Запоминающее устройство

 

ОП ИС

ИЗОБРЕТЕНИЯ

It i) 488257

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 13.04.73 (21) 1907765/18-24 с присоединением заявки М (32) Приоритет

Опубликовано 15.10.75. Бюллетень Ме 38

Дата опубликования описания 23.01.76 (51) М. Кл. 6 llс 11/22

Государственный комитет

Совета Министров СССР ло делам изобретений и открытий (53) УДК 681 327.66 (088.8) (72) Авторы изобретения

К. Г. Самофалов и Я. В. Мартынюк

Киевский ордена Ленина политехнический институт им. 50-летия Великой Октябрьской социалистической революции (71) Заявитель (54) ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Известно запоминающее устройство, содержащее подложку, соединенную с сегнетоэлектрической пластиной, на которой расположеHbI числовые, общие и разрядные электроды, образующие совместно с участками сегнетоэлектрической пластины запоминающие элементы и объединенные соответствующими проводящими полосками в числовые, общие и разрядные шины.

Недостатками известного устройства являются невысокое быстродействие, малая .информационная емкость и низкая помехозащищенность.

Описываемое устройство отличается от известного тем, что в подложке параллельно разрядным шинам выполнены пазы по количеству разрядов устройства.

При этом целесообразно сечение участков пластины между запоминающими элементами выбрать больше сечения пластины в местах расположения запоминающих элементов.

Указанные отличия позволяют увеличить помехозащищенность, информационную емкость и быстродействие устройства.

На фиг. 1 представлено схематически предлагаемое запоминающее устройство; на фиг.

2 — отдельный запоминающий элемент устройства.

Устройство (см. фиг. 1) содержит сегнетоэлектрическую пластину 1 с нанесенными на ее поверхности числовыми 2, общими 3 и разрядными 4 электродами. При этом электроды могут иметь различные расположения, что определяется конструктивными особенностями устройства. В частности, электроды расположены на обеих поверхностях пластины. Причем на нижнюю нанесены числовые электроды

2, которые в пределах каждого адреса объединены проводящими полосками в числовые шины 5. Общие электроды 3 (по два на каждом элементе) нанесены на верхнюю поверхность пластины, которые также проводящими полосками объединены в общие шины 6. Числовые и общие шины образуют систему пересекающихся между собой шин. На верхнюю поверхность параллельно общим электродам

3 нанесены и разрядные электроды (также по два на каждый элемент) по обе стороны от общих. Эти электроды параллельно общим

20 шинам объединены в разрядные шины 7.

Электроды 3 могут быть нанесены и на одну поверхность с электродами 2 и объединены в шины, параллельные числовым шинам. Электроды 2, 3 и 4 и расположенные между ними

25 участки пластины составляют отдельные запоминающие элементы. Причем участки пластины между собственно числовыми 2 и общими

3 электродами являются секциями возбуждения, а участки между общими 3 и разрядны30 ми электродами — генераторными секциями.

488257

В данном устройстве геператорные секции запоминающих элементов поляризованы жестко продольно и в противоположных по отпошен IIo к электродам направлениях (на фиг. 2 направления поляризации показаны стрелками

8). Секции возбуждения каждого запоминающего элемента по отношению к электродам имеют одинаковые направления поляризации, причем поляризация этих участков может иметь то или иное направление, которое задается при записи информации. Пластина 1 на участках между запоминающими элементами, между разрядными электродами соседних элементов механически жестко соединена с подложкой 9. На фиг. 1 эти участки отмечены штрих-пунктирными линиями 10 и механически не связаны с подложкой на участках расположения запоминающих элементов.

Последнее достигается тем, что в подложке 9 параллельно разрядным шинам 7 выполнены пазы 11. При этом сечение участков 12 пластины 1 между запоминающими элементами больше сечения пластины в местах 13 расположения запоминающих элементов.

Устройство работает следующим образом.

Запись информации в устройстве осуществляется путем приложения частей напряжений записи к числовым 5 и общим б шинам.

При этом участки сегнетоматериала пластины

1 между числовыми 2 и общими 3 электродами выбранного числа поляризуются так, что устанавливаемые направления поляризации соответствуют коду записываемого числа, так как к электродам выбранного числа прикладываются напряжения, разность между которыми по величине и знаку обеспечивает соответствующую переполяризацию участков. В остальных запоминающих элементах поляризация участков между числовыми и общими электродами остается неизменной, так как прикладываемые к ним разности напряжений по величине являются недостаточными для изменения спонтанной поляризации участков сегнетоматериала.

В режиме считывания информации все общие шины б подключаются к общей точке устройства. При этом на выбранную числовую шину 5 подается импульс напряжения считывания, амплитуда и длительность которого выбирается таким образом, что действие импульса не приводит к изменению спонтанной поляризации, а следовательно, не приводит и к разрушению записанной информации. Под действием импульса считывания участки пластины 1 между соответствующими числовыми и общими электродами деформируются. Эта деформация передается на участки материала между разрядными 4 и общими 3 электродами. В результате прямого пьезоэффекта на симметричных разрядных шинах 7 появляются импульсы напряжения. Импульсы на обеих разрядных шинах в каждом разряде имеют противоположные полярности. Разнополярность импульсов определяется противоположным соотношением заданных направлений поляризации участков сегнетоматериала, расположенных между разрядными, общими и числовыми электродами по обе стороны от каж20 дого числового электрода. А полярность импульсов на каждой разрядной шине определяется направлением поляризации участков сегнетоматериала между числовыми .и общими электродами, т. е. записанной информацией, 25 так как в данном случае поляризация участков между разрядными и общими электродами фиксирована и установлена при изготовлении устройства.

30 Предмет изобретения

1. Запоминающее устройство, содержащее подложку, соединенную с сегнетоэлектрической пластиной, на которой расположены числовые, общие и разрядные электроды, образу35 ющие совместно с участками сегнетоэлектрической пластины запоминающие элементы и объединенные соответствующими проводящими полосками в числовые, общие и разрядные шины, отличающееся тем, что, с целью

40 увеличения помехозащищенности, информационной емкости и быстродействия устройства, в подложке параллельно разрядным шинам выполнены пазы по количеству разрядов устройства.

45 2. Запоминающее устройство по п. 1, о т л ич а ю щ е е с я тем, что сечение участков пластины между запоминающими элементами больше сечения пластины в местах расположения запоминающих элементов, 488257,3 15 Ф 5 2

Составитель В, Рудаков

Техред М. Семенов

Редактор Б. Нанкина

Корректор А. Дзесова

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 3382/13 Изд. № 1900 Тираж 648 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5