Способ изготовления автокатода

 

Союз Советских

Социал истимеских

Реотублик (61) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено 01,0775 (21) 2151042/25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.09.78. Бвллетень № 35 (51) М. Кл.

Н 01 Т 9/02

Государственный комитет

Совета Миниотроа СССР по делам нзооретеннй н открытий (5З) У1И 537.525,2:

:535.215.1 (088.8) (45) Дата опубликования. описания 04.08,78 (72) Автор изобретения

Б. П. Буидза (71) Заявитель

Институт физики АН Украинской CCP (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕИИЯ АВТОКАТОДА

Изобретение относится к области электронной микроскопии и может быть применено при изготовлении полупроводниковых авто- и автофотокатодов.

Известен способ изготовления автокатода, заключающийся в оплавлении испускающего электроны конца катода электронным или лазерным пучком с последующей шлифовкой в направлении вершины, образующейся в результате оплавления размягченной массы (1). 10

При оплавлении кончика острия катод нагревается до высоких температур, в связи с чем способ не пригоден для обработки полупроводниковых автофотокатодов, так как приведет к потере их фоточувствительности, а также этот способ не обладает достаточной стабильностью.

Известен также способ изготовления автокатода путем термополевого воздействия на острийный образец (2), согласно которому при положительной полярности катода его нагрева- 2О ют при значениях температуры и полл, обеспечивающих перенос материала на рабочую поверхность катода с прилегающих к ней областей и образование на поверхности катода мпкроско. пических наростов, диаметр основания которых 25 соизмерим с радиусом кривизны рабочей поверхности катода, и выдерживатот в этих условиях до тех пор, пока количество перенесенного материала не станет соизмеримо с объектом материала в сегменте под рабочей поверхностью катода.

В данном случае наблюдается относительно низкая стабильность и воспроизводимость характеристик автокатодов, а также высокое рабочее напряжение.

Цель изобретения — уменьшение рабочего напряжения и повышение стабильности автокатода.

Цель достигается тем, что острийный образец охлаждают до температур не выше (-19б) С, прикладывают электрическое поле, достаточное для самопроизвольного роста автоэмиссионного тока, затем уменьшают напряжение при выбранном значении тока до необходимой величины, обеспечивающей поддержание постоянного автоэмиссионного тока.

Длительность процесса заострения острий катода зависит от величины тока при его самопроизвольном росте и скорости; а также;умецьшения приложенного напряжения при выбран3 549039 4 ном значении постоянного тока. Острия полу- стабильности, острийный образец охлаждают до ченного таким способом автокатода из полупро- температур не выше (— 196) С, прикладывают водникового материала (кремния) имеют идеаль электрическое поле, достаточнзе для самопро— ную коническую форму с радиусом кривизны извольного роста автоэмиссионного тока, за0,01 мкм. Рабочие напряжения составляют 200 — тем уменьшают напряжение при выбранном зна300 В. 5 чении тока до необходимои величины, обеспечивающей поддержание постоянного автоэмиссионного тока..

Ф ормула изобретения Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

Способ изготовления автокатода путем тер- 0 1. Патент США N 3711908, кл. Н 01,19/1б, мополевого воздействия на острийный образец, 1972. отличающийся тем, что, с целью 2. Авторское свидетельство СССР М 425239, уменьшения рабочего напряжения и повышения кл. H 01 У 9/02, 1974.

Составитель В. Белоконь

Техред Э. Чужик

Вдактор Т. Колодцева

Корректор А. Гриценко

Заказ 5239/1

Тираж 960 Подписное

11НИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открьпий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород. ул. Проектная, 4

Способ изготовления автокатода Способ изготовления автокатода 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении диэлектрических деталей для вакуумных приборов и вакуумных интегральных схем, в частности для изготовления деталей из анодной окиси алюминия

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при разработке вакуумных электронно- и ионнооптических одно- и многолучевых приборов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве вакуумных интегральных схем, а также микросхем

Изобретение относится к электронной технике, преимущественно к микроэлектронике, и может быть использовано при изготовлении интегральных структур вакуумных интегральных схем и микросхем
Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления проводящих микроострий, которые могут быть использованы, например, в производстве вакуумных интегральных микросхем

Изобретение относится к источникам электронного и рентгеновского излучений, которые могут применяться при исследованиях в области радиационных физики и химии, радиобиологии, а также в радиационных технологиях, например в химической промышленности, медицине и др
Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно - устройствам для полевой эмиссии электронов

Изобретение относится к получению высокоэффективных пленок для полевых эмиттеров электронов

Изобретение относится к области получения высокоэффективных пленок для получения эмиттеров электронов
Изобретение относится к газоразрядной технике и может быть использовано для формирования конструктивных элементов газоразрядных индикаторных панелей (ГИП), например электродов, разделительных элементов и др
Наверх