Способ обращения к запоминающему устройству

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (НI ) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 31.1274 (21) 2090524/18-24 (23) Приоритет — (82)15P374 ()) ) мРф11С/177198 (1 ) ГДР

Опубликовано 050679.Бюллетень Ж 21

Лата опубликования описания 080679

Союз Советских

Социалистических

Республик

«» 666581

i (51) И. Кл.

С 7/00

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий (53) УЛК628. 327.6 (088. 8) (72) Авторы изобретения

Иностранец

10рген Дренкхан (ГДР) (71) 3 аявитель (54 ) СПОСОБ ОБРАЩЕНИЯ К ЗАПОМИНА)ОЩЕМУ

УСТРОЙСТВУ запоминающую среду воздействуют электронным лучом с энергией Е,, при считывании — с энергией Ет,а стирание информации осуществляют одновременным воздействием электронного луча с энергией Е и статического электрического поля.

В предложенном способе для обратного накопления информации используют, таким образом, для записи, стирания и считывания электронный луч. При этом используются только два уровня энергии.В качестве запоминающей среды использован тонкий слой диэлектрика с большой поверхностью на проводящей подложке.

На фиг.1 показано устройство, реализующее предложенный способ на фиг.2 -вольт-амперная характеристика, которая может быть получена с помощью этого устройства (ток, протекающий через слой диэлектрика, показан в зависимости от энергии попадающих на слой диэлектрика электронов) .

Устройство (фиг.1) размещено в вакуумной колбе и содержит электронную пушку 1 и дырчатый электрод 2.

Через диафрагму электроны попадают на слой диэлектрика 3, размещенный

Изобретение относится к запоминающим устройствам.

Известно использование большого числа физических основных эффектов для обратного накопления информации.

При этом применяются различные среды для заполнения и различные устройства, в которых находят применение эти среды, используемые для запоминания данных (1).

К накопительной системе, состоящей из запоминающей среды и относящемуся к ней устройству для записи, считывания и стирания предъявляют- ся требования, такие как высокая глотность записи, малое время выборки, возможность реализации выборочной выборки, требование обратимости, простоты технологии изготовления и низкой цены изготовления на бит.

Известные ЗУ не позволяют выполнить все эти требования одновременно.

Цель изобретения — создание способа обратимого накопления информации, который позволяет путем использования одного физического эффекта выполнить в подобной запоминающей системе поставленные требования.

Эта цель достигается тем, что по предложенному способу при записи на

> ф

;g I °

666581

25 на проводящей подложке 4. Источники напряжения 5 выполняют роль отсасывающего напряжения на накопительной среде.

Способ осуществляется следующим образом.

При бомбардировке, тонкого слоя 5 диэлектрика, находящегося на проводящей подложке, проходящий через этот слой ток имеет характеристику, показанную на фиг.2, где UE Itf — энергия электронов, р воздействующих на

1 диэлектрик; ток,н правленный от проводящей подложки1 15

3 — ток,направленный

P к проводящей подложке. 3а счет выбора величины отсасывающего напряжения

U, которое определяется веществом 2Р накопительной среды и толщиной слоя, можно установить оптимальное значение возникающего гистерезиса.

В однородных слоях каждое место накопительной среды, управляемое посредством определенного отклонения луча, имеет одинаковые характеристики. Значения lfg и Уед также 0 и 3„зависят от вида среды . и ТОлщйны слОЯ диэлектрика ° Причиной Зр появления гистерезиса является образование определенной структуры пространственного заряда.при бомбардировке электронами. Диэлектрический характер накопительной среды препят- 35 ствует выравниванию заряда. Это обеспечивает продолжительное время запоминания.

Ввод информации происходит благодаря тому, что места, в которых должна быть записана информация 1, бомбардируются электронами с энергией 0 1, места,,соответствующие информации О, остаются свободнымк от воздействия электронов.

Во время записи к накопительной 45 среде прикладывается отсасывающее напряжение.

Для считывания используют электронный луч с энергией Оз, причем к среде прикладывается одинаковое 5р отсасывающее напряжение. В местах, в которых имела место бомбардировка электронами с энергией Ug, и, следовательно, имеется . 1, протекает при воздействии считывающего луча ток 3 к проводящей подложке. Через небомбардируемые места, где записан О протекает ток 7> направленный cr подложки. Процесс считывания может повторяться с произвольной частотой, поскольку информация, которая существует в виде имеющихся или отсутствующих структур пространственного заряда, не стирается при воспроизведении. Поскольку токи

Э и 3 различаются на большие величинй, обеспечивается однозначное считывание, Для стирания проводящая подложка накопительной среды с дырчатой диафрагмой, через которую попадает электройный луч на накопительную среду, закорачивается накоротко и одновременно подлежащие стиранию места бомбардируются электронами с энергией Ц62 та им Образом может происходить стирание одного или нескольких битов.

Выборка при считывании, записи и стирании может происходить выборочно. HcIIGJ.üýîâàíèå слоя диэлектрика в качестве накопительнсй среды поз.воляет наксп ть информацию при комнатнсй температуре на.очень продслжительное время. При размере одного

;бита 5 ° 5 мкм, расстоянии между двумя битами 5 мкм и площади накопи.тельной поверхности 10 ° 10 см пой лучают емкссть ЗУ 108 бит.

Формула изобретения

Способ обращения к запоминающему устройству, основанный на воздействии на запоминающую среду электронного луча и статического электрического поля, о т л и ч а ю щ и йс я тем) что, с целвю повышения быстродействия обращения, при записи на запоминающую среду воздействуют электронным лучом с энергией Е,, при считывании — с энергией Е« а стирание информации осуществляют одновременным воздействием электронного луча с энергией Е и статического электрического поля.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США Р 3721965. ,кл, 340-174.3, опубл, 1973., 666581

Р ® 1

Составитель В.Гордонова

Редактор Л.утехина Техред С. Мигай Корректор Т.Скворцова

Заказ 3199/41 Тираж 680 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 8-35, РаУшскаЯ наб.,д.4/5

ФиЛиал ППП Патент, г.ужгород, ул.Проектная,4