Устройство для измерения электрических параметров полупроводниковых приборов на лентоносителе

 

йп 480144

ОП ИСАН И Е

ИЗОЬРИТЕНИя

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт, свид-ву (22) Заявлено 16.07.73 (21) 1943040i26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 05.08.75. Бюллетень № 29

Дата опубликования описания 16.11.75 (51) М. Кл. Н Oll 7/68

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений н аткрытмй (53) УДК 621.382(088.8) (72) Авторы изобретения В. Ф. Ушаков, А. И. Пергунов, А. И. Орлов и Б. И. Симакин (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ

ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

НА ЛЕНТОНОСИТЕЛЕ

Изобретение относится к средствам контроля параметров в электронике. Оно может быть использовано для измерения электрических параметров полупроводниковых приборов при двустороннем расположении корпусов относительно лентоносителя.

Известно устройство контроля, содержащее зондовую головку, неподвижно установленную на корпусе, подвижный предметный столик и механизм маркировки, расположенный за пределами устройства. Недостаток этого устройства состоит в том, что при подъеме предметного столика лентоноситель за счет натяжения деформируется, при этом возможно повреждение внутренних выводов полупроводниковых приборов.

Рычажный механизм подъема предметного столика усложняет конструкцию, делает устройство неудобным в обслуживании и, кроме того, совмещенное расположение зондовой головки и механизма подъема исключает возможность установки механизма маркировки в корпусе устройства, что приводит к увеличению габаритов.

В предложенном устройстве указанные недостатки устранены благодаря тому, что устройство снабжено П-образным упором, установленным в пазу предметного столика и периодически подпирающим контактные пло2 щадки выводов полупроводниковых приборов снизу в момент контактирования.

На фиг. 1 показано предложенное устройство, общий вид; на фиг. 2 — расположение

ii-образного упора относительно лентоносителя с полупроводниковым прибором, разрез по

А — А на <риг. 1; на фиг. 3 — устройство контактирования с ii-образным упором.

Устроиство для измерения электрических параметров полупроводниковых приооров содержит корпус i, по направляющим 2 которого от электромагнитного привода 3 перемещается вертикально к позиции измерения держатель зондовой головки 4 с контактными щупами 5. На держателе зондовой головки неподвижно установлен профильный кулачок 6.

Предметный столик 7 выполнен с вырубным штампом 8. В столике 7 имеется паз 9 для прохода контролируемого прибора, а перпендикулярно ему — паз 10, в котором по шаровым опорам 11 перемещается П-образный упор 12 (фиг. 2), соединенный с рычагом 13 через толкатель 14, взаимодействующий с профильным кулачком 6. Рычаг 13 подпружинен к корпусу посредством пружины 15 (фиг. 3) .

Для зажима и фиксации лентоносителя в определенном положении на позиции измерения полупроводникового прибора в устройстве используются два механизма зажима.

480144

Устройство работает следующим образом.

При включении привода перемещения лентоносителя — шагового механизма (на чертежах не показан) полупроводниковый прибор с двусторонним расположением корпуса относительно лентоносителя перемещается по пазу 9 предметного столика 7 к позиции измерения. Одновременно срабатывает электромагнитный привод 3, и держатель зондовой головки 4 по направляющим 2 движется также к позиции измерения. При своем движении держатель зондовой головки 4 профильным кулачком 6 взаимодействует с толкателем 14 рычага 13, и последний, растягивая пружину 15, перемещает по пазу 10 П-образный упор 12, обеспечивая тем самым подпор снизу контактных площадок выводов. После этого происходит контактирование щупов 5 зондовой головки с контактными площадками выводов полупроводникового прибора.

После контроля прибора в случае выявления брака по сигналу измерителя механизм маркировки 8 осуществляет вырубку бракованного корпуса, оставляя в целостности лентоноситель. Затем зондовая головка отводится вверх, освобождается толкатель 14 рычага 13, и пружина 15 возвращает П-образный упор 12 в исходное положение, освобождая паз 9 для прохода нового прибора. В случае годности прибора маркировочный механизм

5 не срабатывает.

Предмет изобретения

Устройство для измерения электрических и параметров полупроводниковых приборов на лентоносителе, содержащее корпус, в котором размещен держатель с зондовой головкой, число контактирующих щупов которой соответствует числу выводов прибора, предмет15 ный столик и механизм маркировки, выполненный в виде вырубного штампа, от ли ч аю щ е е с я тем, что, с целью упрощения устройства и исключения механического повреждения выводов, оно снабжено П-образным

2Э упором, установленным в пазу предметного столика на позиции измерения, соединенным с приводом держателя зондовой головки посредством подпружиненного рычага, толкатель которого взаимодействует с неподвиж25 ным профильным кулачком, установленным на держателе зондовой головки, 480144

ЧЬг Я иг 3

Составитель Н. Островская

Редактор Т. Орловская Техред Т. Курилко Корректор Т. Добровольская

Заказ 2806/16 Изд. № 947 Тираж 833 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 5К-35, Раушская паб., д. 4/5

Типография, пр. Сапчнова. 2

Устройство для измерения электрических параметров полупроводниковых приборов на лентоносителе Устройство для измерения электрических параметров полупроводниковых приборов на лентоносителе Устройство для измерения электрических параметров полупроводниковых приборов на лентоносителе 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх