Многоуровневый запоминающий элемент

 

О П И С A H H Е (ii) 4874I8

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. св дстсльства (22) Заявлено 26.12.73 (21) 1980782/18-24 (51) М. Кл. 6 11с 11/08 с присоединением заявки М

Государственный комитет (32) Приоритет

Опубликовано 05.10.75. Бюллетень М 37

Дата опубликования описания 16.02.76

Совета Министров СССР по делам изобретений (53) УДК 681.327.66 (088.8) и открытий (72) Авторы изобретения

Е. Е. Владимиров, В. Г. Корчагин, Л. М. Хохлов, Е. П. Балашов и A. О. Тимофеев (71) Заявители

Государственное союзное конструкторско-технологическое бюро по проектированию счетных машин и Ленинградский ордена Ленина электротехнический институт им, В. И. Ульянова (Ленина) (54) МНОГОУРОВНЕВЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

Предлагаемое изобретение относится к области вычислительной техники, в частности к запоминающим элементам и может применяться в цифровых дифференциальных анализаторах (ЦДА), в ряде устройств ЦВМ с десятичной системой счисления, а также в преобразователях прямого двоично-десятичного кода 8 — 4 — 2 — 1 в десятиуровневый код.

Известны многоуровневые запоминающие элементы (МЗЭ), выполненные на интегральных числовых линейках с двумя отверстиями на разряд, сечения перемычек которых между отверстиями каждого разряда равны друг другу и в два раза меньше сечения перемычек между отверстиями соседних разрядов.

Однако эти элементы не позволяют преобразовывать двоично-десятичный код 8 — 4 — 2—

1 в десятиуровневый код, что значительно сужает их функциональные возможности и область применения.

Цель изобретения — расширить область применения известного запоминающего элемента.

Поставленная цель достигается тем, что шина первого разряда прошита встречно через оба отверстия первого разряда, шина второго разряда прошита через второе отверстие одноименного разряда, шины третьего и четвертого разрядов прошиты согласно через соответствующую пару отверстий одноименных разрядов, выходная обмотка прошита встречно через вторые отверстия всех разрядов н через первые отверстия третьего и четвертого разрядов, причем через оба отверстия четвертого разряда она прошита дважды, а обмотка

5 считывания прошита последовательно через ряд первых и ряд вторых отверстий всех разрядов в одном направлении через отверстия нечетных разрядов и в обратном направлении через отверстия четных разрядов.

10 На фиг. 1 изображен многоуровневый запоминающий элемент; на фпг. 2 — магнитные состояния его перемычек.

На фиг. 1 приняты следующие обозначения: интегральная числовая ферритовая линейка с

15 четырьмя парами отверстии 1; первые отверстия, соответствующие первому, второму, третьему и четвертому разрядам 2 — 5; вторые отверстия, соответствующие первому, второму, третьему и четвертому разрядам 6 — 9;

20 обмотка считывания 10; шины первого, второго, третьего и четвертого разрядов 11—

14; выходная обмотка 15; элементарные перем ыч ки П 1 — ПЗ.

Интегральная числовая феррптовая лпней25 ка 1, содержащая первые 2 — 5 и вторые 6 — 9 отверстия соответственно первого, второго, третьего и четвертого разрядов, прошита встречно через ряд первых отверстий 2 — 5 и ряд вторых отверстий 6 — 9 обмоткой считыва30 ния 10. Шина первого разряда 11 прошита

487418 7 Х 7 у уъ

15 ф„, ф,, ф„ Ф,.— О и закона полного тока

7 аУлицо 3 встречно через первое 2 и второе 6 отверстия первого разряда, шина второго разряда 12 прошита через второе 7 отверстие второго разряда, а шина третьего и четвертого разрядов прошиты согласно через одноименные отверстия 3, 8 и 5, 9 третьего и четвертого разрядов. Выходная обмотка 15 прошита встречно через отверстия 6 — 9, 5 и 3, причем через отверстия 5 и 9 дважды.

