Резистивный материал


H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 16.05.77 (21) 2486044/18-21 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.10.78Бюллетень №39 (45) Дата опубликования описания 23.08.та >629554

2 (51) М. Кл.

Н 01 С 7/00

Государственный номнтет

Совета Мнннстроа СССР по делам нзооретеннй н открытей (53) УДК621.396.. 69 (088. 8) (72) Авторы изобретения

Б. С. Гальперин, И. E. Мирецкая и Л. П. Солдатова (71) Заявитель (54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

9 — 15

1,7 — 1,9

17 — 19

Остальное

17

1,7

66,3

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано при изготовлении композиционных резисторов.

Известен резистивный материал, содержащий токопроводящий компонент, органическое связующее и органический растворитель (1).

Недостатком этого материала является невозможность получения высокоомных значений сопротивления резисторов и необходимость термообработки при высоких температурах.

Известен резистивный материал, представляющий собой композицию из токопроводящего углеродистого компонента, органического связующего, отвердителя и органического растворителя (2).

Недостатком материала является узкий диапазон значений сопротивлений резисторов и низкая их влагостойкость.

Цель изобретения — увеличение сопротивления и повышение влагостойкости материала.

Это достигается тем, что резистивный материал, содержащий токопроводящий компонент, органическое связующее. отвердитель и органический растворитель, содержит в качестве органического связующего олигомер фениленоксида при следующем количественном соотношении исходных компонентов, вес. %:

Токопроводящий компонент

Отвердител ь

Олигомер фениленоксида

Органический растворитель

Пример 1.

Олигомер фениленоксида

Отвердитель (изометилтетрагидрофталевый ангидрид)

Токопроводящий компонент, в который входит сажа канальная активная марки ДГ-100

Органический растворитель

629554

1,9

10 го

Формула изобретения

17 — 19

Составитель В. Солодова

Редактор H. Разумова Техред О. Луговая Корректор Е. Папи

3 а к а з 6074/43 Тираж 960 Подписное

ИНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

I 13035, Москва, 7К-35, Раушская иаб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

В этом случае величина сопротивления

R = 10 ом/о, влагоустойчивость Л R/R (/p) в условиях тропической влажности за 56 суток составляет +- 5.

Припер 2.

Олигомер фениленоксида 19

Отвердитель (изометилтетрагидрофталевый ангидрид)

Токопроводяший компо-. нент, в который входит сажа канальная активная марки ДГ-100 9

Органический растворитель 70,1.

В этом случае величина сопротивления

R = 10 о м/гд, вл а гоу сто и ч и вость — д R/R (/p), в условиях тропической влажности за

56 суток составляет +- 10.

Пример 3.

Олигомер фениленоксида 18

Отвердитель (изометилтетрагидрофталевый ангидрид) 1,8

Токопроводящий компонент; в который входит сажа канальная активная марки ДГ-100 12

Органический растворитель 68,2

В этом случае величина сопротивления

R = 10 а ом/и, влагоустойчивость — Л R/R (/p) в условиях тропической влажности за

56 суток составляет +- 7,5.

Резистивную композицию, приведенную в примерах 1, 2 и 3, получают следующим образом.

В шаровую мельницу загружают токопроводящий порошок и растворитель, размалывают в течение 48 час. Затем добавляют к ним олигомер фениленоксида, предварительно растворенный в циклогексаноне. После этого композицию домалывают еше 48 — 50 час, отстаивают в течение 20—

24 «ас, наносят на основания резисторов и подвергают термообработке в течение 1—

1,5 час при температуре 240 — 250 С.

Короткие молекулярные цепи такого материала способствуют более частым и плотным сшивкам между отдельными цепями, что уменьшает водопоглощение и набухание пленок, улучшает стабильность.

Сравнительно низкая температура отверждения и малая усадка при отверждении способствуют получению высокоомной композиции при относительно большом обьеме проводника, что улучшает ее однородность и, как следствие, уменьшает зависимость сопротивления от напряжения и повышает воспроизводимость величин сопротивления.

При использовании малоконденсированного олигомера с малой вязкостью могут быть получены и очень низкоомные композиции.

При оптимальном сочетании состава композиции, режима ее-отверждения и обработки проводящих компонентов могут быть достигнуты одновременно и малые значения температурного коэффициента сопротивления.

Резистивный материал, содержащий токопроводящий компонент, органическое свя25 зующее, отвердитель и органический растворитель, отличающийся тем, что, с целью увеличения сопротивления и повышения влагостойкости материала, он содержит в качестве органического связующего олигомер фениленоксида при следующем количественном соотношении исходных компонентов, вес, о/о:

Токопроводящий компонент 9 — 15

Отвердитель 1,7 — 1,9

Олигомер фениленоксида

Органический растворитель Остальное

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. ТИ УБО 0.28.715 МЭП, 1972.

2. Гальперин Б. С. Непроволочные резисторы. М., «Энергия», 1968, с. 150 — 154.

Резистивный материал Резистивный материал 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред
Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений
Наверх