Состав для изготовления активного слоя порогового элемента
00 425245
О П И С А Н И Е
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз СоветскиХ
Социалистических
Республик (61) Зависимое от авт, свидетельства (22) Заявлено 23.08.72 (2) ) 1821493/26-9 с присоединением заявки № (32) Приоритет
Опубликовано 25.04.74. Бюллетень № 15
Дата опубликования описания 24.09.74 (51) М. Кл. Н Oll 7/62
Государствениый комитет
Совета Мииистрав СССР пе делам изооретеиий и открытий (53) УДК 542.91:658.56;
:621.315.592.2 (088.8) (72) Авторы изобретения ст =.;... -;--: -!.", « Й3
В. П, Котенко, С. А. Кутолин, В. Л. Шурман, E. Н. Заливина и Г. Г. Верходанова (71) Заявитель (54) СОСТАВ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО СЛОЯ
ПОРОГОВОГО ЭЛ ЕМЕНТА
80 — 98,5
1,5 — 20 пятиокись ванадия бор
Изобретение относится к электронной технике и может применяться при изготовлении пороговых элементов.
Известны составы, применяемые для изготовления активного слоя порогового элемента, — полупроводниковые окислы (аморфные, поликристаллические) .
Однако известные составы характеризуются значительным общим временем переключения пороговых элементов (10 — — 5. 10 — сек), нестабильностью порогового напряжения элементов во времени, малым соотношением сопротивлений порогового элемента в закрытом
1 и открытом состояниях (" Р =2.10 — 2.102
k откр нестабильностью порогового напряжения во времени (старение) активного слоя, малым рабочим током элементов в открытом состоянии (0,3 — 1 ма).
Целью изобретения является увеличение соотношения сопротивлений порогового элемента в закрытом и открытом состояниях, уменьшение общего времени его переключения, увеличение рабочего тока и повышение стабильности порогового напряжения во времени.
Для этого состав дополнительно содержит бор, а в качестве полупроводникового окисла использована пятиокись ванадия при следующем соотношении компонентов, вес. %:
Изобретение позволяет увеличить соотношение сопротивлений порогового элемента в заKPbITOM H OTKPbITOM COCTOIIHHHX gO 10, уменьшить общее время переключения элемента до 10 — — 10 — сек, уменьшить нестабильность порогового напряжения до 2%, 10 т. е. до значений, сравнимых с погрешностью измерительной аппаратуры, уменьшить нестабильность порогового напряжения элемента во времени (старение активного слоя) .
15 Предмет изобретения
Состав для изготовления активного слоя порогового элемента, содержащий полупроводниковый окисел, отличающийся тем, что, с
20 целью увеличения соотношения сопротивлений порогового элемента в закрытом и открытом состояниях, уменьшения общего времени его переключения, увеличения рабочего тока и повышения стабильности порогового напряжения
25 во времени, он дополнительно содержит бор, а в качестве полупроводникового окисла использована пятиокись ванадия при следующем соотношении компонентов, в вес. %:
Пятиокись ванадия 80 — 98,5 зю Бор 1,5 — 20
