Резистивный материал


H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

643979 (61) Дополнительное к авт. свил-ну (22) Заявлено 30.12.76 (2!) 2437205/18-2! (5!) М. Кл

Н О! С 7/00 с присоединением заявки №

Государственный квмвтет ссср нв делам нзвбретеннй н еткрмтнй (23) Приоритет— (53) УДК 62!.316.8 (088.8) Опубликовано 25.01.79. Бюллетень № 3

Дата опубликования описания 25.01,79

« т

3. б. Горвчена,la. Н. Грибники, Л. и. Роксан, А. б. ИрнношФсс"i 3 Ð 1 е и О. Н. Баскакова . 4 (!АТЕ11.. -„у, !

ТЕХН Т%" ".й

Конструкторскютепионогическое бюро метаппокераарическии иупсинин; E (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

Пятиокись ниобня

Трехокнсь вольфрама

Окись кадмия

23 — 25

30-35

Осталь.

Изобретение относится к радиоэлектронной промышленности и может быть использовано для изготовления резисторов.

Известен реэистнвный материал на основе окиси кадмия и окисла металлаМ группы Периодической системы (!). Однако из этого материала невозможно формование тонкостенных резисторов. Кроме того ему свойственно высокое значение удельного сопротивления.

Известен резистивный материал, содержащий 1О окись кадмия и пятиокись ниобия !2!. Плохие формовочные свойства этого материала приводят к образованию раковин в тонкостенных резисторах.

Цель изобретения — улучшение формовочных свойств материала.

Достигается это за счет того, что резистивный материал, содержащий окись кадмия и пятиокись ниобия, дополнительно содержит трехокись вольфрама при следующем количественном соотношении исходных компонентов, в вес.%: ное

Установлено, что на стабильность значения электросапротивления оказывает влияние дисперсность вводимых ингредиентов. Дисперсность ингредиентов определяет их реакционную поверхность при спекаиии, а от степени завершенности спекания зависит диаметр пор, предоп ределяюший размер межчастичных контактов. Даже при полном спекании остаточная пористость составляет 3-5%, и эта величина определяет размер площадок, создающих межчастичные контакты.

Теоретические и экспериментальные исследованияя показали, что для обеспечения наибол ьшей стабильности элект!.осопротивления оптимальной является следующая дисперсность ингредиентов (мкм): Cd0 — +1 — 20; Nb Π— +20.44; YJOЗ—

+20 44.

Установлено также, что для обеспечения наи. меньших колебаний значений электросопротивления оптимальным является слепую643979 ом -см ТКС, %/град, Содержание, % вес

CdO — 42 Nb 0 — 23, WO3 —. 35 4,74 — 5,98 0,1 — 0,12

CdO — 45, Nbq Π— 25, W0q — 30 4,65 — 5,90 0,1 — О,! 2

CdO — 40, МЬз Оа — 25 ФОз — 35 5 2 — 6 16 0 11 — 0.13

Составитель В. Солодова

Техред Н. Бабурка

Редактор Е. Гончар

Заказ S035/49

Корректор Е. Папп

Тираж У,2,„т, Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 цмй состав, в вес.%: CdO — 42, Nb> Оз — 25, "JO

33.

Условия.спекания обрабатывались таким образом, чтобы обеспечить повышение плотности прессовки до 95 — 97% от теоретической и предотвратить испарения окиси кадмия, Пример. Из тщательно перемешанной шихты состава Cd0 — 42 вес.%, Nb,О, — 25 вес.%, ИОз — 33 вес.% и дисперсностью CdO

+1 — 20 мкм, МЬ,О, +20 — 44 мкм, ПОз

+20 — 44 мкм методом гидростатического прессования изготавливаются резистивные элементы с

Преимущество данного материала состоит s том, что введение в известный материал добавки утяжелителя WO позволяет использовать полученный состав для формовайия тбнкостенных реэистивных лементов методом гидростатичес25 кого прессования. Возможность получения тон костенных резисторов на существующем оборудов анйй позволяет экономить дорогостоящие компоненты, входящие в состав резистора, а также уменьшить габариты ряда нагревательных

30 устройств.

Формула изобретения

Резистивныи материал, содержащий окись кадмия и пятиокись ниобия, от и чающий ся

35 наружным диаметров 6 мм, внутренним диаметром 4 мм и,члиной 115 мм. Полученные элементы подвергаются спеканию при 720 С в воздушной среде в течение 5 час в печи электросопротивления. При этом значения удельного электросоо противления при 20 С находятся в пределах

4,6 — 5,8 ом ° см, а температурный коэффициент сопротивле ms составляет 0,1%.

В таблице приведены характеристики резисторов на основе материала с различным количественным содержанием компонентов. тем, что, с целью улучшения формовочных свойств материала, он дополнительно содержит трехокись вольфрама при следующем количественном соотношении исходных компонентов, в вес.%:

Пятиокись ниобия 23 — 25

Трехокись вольфрама 30 — 35

Окись кадмия Остальное

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент Японии М 49 †201, кл. 62 А 222, 1974.

2. Авторское свидетельство СССР М 346814, М. Кл С04В35/00, 1971.

Резистивный материал Резистивный материал 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред
Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений
Наверх