферромапнитного материала; между слоя ми фе рромагн итного материала расположен заполнитель, причем оба слоя з5 ферромагнитного материала вместе с заполнителем охвачены обшарим слоем ферромагнитного материала, толщина которого равна толщи не слоев ферроьмагнитного материала, охватываюш их каждую пахру шин.

474849

Исхооное состояние„О

Исходное состояние„1

4, Ъ з

I gem

3vcm у

Риг Г

1 читы ание, чищы5анив 3«/ gem а

Й ыл

Составитель В Степанов

Текред E. Подурушина

Редактор А. Батыгин