Способ полирования поверхности кристаллов и изделий из них

 

в 64335 I

ОП ИКАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН Ия

Н АВТОРСКОМУ СВИДЙТВЛЬСТВУ (6l) Дополнительное к авт, сеид-ву(22) Заявлено 03.04.72 {21) 1762729/33

{51) М. Кл

В 28 D 5/04 с присоединением заявки №

Государственный квинтет

СССР вв. делам изобретений н вткритий (23) Приоритет (53) УДК 621.794..4(088.8) Опубликовано 25.01.79.Бюллетень № 3

Дата опубликования описания 28.01.79. (72) Авторы изобретения

В. А. Дветков и А. В. Шустов

"Р.:, 3;". нного ;

Экспедиция М 20 Всесоюзного шестого прои объединения при Министер тве геологии ССС (71) Заявитель

{ 54) СПОСОБ ПОЛИРОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ

И ИЗДЕЛИЙ ИЗ НИХ

Формула изобретения

Изобретение относится к области полировки поверхности кристаллов и изделий из них.

Известен способ химического полирования поверхности кристаллов оптического кальцита и вырезанных из них пластин 11j

Способ включает последовательное травление поверхности смесью муравьиной и уксусной кислот {равномерное травление) и соляной кислоты {полирование).

Недостаток способа заключается в сложности и трудоемкости технологии.

Цель изобретений — упрощение технологического процесса и достижение эффекта декорировайия.

Это достигается обработкой поверхносе, ти кристаллов и изделий из них в растворе соляной кислоты концентрации от 0,5

jIо 5,0о о в присутствии катализатора глауберовой соли, в количестве от 70 до 100 г на 10 л раствора.

Процесс ведут при комнатной температуре, нормальном атмосферном давлении и при интенсивном перемешивании, найример

2 в стиральной машине «Снежинка», в течение 5 — 6 мин.

Одновременное добавление в раствор небольшого количества глауберовой соли поз1 воляет получить эффект декорирование по5 верхности кристалла.

Пример. Пинакоидальную пластину исландского шпата размером 100Х50Х 20 мм после распиловки погружали в 1,50jo-ный раствор НС1, Процесс травления при пос1 тоянном перемешивании протекал в течение 4 мнн. Добавление 0,001 — 0,015О О -ной глауберовой соли привело к проявлению на поверхности пластины границ пиролиз роста и положений слоев роста относительно

15 положения оптической оси пластины.

Способ полирования поверхности крис-. таллов и изделий из них путем обработки в

; водном растворе соляной кислоты, Ьтличто. щийся тем, чго, с целью упрошения технологии н достижения эффекта декорировании, 613351

3обработку ведут в растворе соляной кислоты ко!п1еитрации or 0,5 до 5»0% в присутствии катализатора-глауберовой сгэли, в коли рестве or 70. до 100 r па 10 л раствора. л

1 1стоппики и ФФформацг! и, flpHHHtbfp. Во Виичаппе при экспертизе .

1. Авторское свидетельство СССР №,28078г1, кл. С 03 (; 25 06, 1968.

Соетайнтель Л. Булгакова

Редактор А. Морозова ТехредО.,Луговая Корректор М. Демчнк

Заказ 791!/!6 .. Тираж 657 Подннсное

ЙНИИПИ Государственного комнтега СССР но делам нзобретенн!! н открцтнй

I l 3035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Способ полирования поверхности кристаллов и изделий из них Способ полирования поверхности кристаллов и изделий из них 

 

Похожие патенты:

Пила // 575221

Изобретение относится к разрезанию блоков из твердых материалов, в частности из полупроводников, стекла и керамики, на пластины путем воздействия свободно подаваемого абразива и бесконечного циркулирующего прочного несущего элемента

Изобретение относится к области механической обработки твердых хрупких материалов, а именно к способам механической резки монокристаллов на пластины

Изобретение относится к области обработки поли- и монокристаллических слитков полупроводниковых материалов с целью разделения их на пластины и может быть использовано при изготовлении пластин, используемых в производстве полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей, полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Изобретение относится к области обработки поли- и монокристаллических слитков полупроводниковых материалов с целью разделения их на пластины и может быть использовано при изготовлении пластин, используемых в производстве солнечных батарей, полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Изобретение относится к области обработки кристаллов и может быть использовано при обработке алмазов, а именно при обточке рундиста бриллианта в ювелирной промышленности

Изобретение относится к устройствам для обработки полупроводниковых материалов и может быть использовано при подготовке образцов полупроводниковых монокристаллов с атомарно-чистой поверхностью

Изобретение относится к устройству для обработки твердых и хрупких неметаллических материалов, в частности к устройству для разрезания слитков кремния. Алмазная проволочная пила, содержащая ячейки из алмазных проволочных полотен, намотанных на параллельные катушки с возможностью резания заготовки на столике для резки, причем диаметр, по меньшей мере, одного последующего вдоль направления резания полотна превышает диаметр, по меньшей мере, одного предыдущего полотна, расположенного впереди по направлению резания, что способствует достижению более экономного использования кремния для удовлетворения потребностей производства, так как получаемые пропилы более узкие, а толщина кремниевых пластин меньше. 10 з.п. ф-лы, 8 ил.
Наверх