Магнитный запоминающий элемент

Авторы патента:

G11C11/08 - многодырочных, например трансфлюксоров пластин с несколькими отдельными многодырочными элементами памяти (G11C 11/10 имеет преимущство; использование пластин с несколькими отверстиями, в которых каждое отверстие образует отдельный элемент памяти G11C 11/06)

о и и и-унт

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сею Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 16.04.74 (21) 2015344/18-24 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 15.01.76. Бюллетень № 2

l51) М. Кл G 11С 11/08

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений

H OTKPblTHN (53) УДК 681.327.66 (088.8) Дата опубликования описания 07.04.76 (72) Авторы изобретения

А. И. Водяхо, А. П. Жмакин и А. О. Тимофеев

{71) Заявитель

Ленинградский ордена Ленина электротехнический институт им. В. И, Ульянова (Ленина) (54) МАГНИТНЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

Предложенное изобретение относится к области вычислительной техники и предназначено для использования в запоминающих устройствах с неразрушающим считыванием информации, работающих на принципе координатной выборки информации.

Известен магнитный запоминающий элемент, содержащий ферритовую пластину с большим крайним и двумя малыми отверстиями, расположенными вдоль оси симметрии пластины и разделенными равными по сечению перемычками, координатные обмотки и выходную обмотку, причем одна из координатных обмоток прошита через большое крайнее и центральное отверстия в противоположных направлениях, а выходная обмотка прошита через малое крайнее отверстие.

К недостаткам известного элемента относится то, что пересечение двух координатных обмоток в одном отверстии усложняет процесс монтажа накопителя, приводит к необходимости тщательного контроля за изоляцией обмоток в аппаратуре, работающей в условиях вибрации. Кроме того, элемент не позволяет считывать информацию без ее разрушения.

Целью изобретения является расширение области применения известного магнитного запоминающего элемента.

Поставленная цепь достигается путем того, что элемент содержит вторую координатную обмотку, прошитую через малое крайнее отверстие.

На фиг. 1 изображен предложенный запоминающий элемент; на фиг. 2 вЂ” временная диаграмма работы элемента; на фиг. 3вЂ” граф переходов элемента.

Магнитный запоминающий элемент содержит ферритовую пластину 1 с отверстиями 2, 3, 4, причем отверстие 2 больше двух других, разделенными равными по сечению перемычками 5, 6, 7, 8, координатные 9, 10 и выходную

11 обмотки. Первая координатная обмотка 9 проходит через большое крайнее отверстие 2 и центральное отверстие 3 в противоположных направлениях, вторая координатная обмотка

10 так же, как и выходная обмотка 11, проходит через малое крайнее отверстие 4.

Магнитный запоминающий элемент работает следующим образом.

Запись «О» происходит при совместном действии токов положительной полярности

I+/ I в координатных обмотках 9 и 10 (фиг. 2 б). Состояни «О» характеризуется на25 магниченностью «вверх» перемычек 5 и 7, «вниз» вЂ” перемычек 6 и 8 (фиг. 3, а). Запись

«1» происходит за два такта (фиг, ." а). В первом такте на элемент одновременно действуют токи отрицательной полярности 1, Л, 1

30 проходящие по координатным обмоткам 9 и

499585

--12

Фиг. 1 фиг. Я

„0

Составитель Ю. Розенталь

Редактор Б. Нанкина

Техред Е. Подурушина

Корректоры: А. Галахова и В. Брыксина

5i .,1

Типография, пр. Сапунова, 2

10. Элемент, независимо от предыдущего состояния, переходит в состояние «1П» (фиг.

3 в). Во втором такте в обмотку 10 подается ток положительной полярности I . М.д.с. этого тока намагничивает зону вокруг отверстия

4 по часовой стрелке. Элемент переходит в состояние «1» (фиг. 3 б).

Неразрушающее считывание информации происходит в два такта (фиг. 2 в). В первом такте в обмотку 9 подается ток положительной полярности I, стремящийся перемагнитить перемычку 6 «вниз». Если элемент находился в состоянии «О», то его состояние не меняется. Если элемент находился в состоянии «I», то произойдет реверсирование потока в перемычках 6 и 8, и в выходной обмо",ке 11, охватывающей перемычку 8, наведегся э.д.с. считывания «1». Элемент перейдет 1 состояние «1Р» (разрушенная «1», фиг. 3 г).

Во втором такте подачей тока 1, пли 1 - элемент возвращается в состояние «1». Прп этом в выходной обмотке 11 наводится э.д.с. противоположной, по сравнению с э.д.с. в первом такте, полярности, Из приведенного описания вид: о, что вторую координатную обмотку 10 можно проложить вдоль той же координаты, что и выходную обмотку 11, и даже объединить их в одну обмотку, что существенно упрощает технологичность прошивки накопителя. Отсутствие пересечения координатных обмоток в одном отверстии увеличивает надежность работы элемента в условиях динамических нагрузок.

Все вышесказанное, а также возможность неразрушающего считывания информации расширяет область применения запоминающего

10 элемента.

Формула изобретения

Магнитный запоминающий элемент, содер15 жащий ферритовую пластину с большим крайним и двумя малыми отверстиями, расположенными вдоль оси симметрии пластины и разделенными равными по сечению перемычками, координатные обмотки и выходную об20 мотку, причем одна из координатных обмоток прошита через большое крайнее и центральное отверстия в противоположных направлениях, а выходная обмотка прошита через малое крайнее отверстие, отличающийся

25 тем, что, с целью расширения области применения, он содержит вторую координатную обмотку, прошитую через малое крайнее отверстие.

Заказ 513/18 Изд. № 1027

Тираж 723 Подписное

ЦНИИПИ

Государственного комитета

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5