Устройство для считывания информации

 

<11> 6О172О

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61} Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 06.07.76 (21) 2380638/18-24 с присоединением заявки— (23) Приоритет— (43) Опубликовано 05.04.78. Бюллетень № 13 (45) Дата опубликования описания 24.05.78 (51}М.Кл. С 06 К.7/И

G 11 С 7/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 681.327.11 (088.8) (72) Авторы изобретения

Е. Е. Борейко, Н. И. Кудин и В. М. Пенчук (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО

ДЛЯ СЧИТЫВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ

Изобретение относится z области вычислительной технвки.

Известны считывающие устройства, применяемые в вычислительной технике для усиления сигналов с фотодиодов;(1).

Наиболее близким техническим решением к изобретению является устройство для считывания информации, содержащее транзисторы, и — р — и- и р — и — р-типов, эмиттер и — р — и и коллектор р — и — р-транзисторов соединены с отрицательной шиной питания, коллектор и — р — и и эмиттер р — и — р-транзисторов через левый резистор подключены .к положительной шине питания, база и — р — и-транзистора соединена с анодом фотодиода, катод которого 15 подключен к базе р — и — р-транзистора (2).

Недостатками такого устройства являются невозможность работы в широком диапазоне температур, так как с ростом температуры 20 растет темновой ток фотодиода, что ведет к его ложному срабатыванию; низкая помехозащищенность устройства, обусловленная большим коэффициентом усиления и отсутствием порогового устройства, ограничивающего уро- 25 вень помех, и необходимость, подбора транзисторов по обратному коллекторному току для компенсации темпового тока фотодиода и применения дополнительного устройства формирования выходного сигнала. 30

Цель изобретения — повышение .помехозащищеености устройства.

Поставленная цель достигается тем, что, в предложенное устройство введен оптрон и второй резистор. Оптрон:соединен с,положительной ш иной,питания IH через, второй резыстор с .коллектором n — р — n-транзистора.

На чертеже приведена принципиалыная схема предложен ного устройства.

Устройство содержит резистор 1, р — и — ртранзистор 2, фотодиод 3, аптрон 4, резистор

5 и и — р — и транзисто,р .б.

При отсутствия засветии фотодиода 3 через него протекает темновой ток, часть которого компенсируется обратными коллекто рными токами тра нзисторов 2, б, а остальная часть является отпирающей для транзисторов

2 я б. С ростом температуры темновой ток фотодиода 3 увеличявается, что,вызывает частичное отпирание транзисторов 2 и б, недостаточное для срабатывания оптрона 4. Резистор 1, включенный, параллельно оптрану 4 и резистору 5, увеличи вает световой то к через фотодиод 3, который завноит от общего сопротивлен ия нагрузки транзисторов 2 и б. Так транз1исторов 2 и б распределяется по двум цепям: резистор 1, оптр.о:н 4 и:резистор 5. Резистор 1 позволяет расширить перепад между темно вым и световым токами фотодиода 3 за счет извте нення общего сопротивления напруз601720

3 ки транзисторов 2 IH б, а также совместно с резистором 5,позволяет установить порог срабаты ва н ия yc ploHcPBB с учетои уровня .помех и воз раста н ия темHQIBîãо тока фоподио да лри

1oIBbFIIIBHHIH температуры. П р и освещении фото диода 8 ток, протекающий через îIITipOH 4 .и резистор 5, превышает порог срабатыва н ия оптрона 4 и на выходе устройства появляется сфор ми рова н ный сипнал, Устройство для считьвва н ия,информации, содержащее два т1ранзистора и — р — и и р — n— р-пи нов, причем эмиттер n — р — п-,и коллектор р — n — р-транзиспоров соединены с отрицательной шиной .питания, а;коллектор и — р— п-,и эмиттер р — n — р-т ранзисто ров через перСоставитель В. Боголюбов

Техред И. Михайлова Корректор И. Симкина

Редактор Л. Утехина

Заказ 186/333 Изд. № 144 Тираж 841

НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Тип. Харьк. фил, пред. «Патент»

Формул а изобретения вый резистор подключены к положительной шине пита ния, база n — p — и-пранизистора соеди,нена с анодом фотодиада, катод которого подключен к базе р — n — р-транзистора, о т л и5 ч ающееся тем, что, с целью, повышения по1мехоустойчивости, IB успройсто |введен QIIIтрон,и BIOIpoH резистор, п ричем оптрон соединен с положительной miHHOH литания и через второй резистор с коллекторам п — р — n-транзистора.

Источники информации, принятые,во вниман ие лри экспертизе:

1. Авторское с в идетельство СССР № 395867, кл. G 06 К 7/14, 1973. .2. Автор.ское свидетельство СССР № 468303, кл. G 11 С 11/42, 1973.