Способ подготовки поверхности диэлектрика перед нанесением металлического покрытия

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Свае Севетскив

Свннаиистнчвскнк республик

3 (цыбли э 6«Ф (61) Дополнителыное к авт. твид-ву— (22) Заявлено;13.04.77 (21) 2476090(29-33 ip>р (,, . / (53) УДК 666.266.4 (088.8) H ц у с/т/л1 с.присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет—

Всудирствеввй квинтет

Сееетн Министрее СИр не делам изебретений и еткрмтнб (43) Опубликовано 30.09.78. Бюллетень № 36 (45) Дата опубликования описания 05.09.?8 (72} Авторы изобретения Л. C. Карпунина, Н. С. Сытнлина и Л. А. Ипполитова (7l) Заявитель (54) СПОСОБ ПОДГОТОВКИ ПОВЕРХНОСТИ

ДИЭЛЕКТРИКА ПЕРЕД НАНЕСЕНИЕМ

МЕТАЛЛИЧЕСКОГО ПОКРЫТИЯ

Изобретение огносится к способу подготовки поверхности диэлектриков перед химической металлизацией и может быть использавано для пайии мвталл1изираваиных диэлектриков твердыми и мягкими;п рипоя- 5 ми, для получения мииросхем .на диэлектрических подлонсках и для других целей.

Известен способ -подготовии поверхности стекла перед металлкза цией путем обработки метаоиликатом,натрия, который вти- 10 рают в паверхиость стекла и затем заготовку кипятят .в дис пиллироваееной воде в течение 2 — 3 с (1).

Наиболее близким к,изобретению по теюнической сущности и достигаемому результату является способ подготовки диэлектриков перед химической металлизацией,,включающий сенсибилизацпю в солянокислом распворе хлористопо олова н активи равание в водном кислом .растворе двухлорястого палладия (21.

Каталитически активную павврхносгь создают путем обработки в раапворе свнсибилиза ции после апераций обезжиривания и травления в течение 5 — 10 мин. Со- 25 ста в,растве ра следу опций: SnC12 10 гlл, НС1 40 мл/л. После промывви следует операция активиравания в распворе, включающем 0,1 гlл PdC12:è 20 мл/л HCl, время акпивирава ния 5 — 40 мин; сушка изделий из диэлектриков при 60 С, далее меднение в тартратном электролите IIo обычной технологии.

Однако указанные способы пазготовки днэлекприков перед химической металлнзацией не обеспечавают .необходимой адгезни покрытия к повер хиос пи диэлектрика: ква|рцевых подложек, керамических ситалловых, стеклянных и др. в процессе пашки изделий.

Цель изобретения — увеличение адгезип покрытия к поверхносви диэлектрика.

Достигается это тем, что лрн известном способе подготовки поверхности диэлектрика перед .нанесением металлического покрытия путем i.åíñèáèëèçaöèH в солянокислом растворе хлористого олова и актквировання в кислом .растворе двухлористого палладия, диэлектрик перед свнаибилнзацией обрабатывают в растворе натривьой соли кремниевой кислоты с удельным весом

1,32 гlсмз.

Предлагаемый способ прост в исполнении, дает возмажкость вести обработку.путем окунания в распвор с последующей промывкой поверхности для образования

SiO2-гелия, адсорбн рующепося на подложке.

Далее праведен конкретный пример выполнения данного опособа.

Составитель Г. Буровцеаа

Техред И. Рыбкина

Корректор И. Снмкина

Редактор Т. Кузьмина

Заказ 675/1006 Изд. № 656 Тираж 596

НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, К-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент»

Подготовку поверхности диэлекприка ведут следующим образом.

Подложки тщательно обезжирявают в щавелевокислом растворе Q поверхностно-акти,в,ными веществами в ультразвуковам по- 5 ле, частотой 20+2 кГт1 но известной технологии. Чистота поверхности хонгролируется смачивая нем после обезж и1р>ивания деионизовавяой водой. Затем подложки погружают и раствор для травления. Для керамики и ситалла состав раствора: перекись водорода 1 ч.,муравьиная кьслота 1 ч., для стекла — хромовоаоислый раствор.

После травления подложки погружают в раствор натриевой соли кремниевой кис- 15 лоты с удельным весом 1,32 г/см и выдер живают 1 — 2 мин, затем нх лромывают в деионизованной воде. Содержащийся в .растворе силикат натрия гидролизуется частично или полностьто до образованиия 20

ЗьОз-геля, который .а,дсорблруется на поверъности 1подложки. После 30 мин су шки

Ври температуре 100 С, воверхность свнсибилизируют в растворе: хлористое олово

20 г/л, соля.ная кислота 50 мл/л; активи- 25 руют .в растворе: двухлористый палладий

1 г/л, соляная асислота 10 мл/л и высушилают п р и комнатной температуре. Далее наносят химические медные (в тарт>ратном растворе) или никелевые (в кислом рас- З0 творе) покрытия. Металлизираванная подложка подвергается термообработке в нейтральной или,восстановительной среде при температуре 700 С в течение 30 мин. Прочность оцепления покрытия с подложкой на о врыв,при этом составляет 450 — 480 кгс/см, без упрочйяющего слоя — только 50—

70 кгс/см2.

Предлагаемый способ металлизация диэлектрипсов с упрочненными .адгеаионными свойствами разработан для изготовления полупроводниковых приборов и других изделий электронной техники из пьезокварца, .кварцевого стекла, ситалла и др, диэлектриков и последующей лайки их твердыми и мягкими пр ипоями.

Ф о.р м у л а и з о б ip е т е н и я

Способ подготовки поверхности диэлекпр IIK3 перед нанесением металлическогоаокрытия путем сенсибилизащии в солянокислом растворе хлористого олова .и активированвя в кислом растворе двухлористого валладия, о т л и ч а ю щ ий с я тем, что, с целью увеличения адгезии покрытия к поверхности диэлектрика, последний перед сенсибилизацией обрабатывают в,растворе натриевой соли крвмниевой кислоты с удельным весом 1,32 г/см .

Источники информации, принятые во внимание .прои экспертизе:

1. Л втор ское свидетельство СССР

¹ 500195, кл. С ОЗ С 17/22, 1974.

2. Лвторское свидетельство СССР № 308102, кл. С 23,С 3/00, .1969.

Способ подготовки поверхности диэлектрика перед нанесением металлического покрытия Способ подготовки поверхности диэлектрика перед нанесением металлического покрытия 

 

Похожие патенты:

Г t3\j- // 392628

Изобретение относится к технологии оптических материалов и может быть использовано в интегральной оптике
Изобретение относится к производству стеклянной декоративно-облицовочной плитки
Зеркало // 2083517
Изобретение относится к области оптических устройств, создающих оптическое изображение предметов, используемых в приборостроении, технике, медицине, быту
Наверх