Тиристор
Тиристор с шунтировкой эмиттерного перехода, выполненной в виде каналов, проходящих от базового слоя сквозь эмиттерный слой к токоподводящему электроду, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента выключения и уменьшения времени выключения, контакт к шунтирующим элементам выполнен в виде барьера Шоттки.
Похожие патенты:
Тиристор // 455685
Симметричный тиристор // 397122
Симметричный тиристор // 397121
Патент 395030 // 395030
Симметричный тиристор // 349356
Патент 347838 // 347838
Патент 341377 // 341377
Патент 285713 // 285713
Симметричный тиристор // 2106720
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к симметричным тиристорам, представляющим собой интегральный прибор, состоящий из двух встречно-параллельно включенных тиристоров с общим управляющим электродом, и может быть использовано при создании новых типов симметричных тиристоров
Тиристор // 2173917
Изобретение относится к области электронной техники, в частности к конструированию и технологии изготовления полупроводниковых кремниевых управляемых тиристоров многослойной структуры с тремя электродами, и может быть использовано в электронной промышленности
Тиристор с двухсторонним управлением // 2194339
Изобретение относится к области силовых полупроводниковых элементов
Изобретение относится к области полупроводникового приборостроения
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники
Запираемый тиристор с запирающим слоем // 2214650
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой технологии
Тиристор с "мягким" восстановлением // 2279734
Изобретение относится к области мощных полупроводниковых приборов и может быть использовано при конструировании тиристоров с пониженной амплитудой тока обратного восстановления и увеличенным коэффициентом формы тока обратного восстановления
Изобретение относится к конструкции полупроводниковых приборов с самозащитой от пробоя при перенапряжениях в закрытом состоянии, а именно к конструкции динисторов и тиристоров, в том числе симметричных
Полупроводниковый прибор с самозащитой от пробоя в период восстановления запирающих свойств // 2297075
Изобретение относится к конструкции полупроводниковых приборов с самозащитой от пробоя в период восстановления запирающих свойств, а именно к конструкции тиристоров, в том числе фототиристоров