Способ выращивания монокристаллов бестигильной зонной плавкой

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

И АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свнд-ву (22) Заявлено 08.04.74 (21) 2013110/23-26 с присоединением заявки №

J (23) Г1риорнтет-— (51) М. Кл. В Olj 17/10

Гасударственный иомнтет

6оввта Министров СССР па делам изобретений и открытий (43) Опубликовано 25.12.75, Бюллетень № 47 (53) УДК 669.046-172 (088.8) (46) Дата опубликования описанняО3.03.76 (72) Авторы изобретения Н И. Полторацкий, Е. Д. Хархардин и Г. А. Рымашевский (71) Заявитель (64) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

БЕСТИГЕЛЬНОЙ ЗОННОЙ ПЛАВКОЙ

Изобретение касается получения монокристаллов преимущественно тугоплавких

О металлов и их сплавов и тугоплавких соединений и может быть использовано при выра-, щивании монокристаллов бестигельной зонной плавкой.

Известен способ выращивания монокристаллов бестигельной эонной плавкой спрес-, сованной заготовки с плотностью, меньшей теоретической, 10

Однако спрессованные заготовки содержат газовые, примеси, удаление которых в процессе зонной плавки полностью не происходит, в связи с чем получаемые монокристаллы имеют высокую плотность дисло- 15 каций (10 см )

6-2

Бель изобретения - уменьшение содержания газовых примесей в получаемых монокристаллах и снижение в результате этого плотности дислокаций.

Для этого бестигельной зонной плавке подвергают заготовку иэ чередующихся по плотности участков с высотой более плот ных участков, превышающих высоту менее 25 плотных, при поддержании высоты эоны, созданной на участке с большей плотностью, меньшей высоты более плотных и большей высоты менее плотных участков, При вырашивании монокристаллов предлагаемым способом целесообразно использовать заготовки из участков с плотностью

90% и 40-60% от теоретической, с высотой более плотных участков, равной 1,5высоты зоны, высотой менее плотных участ ков 0,75 высоты эоны, с легкоиспаряюшимся наполнителем в порах менее плотных участков и с порами, ориентированными преимушественно в радиальном направлении.

Пример. Выращивают монокристалл карбида ниобия. Заготовку диаметром 8-12 мм укрепляют вертикально в камере установки для индукционной бестигельной зонной плавки; заготовка состоит из участков с плотностью 90% и 53% от теоретической, высота плотных участков - 8 мм, менее плотных - 5 мм. Расплавленную зону создают на более плотном участке, высота зоны 6 5 мм. Процесс ведут в условиях давления инертного газа в камере 2 ати, пе496044

° .4

Составитель T,ôHp.<ùä

Техре дИ.Карандашова 1(орректор 1 „ .Йенискина

Р рН.О,„, бЖ Изд. Рй Щ Тираж 732

ЦНИИПИ Государственного комитета С М овета ннистров СССР но делам изобретений и открытий

Москва, 113035, Раушская наб., 4

Предприятие сПатент», Москва, Г-59, Бережковская наб., 24

Заказ. 3 ремешая зону вверх вдоль оси заготовки со скоростью 0,43 ммlмин. В конце прохода зону фиксируют на границе с менее

° плотным участком. Монокристалл после плавки охлаждают со скоростью 10-40оС/мин.

Плотность дислокаций". в монокристалле составляет 10 -т 10 см

3 4 -2

Предмет изобретении 10

1. Способ вырашивайия монокристаллов бестигельной зоной плавкой спрессованной ,заготовки с плотностью, меньшей теоретической, отличающийся тем, N что; с целью уменьшения в получаемых Монокристаллах газовых примесей и плотно сти дислокацйй; плавке подвергают заготов ку из чередующихся по плотности участков, высота. более плотных иэ которых превы шает высоту менее плотных, причем высоту зонъ1 созданной на участке с большей плотностью, поддерживают меньшей высоты более плотных и большей высоты менее

;. плотных участков.

2. Способ по и. 1, о т л и ч а ю ш и йс я тем, что используют заготовку с плот ностью участков 90% и 40-60% от теоре, тической, 3. Способ по п, 1, о т л и ч а ю щ и й.

Ъ с я тем, что используют заготовку с высотой более плотных участков, равной 1,5 высоты зоны и высотой менее плотных участков, равной 0,75 ее высоты.

4,Способпопп. 1, 2, 3, отлича» ю ш и и с я тем, что используют заготовку, менее плотные участки которой содержат легкоиспаряюшийся наполннтель.

5. Способ, по пп. 1, 2, 3, 4; о т л ич а ю ш и и с я тем, что используют заготовку с порами, ориентированными преимущественно в радиальном направлении.

Способ выращивания монокристаллов бестигильной зонной плавкой Способ выращивания монокристаллов бестигильной зонной плавкой 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области технической химии, катализаторам окисления СО, углеводородов и других веществ отходящих газов промышленных производств, а также к катализаторам, предназначенным для сжигания топлив

Изобретение относится к катализаторам на основе перовскитов для процесса окисления аммиака

Изобретение относится к способу регенерации катализатора димеризации и содимеризации низших олефинов и может быть использовано в нефтехимии

Изобретение относится к цеолитсодержащим катализаторам превращения алифатических углеводородов C2-12 в высокооктановый компонент бензина или концентрат ароматических углеводородов и способу его использования

Изобретение относится к цеолитсодержащим катализаторам превращения алифатических углеводородов C2-12 в высокооктановый компонент бензина или концентрат ароматических углеводородов и способу его использования

Изобретение относится к цеолитсодержащим катализаторам превращения алифатических углеводородов C2-12 в высокооктановый компонент бензина или концентрат ароматических углеводородов и способу его использования

Изобретение относится к нефтепереработке, в частности к способам приготовления катализаторов, предназначенных для использования в гидрогенизационных процессах при гидроочистке нефтяных фракций

Изобретение относится к нефтепереработке, в частности к способам приготовления катализаторов, предназначенных для использования в гидрогенизационных процессах при гидроочистке нефтяных фракций
Наверх