Матрица для гальванопластического наращивания плоских изделий

 

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 050577 (21) 2487188/22 — 21 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 0502.79. Бюллетень № 5

Да а опубликования описания 050279

D 1/10

l осударственный комитет сссР оо лелам изобретений и открытий

21. 396.6.

75.002

8.8) Г.П, Шульпин, Н.В. Тимин, A .В. Олейник, В;М. Треушников и Б.П. Калашников (72) Авторы изобретения

Pl) Заявитель (54 ) МАТРИЦА ДЛЯ ГАЛЬВАЦОПЛАСТИЧЕСКОГО

НАРАЩИВАНИЯ ПЛОСКИХ ИЗДЕЛИЯ

Изобретение относится к технологии производства изделий радиотехнической и электронной промышленности и может быть использовано при изготовлении методом гальванопластики прецизионных изделий, например цифровых знаков, гребенчатых выводов, выводных рамок интегральных схем и др °

Известна матрица для гальванопластического наращивания, содержащая металлическое основание, на поверхности которого сформирован многослойный копировальный Рельеф, причем нижний слой, прилегающий к основанию, выполнен из несветочувствительного материала — полиимида tlj .

При Формировании непроводящих участков в матрице подобной конструкции путем химического фреэерования слоя, прилегающего к металлическому основанию, не удается исключить подтравливание верхнего слоя. Верхний фоторезистивный слой используется в этом случае в качестве защитной маски. При следующем наращивании иэделия в одтравленном слое наблюдается разрастание осадка, что способствует сдиранню копиральн >го ре rl ье4 ij .

Известна матрица для гальванопластического наращивания плоских изделий, содержащая металлическое основание с копировальным рельефом, состоящим из двух слоев фоторезистивных материалов на основе циклокаучуков и поливинилциннамата (2f .

Однако копировальный рельеф в этой конструкции матрицы ограничен по толщине, что делает ее непригодной для наращивания толстослойных осадков (до 100 мкм) . При увеличении же толщины рельефа снижается адгезионная прочность слоев и механическая прочность матрицы.

Целью изобретения является ïîâûшение качества матрицы за счет увеличения адгезии между слоями копировального рельефа.

Поставленная цель достигается тем, что в матрице для гальванопластического наращивания плоских изделий, содержащей металлическое основание с копировальным рельефом, включающим слой фоторезиста преимущественно на основе циклокаучуков, прилегающий к металлическому основанию, и основной защитный слой, копировальный рельеф содержит дополнитвльный слои, размещенный между слоем фото-.,

Матрица для гальванопластического наращивания плоских изделий Матрица для гальванопластического наращивания плоских изделий 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к гальванопластике, в частности к гальванопластическому изготовлению перфорированных тонкостенных изделий

Изобретение относится к области гальванопластики и может быть использовано для изготовления сложных моделей

Изобретение относится к области гальванопластики, в частности к электролитическому формообразованию сложнопрофилированных деталей с переменной толщиной стенки

Изобретение относится к области гальванопластики, в частности к электролитической формовке сложнопрофилированных деталей с переменной толщиной стенки

Изобретение относится к литейному производству и может быть использовано при изготовлении литейных форм преимущественно для многократной отливки мелкоразмерных изделий со сложным рельефом поверхности

Изобретение относится к области нанотехнологии для микроэлектроники

Изобретение относится к области гальванопластики и может быть использовано в микроэлектронике при изготовлении магнитных и немагнитных масок для напыления тонких слоев органики, металлов и диэлектриков органических светоизлучающих диодов

Изобретение относится к области гальванотехники и направлено на формирование электропроводящего подслоя на диэлектрических моделях и формах для электрохимического осаждения металлов

Изобретение относится к гальванопластическому изготовлению матриц пресс-форм
Наверх