Устройство для измерения крутизны полевого транзистора

 

С4з4оз Соввтсиих оциапи@тичвс цих

Р@спубпик (61) Дополнительное к авт. свил-вуй (22) Заявлеио у.ц@.75 pl) 2129042/Х8-25 (5)1 Я. Кл

ГцЩДВфстэеи5м55 I5III455737

geSIITIl MIIIllInyeS ИР

56 Диам к366РВтВ55к55

55 67KP_#_IIIII (43) С5публиковаио Х5.07.78.Бюллетень И 26 (53) УДК 621.382.З(О88,8) (46) Дата опубликования Описания Д,9679.

Е. A. Маслов н Д. A. Ефремов

Изобретение относится к области производства полевых транзисторов и применимо, в частности, в прОцессе измерения крутизны характеристик полевых транзисторов.

Известно устройство jl) для измерения крутизны полевого транзистора, содержа. щее схему задания тока канала, представляющую собой источник постоянного напряжения и переменное регулируемое сопротивление. Схема задания така 55анала подключена к затвору испытуемого транзистора, к истоку KoTopot О подключен нстОчиик режимного напряжения, выполненный по схе. ме иивертирующего операционного усили.тели. Через этот же усилитель осуществля« ют задание переменного сигнала от. источника.

Известно устройство (2) для измерения

b,рутизны полевОго Tp3нзистОра при заданных напряжениях сток-исток и тока канала, содержа(цее источи55К режимного напряжения, соединенный со cToHov испытуемого транзистора, схему задания -ока канала с источником переменного сигнала, подключен ную к затвору транзистора, последовательна соединенные операционный усилитель и

5рильтр в цени обратной связи, Регулирующим сопротивлением устанавливают нужнОе иапряжение HB затворе ис

ЦйтуемОга TpHH3Bctop3, а выходными cotlpoтивлеииями ОперациОннОГО усилителя устанавливают ток канала. Изменение тока канала, вызванное источникам переменного сигнала, создает изменение напряжения «затвор-исток».. О величине крутнзны характеЗ ристикн транзистора судят по изменению напряжения «затвор-исток».

Иедастатак этага устрОйства састОнт Б том, что ие обеспечивается измерение крутизны характеристики транзистора в автоматическом режиме, так как при Смене испытуемых транзисторов необходима ручная подстройка реаима па затвору вследствие разброса параметров испытуемого транзистора. (роме Toro, при подстрочке вь5шеуказанных

35 режимов возникает неучтенная методическая погрешность, вызванная изменением па раметров злементов, осуществляющих задание режима. Далее, при дистанционном проведении измерениЙ, когда нспьггуемый транзистор находится на расстоянии От нзмер55теля, возникает дополнительная погрешность измерения переменного сигнала вследствие появления паразитной емкости в коммутационной цепи.

Цель изобретения сОстОит в iloBbfLJLHHH

g$ точности при дистанпианных измерениях.

Устройство для измерения крутизны полевого транзистора Устройство для измерения крутизны полевого транзистора 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх