Способ определения концентрации электронов в полупроводниковом материале

Авторы патента:

H01L21/66 - испытания или измерения в процессе изготовления или обработки (после изготовления G01R 31/26)

Способ определения концентрации электронов в полупроводниковом материале по сдвигу края полосы собственного поглощения вырожденного полупроводника, отличающийся тем, что, с целью возможности измерений в приповерхностных слоях толщиной порядка нескольких микрон и ускорения измерений, измеряют минимальное значение эллипсометрического параметра (_min) соответствующую ему длину волны _кр, отвечающую энергетическому положению красной границы полосы собственного поглощения анализируемого материала, и концентрацию электронов определяют по формуле n = CT^3/2f(_кр, _o ,T), где С - константа для анализируемого полупроводника; Т - температура образца К; f - функция от измеренной длины световой волны _кр и длины световой волны _c, отвечающей энергетическому положению красной границы полосы собственного поглощения невырожденного полупроводникового материала.

Способ измерения коэффициента диффузии носителей заряда в полупроводниках,содержащих переход // 620918

Устройство для измерения концентрации носителей тока в полупроводниках // 619876

Устройство для измерения удельного сопротивления резисторных материалов при изготовлении микросхем // 618872

Способ определения качества изготовления тиристоров // 616600

Индикатор для определения типа проводимости полупроводниковых термоэлектрических сплавов и ветевей термоэлементов // 616599

Устройство для определения параметров барьерных емкостей р- п переходов // 616597

Способ контроля электрофизическихсойств полупровдниковых материалов // 609363

Способ определения параметров примесейцентров b полупроводниковых материалах // 606430

Способ определения внутренних механических напряжений сжатия в тонких пленках // 605487

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Устройство для измерения толщины плоского изделия и способ его реализации // 2107257

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Способ градуировки резонансного датчика параметров эпитаксиального слоя на проводящей подложке // 2107356

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2110116

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Способ регулирования величины напряжения в открытом состоянии тиристоров и диодов // 2119211

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов

Способ контроля однородности слоев пористого кремния на монокристаллическом кремнии // 2119694

Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2120683

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Способ контроля дефектности пленок диоксида кремния на кремниевых подложках // 2127927

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349