Спосб ориентации полупроводниковых пластин

 

()635536

О Il И С А Н И Е

ИЗОБР ЕТЕ Н И Я

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. Ci»!д-вм— (51) Ч.Кл.- аН О! Ь21/00 (22) Заявлено 30.09.75 (21) 2175707,18-21 с црисоед))иенцем заявя. "а— (23) Приор))тет— (43) Опубликовано 30.11.78. Б.O.,-.стс:;=. е 44

Государстееиный комитет (53) УДК 62 !.382.002 (088.8) f10 делам изобретений и открытий (45) Дата OIIyo71» 2 i;).=. оп 1.= ." "-111 (72) Авторы (изобретения

И и 0 с т р 3! ц ы

Гюнтер Хайне и Юрген Зе1лр)е (1 ДР) И»остраииос пред.lp:)ятие

«ФЕБ Верк фюр Фернзеэлектрони»

; (1 (71) Заявитель (ГДР) (54) СПОСОБ ОРИЕНТАЦИИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН

Изобретен;)е 0THOci)TcH к полупроводни.ко)вой технологии и может применяться для ориентации полупроводниковых и I3cти н, пр е7)мушественно с э пита кси 2, )ь)1 ы 3! слоем, имеющим сетку дислокации, напри- 5 мер, при фотолитографil:f.

Известен способ ориентации полупроводниковых пластин с эпитаксиальным слое>м по отношению к фотошаблонам, используемым гри фотолитографии. Этот способ

t)ðåäó=ма Tp1Iвает выпо ) невиc на пластиíàx базовых срезов, обозначающих положение кристаллографнчески.;,плоско: тей откос:-1тельнÎ оси слитка полупроводникÎвого материала (11. (5

Недостатками:)ззестно: о рпо:003 являfOTCH C.70Æ-IOCÒÜ ИСПОЛЬЗ) ЕМ ОГО . .1ß ВЫЯВ лен:151 положен:)я кри-таллографическик

fI.70cI oстей рентгеновского оборудован)!я потер:I полуп;)Оз.)днт)ково"0 матер:(а13 пр:1 20 выпо1;ICH! t. . базовых срезов.

На:)более олизок )к изобретен ио способ ор))с:- Tàци:I полупроводниковых пластин, включающий (!олучение иx поверхности, н;-бл)оден-Ic ка:)т))ны отражечия на экра с с г(срекэестье31:I Iflремсщение пласт)гн до

COВМЕ1ЦЕ:!ИЯ К2РТilHЫ ОТ:)2ЖСH :IЯ С,ПЕ,)"— крестьсм шкалы (21.

Недостаток:)зве"тного с.lс 003 состоит

B том, что для его реа7изаиии,несо.;Одим0 предварительно вытрави)); Ha»ot)epilfocTII

П > 2СТ:)НЫ т» .1 » ОЛ H>i5., COOT!3CTСТ!3тio»f)IC

К 0 11 Ñ T 2 3 3 0. !) 3 (1 (l I Ч Е ОК И М И.1 0 С 1» 0 С Т Я 31. ) TO усложHяет процесс ориенTàöii» и приводит

К ПОТЕРЯ)! ПО»,!,.11:)0(:0 IHI»»()30: 0 М;IТС,(.1;1, 1;l.

Ц ль:Iзоб" .T iii)51 — — V.l;)ОIЦС:1:Iе П;)ОЦССса ориентац:.11(;! уменьшение потерь полупрсзод;ièêî ">OH 0 матс;тиас!а.

Дан-IBH цель .!()стигает.-.я тем, что пр:1

СП 0 C 0 O C OP 11 Е Н Т 11 Ц» 1 И 110;1 (Il P 0 13»):(Н И К 0 13 Ы Х п)ластин, преимущественно с эпитаксиальнь;м слоем. Пме)о)ц )31 тку 111 локан»)й, Вк I!0»1 2 юцlе)1 Об,l »"--; .) 1)».:): » !10!3:().;H:) Tl1, Н 3 0,1:0 Д С:l 11 Е 1« 1 .) Т:1::. Ы О Т t) 3 Ж P Н И 51 i 2 Э 1» Р 2 Н Е

С ПЕ;)Е)»Т))ЕСТЬС3! И ПСР(3!ЕЩЕ!lli(. ПЛП. .ТИН 10 сОвм е!це:-1)IЯ 1 . 3 P TII HI>1 1ОтР а жон !1Я с пс!) »крcстьем шка lhi. облучен>не п,)(п)зводят лаз>))ны)l 7У»03!, ООРаз, к)ц(им В каче(. тВе K3D"»инь! Отражения на эк1);)H(.. фиг»".) »> ди(1)рак»Пи лазе;)ного луча на сетке,д ислокаций.

Се:ка дислокc)ö))I) воз) »каст ) р!) э:)HTПк:!аль:t(». ро Тс соединений к,)исr;!г)ло)3 на !10.(:IОЖ! .2»:, Hо Го,)!>) C

00 13Д310Т Р23, IИЧНЫ)!!I ПОСTOЯiiНЫ 3111 P(»ifIЕток. например, при выращивании ()аАВР на

С)3А=- или на GHP. При облучении лазер. ным источчиком света Вследствие лифракц)! I лазерно-.о луча па этой сетке дислокаL)l»1 «03:)икает диф,)акпионное изображение

В,>О . . IЕ ДВУК 7С,) ICH1»»»V75IPHO (П(РЕКРСIЦ!1