В предлагаемом многоуровневом запоминающем элементе используются пять из шести возможных устойчивых состояний элементарного участка этого элемента, содержащего одну пару отверстий любого разряда.

На фиг. 2 показаны пять устойчивых состояний, обозначенные буквами а, b, с, d u f. Наличие максимального потока через любую элементарную перемычку показано двумя стрелками, направленными в одну сторону, а поток, равный нулю,— стрелками, направленными в противоположные стороны. За положительное направление потока берется направление «слева направо» по фиг. 2, а за отрицательное — противоположное.

Входные сигналы обозначены: 5, — сигнал первого разряда; S2 — сигнал второго разряда; S — сигнал третьего разряда; S; — сигнал четвертого разряда; S> — сигнал считывания.

Для указанных пяти устойчивых состояний в соответствии с фиг. 1 дается таблица ¹ 1 переходов из одного состояния в другое под действием входных сигналов S< — 5,-,.

Щд Я я л

При определении весов разрядов ЧЗЭ дается поразрядная таблица переходов (таблица 2).

Через Ф„„обозначается максимальный

2,1 начальный магнитный поток через i-ую элементарную перемычку; Ф„„— максимальный конечный магнитный поток через t-ую элементарную перемычку.

Взяв отношение приращения максимального магнитного потока в -ой перемычке Ф„„- — Ф к максимальному потоку в 1-ой перемычке получают относительное приращение магнитного потока в данной перемычке:

Из таблицы 1 и 2 с учетом непрерывности мапштного потока составляют таблицу выходов табл. 3, в котороН Лдь Aspic и Л рз являются относительными

-15 приращениями потоков соответственно в первой, второй и третьей перемычках.

487418

/72

rr

73.

77 75

Ф т/г. 7 а о С г/ 1

СОООО

DOG OD

Фиг 2

Составитель Е. Владимиров

Текред Н. Хансена

1,орректор 3. Тарасова

Редактор В. Фельдман

Заказ 45/! Изд. ¹ 71 Тираж 648 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открыпш

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

МЗЭ, основанный на принципе суммирования элементарных приращений магнитных потоков, работает в два такта. За исходное состояние МЗЭ принимают совокупность состояний четырех элементарных участков, установившихся под действием сигнала считывания

:зз. Тогда элементарные участки первого и третьего разрядî; устанавливаются в состояние а, а элементарные участки второго и четвертого разрядов устанавливаются в состояние b.

В первом такте на шины 11 — 14 МЗЭ в зависимости от входной информации, представленной в прямом двоичном коде 8 4 2 — 1, поступят те или иные сигналы Sy — з„которые установят элементарные участки в состояния, соответствующие таблице 2. Во втором такте поступит сигнал считывания S5, который перемагнитит элементарные участки МЗЭ в состояния, определяемые таблицей 3, в результате этого на выходной обмотке элемента H".ведется сигнал э.д.с., пропорциональный cv«.,марному приращению потоков, определяющий то или иное значение десятиуровневого числа.

Предмет изобретения

Многоуровневый запоминающий элемент, выполненный на интегральной числовой ферритовой линейке с двумя отверстиями на разряд, сечения перемычек которой между отверстиями каждого разряда равны друг другу и в два раза меньше сечения перемычек между отверстиями соседних разрядов, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью расширения области применения, шина первого разряда прошита встречно через оба отверстия первого разряда, шина второго разряда прошита через второе отверстие одноименного разряда, шины третьего и четвертого разрядов прошиты

15 согласно через соответствующую пару отверстий одноименных разрядов, выходная обмотка прошита встречно через вторые отверстия всех разрядов и чсрез первые отверстия третьего и четвертого разрядов, причем через оба

20 отверстия четвертого разряда она прошита дважды, а обмотка считывания прошита последовательно через ряд первых и ряд вторых отверстий всех разрядов в одном направлении через отверстия нечетных разрядов и в обрат25 ном направлении через отверстия четных разрядовв.

Многоуровневый запоминающий элемент Многоуровневый запоминающий элемент Многоуровневый запоминающий элемент 

 

Похожие патенты:
Наверх