Полирующий травитель для монокристаллов тройных твердых растворов ртутькадмий-теллур

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОПИСАНИЕ „„ать,„, ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОФАУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22} Заявлено 19.07.76 (21)2385812/18-2 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 25. 10,77. Бюллетень №3. (45) Дата опубликования описания,15.11.77 (51) М. Кл, 2

Н 01 Ь21/306

Гооудврственный комитет

Соввтв Миниотров СССР оо делам изобретений и отирмтий (53) УДК621.382 (088. 8) (72) Авторы изобретения

Ю. И. Зданович, A. М, Соколов и Ю. Г. Пухов

Государственный ордена Октябрьской Революции научноисследовательский и проектный институт редкометалпической промышленности (71) Заявитель

{54) ПОЛИРУЮШИЙ ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

ТРОЙНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ РТУТЬ-КАШМИЧ1ТЕЛЛУР

Изобретение относится к обработке полупроводниковых материалов и может быть использовано как при исследовании вырашенных кристаллов, так и при изготовлении приборов из этих кристаллов, в частности, тройных 5, твердых растворов ртутькадмижтеллур.

Известен полируюший травитель монокристаллов, представляюший собой 5 /-ный рас вор брома в метиповом спирте (1).

Однако при полировании этим травителем !О на поверхности образцов остаются трудноудалимые следы брома, и окисной пленки, Это затрудняет обработку поверхностей крис таллов для эпитаксиального нарашивания в приборостроении и металлографических иссле-5 дованиях.

Наиболее близким к изобретению техни ческим решением является попируюший травитель для монокристаллов тройных твердых растворов ртуть-кадмий-телпур, содержаший 2о водный раствор трехокиси хрома (2).

Использование известного травителя для химической. полировки кристаллов ртуть-кадмий-теллур показало, что поверхность образцов покрывается окисной радужной пленкой. .5

Кроме того, в результате бурной реакции происходит локальное расстравливание поверт ности., Целью изобретения является обеспечение гладкой зеркальной поверхности образцов и предотврашение образования окисной плен ки.

Достигается это благодаря тому, что травитель дополнительно содержит азотную и фтористоводородную кислоты, а компоненты взяты в следуюшем соотношении (об.%):

50%ный водный раствор трехокиси хрома 30-40

Азотная кислота 30-35

Фтористоводородная кислота 30-35

Отклонение значений компонентов от ука занных пределов приводит к окислению поверхности образцов.

Пример 1. Образцы, вырезанные из кристаллов СД Я ТЕ, шлифуют мнкропоа,2 рошком М-7, тшательно промывают водой и химически полируют, 57758:, Составитель В. Мякиненков

Техред И. Кпимко Корректор А. Гриценко

Раааккор Е. Гончар

Заказ 4192/39 Тираж 976 Подписное

1!НИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., n. 4/5

Филиал П!Н1 Патент" г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Для приготовления полируюшего состава компоненты берут в следующем соотношении (об..):

50%-ный водный раствор трехокиси хрома 30

Азотная кислота (56%»ная) 35

Плавиковая кислота (35%-ная) 35

Образцы выдерживают в приготовленном травителе в течение 30-60, сек при 25 С 16 и затем промывают деионизированной водой к .высушивают фильтровальной бумагой. Все химически полированные образцы имеют гладкую, зеркальную поверхность без окисной пленки. 15

Пример 2. Образцы, нарезанные из

EpHc þø Â Ccf Êô Т6, шлифуют MHKpoBopGUf» ком М-10, затем тщательно промывают в деионизированной воде.

Для химической полировки образцов ком- щ поненты берут в следующем соотношении (об.%):

50%»ный раствор трехокиси хрома в воде 40

Азотная кислота (61% ная) 30 25

Плавиковая кислота

{4 0%»ная) 30

Образцы выдерживают в приготовленном травителе 30-60 сек при 25 С, а затем цромывают в воде и высушивают фильтроваль 0 ной бумагой.

Все химически полированные образцы обладают зеркальной поверхностью без окисной пленки, Предлагаемый полируюший травитель обеспечивает хорошее качество травления и дает воэможность получить полированную поверхность образцов тройных твердых растворов ртуть кадмий-теллур.

Формула изобретения

Г!олируюший травитель для монокристаллов тройных твердых растворов ртутькиъмий-теллур, содержащий водный раствор трехокиси хрома, отличающийся тем, что, с целью обеспечения гладкой зеркальной поверхности образцов и предотвращения образования окисной пленки, îí дополнительно содержит азотную и фтористоводородную кислоты, а компоненты взяты в следующем соотношении (об.%):

50%»ный водный раствор трехокиси хрома 30-40

Азотная кислота 30-35

Ф тористоводородная кислота 30-3 5

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

;1. ф.. Ра1 ке .,z. Е.Р иие ГГ. Яе е д1 Ои of 3<вГосаФлои !(Нф,СЗ)"! е Ъу аи

Ftch Techhig ve .. Е8ес11.5ос. f973

v. 1f.а р Н8,р !865- f869

2, Авторское свидетельство СССР

% 428485, кл. Н 01 !. 21/306,;14.09.72.

Полирующий травитель для монокристаллов тройных твердых растворов ртутькадмий-теллур Полирующий травитель для монокристаллов тройных твердых растворов ртутькадмий-теллур 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения, преимущественно к технологии обработки теллурида кадмия и ртути, и может быть использовано в полупроводниковой технике

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов на основе CdHgTe, в частности к улучшению параметров приборов, их однородности по пластине и стабильности во времени и может найти применение для создания матриц, например, n-p-переходов или других полупроводниковых приборов

Изобретение относится к твердотельной электронике и может быть использовано для предэпитаксиальной обработки подложек из дифторида бария BaF2 при изготовлении фотоприемных устройств
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к технологии химической обработки и пассивации поверхности полупроводников, и может быть использовано при изготовлении фотоприемников ИК-диапазона на основе твердых растворов
Наверх