Способ пайки контактов

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (1Ц 527039

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свнд-ву (22) Заявлено 19.11.74 (21) 2077504 27 (51) М. Кл."- Н 05К 3, 34

В 23К 1/00 с присоединением заявки Л

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изобретений н открытий (23) Приоритет

Опубликоьано 30.08.76. В!Оллете1!ь 6 32

Дата опубликования описания 08.09.76 (53) УДК G25.791.3 (088.8) (72) Авторы изобретения

О. В, Знаменский, А. Е. Сы1ев и H. П. Нефедкин (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПАЙКИ КОНТАКТОВ

Изобретение относится к области пайки, в частности к способу пайки контактов многослойных микросхем.

Известен cIIocoo пайки контактов, включающий покрытие контактов припоем, совмещение их с подложками с приложением переменного давления (1).

Однако этим способом невозможно получить качественное паяное соединение, особенно при испо.!ьзовании припоев с малой активностью и большой способностью к окислению.

Цель изобретения — повышение качества паяного соединения.

Для этого давление сначала повышя1от до

10 — 30 кг/см -, затем нагревают подложки до температуры на 10 — 20 С ниже точки плавления припоя, после чего давление снижают до

0,2 — 1 кг/см, а температуру повышают до температуры пайки.

Для осуществления способа групповой пайки жесткую и гибкую подложку с распределенными по их поверхности контактами совмещают таким образом, что контакты одной подложки совпадают с контактами другой подложки. Контакты, покрытые припоем, могут представлять площадки или выступы любой формы.

Чтобы обеспечить качественное соединение контактов, гибкую подложку приж! мают и жесткой подложке, причем сжатие производят равномерно распределенным усилием IIQ всей поверхности гибкой подложки, обеспечивая тем самым их надежное соединение, нс

5 зависящее от разновысотности контактов.

Давление, сжимающее подложки, выбирается 10 — ЗО кг/см"-. которое обеспечивает пластическую деформацию припоя при температуре на 10 — 20 С ниже точки его плавле1о ния. Пластическая деформация и течение припоя на поверхности контактов обеспечивают разрушение и диспергирование окислов. способствуют вытеснению загрязнения, обнажению чистых металгп1ческпх поверхностей, а

15 также s 1!;IoòíeíII!o сл10я припое! ня контактах.

Так как этот процесс протекает при одновременном нагреве обеих подложек, его ход ускоряется в особенности прп достижении температуры, близкой к температуре плавления

20 припоя.

При достижении температуры плавления припоя образуется жидкая фаза и происходит групповая панка всех совмещенных контактов. Дальнейший нагрев до температуры ня

25 ЗΠ— 40 С выше точки плавления припоя необходим для обеспечения его хорошей жидкотекучести и смачивания поверхностей паяемых контактов. Снижсн11е давления, сжнмя10щего подложки до 0,5 — I г,см -, пр! дальнейшем

30 нагреве выше темперятурь! плавления припоя

527039

Формула изобретения

Составитель В. Плахтий

Техред В. Рыбакова

Корректор И. Позняковская

Редактор О. Юркова

Заказ !954/16 Изд. Ыз 1576 1иракк 1029 Подписки.

ЦНИИПИ Государственного комитета Со ета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4!5

Типограф и. ир Ca:. êîâ;i, 2 необходимо для уменьшения выдавливания жидкой фазы из зазора между контактами и образования прослойки припоя оптимальной толщины.

Пример. Производится групповая пайка контактов из меди толщиной 30 мкм, сформированных на подложке из полиамидной пленки толщиной 50 мкм, покрытых гальванически слоем кадмия толщиной 5 — 6 мкм с контактами из меди толщиной 30 мкм, покрытыми гальванически слоем сплава олово — свинец эвтектического состава толщиной 8 — 10 мкм. сформированных на подложке из стеклотекстолита толщиной 1 мм. Подложки пло1цадью

6,25 см с контактными площадками в количестве 169 штук накладывают друг на друга, совмещают контакты, сжимают давлением

30 кг/см, равномерно распределенным по поверхности тонкой подложки и нагревают до

135 С, затем давление снижают до величины

0,5 кг/см и продолжают нагрев до 185 С, после этого подложки охлаждают до комнатной температуры.

В результате анализа качества групповой пайки выяснено, что количество спаянных контактов соответствует 100%, при этом переходное сопротивление каждой пары контактов не выходит из допустимых пределов и составляет 1 — 5.10 — см, что указывает на качественную пайку. Замыканий при групповой пайке между соседними точками не наблюдается.

10 Способ пайки контактов, распределенны: по поверхности гибкой и жесткой подложки, включающий покрытие контактов припоем, совмещение их с подложками с приложением переменного давления, нагрев до температу15 ры пайки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пайки, сначала давление повышают до 10 — 30 кг, см, затем нагревают подложки до температуры на 10-—

20 С ниже точки плавления припоя, после че20 го давление снижают до 0,2 — 1 кг/см- и нагревают до температуры пайки.

Источник информации, принятый во внимание при экспертизе:

25 1 1). Авт. св. ЛЪ 315528, В 231х, 1/04, 24.11.71.

Способ пайки контактов Способ пайки контактов 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к радиоприборостроению и может найти применение при изготовлении печатных плат с элементами проводящего рисунка схемы, работающими на размыкание - замыкание и располагаемыми в любом месте поля платы (тастатура номеронабирателя, контакты плоские, разъемы)

Изобретение относится к способу изготовления композиционного многослойного материала, предпочтительно материала с перекрестной ориентацией армирующих волокон, в соответствии с которым параллельно расположенные волокна покрываются матричным веществом и вместе с предварительно сформированными нетекучими композициями параллельно расположенных волокон или перекрещивающимися системами параллельно расположенных волокон пропускаются через зону дублирования, причем ориентация волокон в соединяемых слоях имеет по крайней мере два направления
Изобретение относится к слоистым пластикам, способу изготовления несущей платы для печатных схем, печатной плате и мультичиповому модулю
Изобретение относится к технологии повышения эксплуатационной надежности радиоэлектронных изделий

Изобретение относится к элементной базе микроэлектронной аппаратуры, а конкретно к однокристальному модулю ИС, и может широко использоваться при проектировании и производстве электронной аппаратуры различного назначения

Изобретение относится к разработке и производству аппаратуры на основе изделий микроэлектроники и полупроводниковых приборов и может быть широко использовано для контроля и отбраковки кристаллов ИС перед их монтажом в корпуса или многокристальные модули, а также для сборки кристаллов в корпусах или в составе многокристальных модулей
Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано при изготовлении гибридных интегральных схем (ГИС) и печатных плат (ПП)
Наверх