Устройство для автоматического снятия характеристик полупроводниковых приборов

 

Оп ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДВПЛЬСТВУ

СОюз С©86тским

Соцмалмстимесюп

Республик (61) дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 02.03.72 (21) 1754626/24-25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (51) М. Кл .

G 0l R 31/26

Гвсудврстееииый кемктет

СССР пв делам изасретеивй и открытий (53) УДК 621.382..2 (088.8) Опубликовано 25.06.79. Бюллетень № 23

Дата опубликования описания 05.07.79 (72) Авторы изобретения

Н. А. Борисов и В. И. Пучков (7l) Заявитель (54) УСТРОИСТВО ДЛЯ АВТОМАТИЧЕСКОГО СНЯТИЯ

ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Изобретение относится к области приборостроения, в частности к измерительным приборам, и может быть использовано при измерениях характеристик полупроводниковых приборов.

Известен характериограф ПНХТ-1, позволяющий наблюдать вольтамерные характеристики полупроводниковых приборов (1).

Однако с его помощью невозможно получить непосредственно характеристику дифференциальной проводимости.

Известно также устройство для автоматического снятия характеристик полупроводниковых приборов, содержащее генератор нарастающего напряжения, генератор высокой частоты, сумматор напряжения, токосъемный резистор, фильтр высокой частоты, двухлучевой осциллограф, усилитель, детектор и видеоусилитель (2). Однако оно не дает полной информации о6 исследуемом приборе, как о двухполюснике, поскольку он не характеризует сдвига фазы между током и напряжением.

Целью изобретения является облегчение визуального разделения емкостных и индуктивных участков характеристики проводимости и повышение производительности измерений.

Это достигается тем, что в устройство введено дополнительно фазочувствительное устройство, один вход которого через фильтр подключен к ячейке для измеряемого полупроводникового прибора, а другой — к генератору высокой частоты, его выход подключен к вертикальному входу двухлучевого осциллографа и через блок формирования меток — ко входу модуляции яркости.

На чертеже дана структурная =".ëåêòðèческая схема устройства.

Оно содержит генератора 1 нарастающего напряжения и генератор 2 высокой частоты, выходы которых через сумматор 3 напряжения подключены к одной клемме испытуемого прибора, другая клемма которого заземлена через токосъемный резистор 4, а через фильтр высокой частоты 5, усилитель 6, детектор 7 и видеоусилитель 8 подключена ко входу вертикального отклонения первого луча двухлучевого осциллографа 9.

Выход фильтра 5 связан также с одним входом фазочувствительного устройства 10, другой. вход которого подключен к выходу

669299 генератора 2 высокой частоты, а выход фазочувствительного устройства 10 подключен непосредственно ко входу вертикального отклонения второго луча осциллографа 9 и через блок 11 формирования меток ко входу модуляции яркости осциллографа 9, вход горизонтального отклонения которого подключен к выходу генератора нарастающего напряжения.

Устройство работает следующим образом

Сигнал, представляющий собой медленно нарастающее напряжение с наложенной 10 на него малой высокочастотной составляющей с генераторов 1 и 2 через сумматор 3 подается на испытуемый прибор. Напряжение, пропорциональное току через него, снимается с резистора 4 и после фильтрации

fS усиления и детектирования блоками 5 — 8 преобразуется в напряжение, пропорциональное дифференциальной проводимости испытуемого прибора. Это напряжение поступает на вход вертикального отклонения первого луча, так что на экране осциллографа 9 то отображается зависимость дифференциальной проводимости от напряжения смещения на испытуемом приборе (поскольку на вход горизонтального отклонения луча подается напряжение смещения). Сигнал, пропорцио25 нальныи фазе этои проводимости, выделяется фазочувствительным устройством 10. При этом на экране осциллографа также изображается зависимость фазы проводимости от напряжения смещения. Сигнал, пропорциональный фазе, преобразуется блоком эо формирования меток ll таким образом, что в зависимости от знака фазы на его выходе имеется либо постоянное напряжение, либо последовательность импульсов, модулирующих яркость луча.

3S ражаются сплошной линией, а другому— пунктиром.

Использование данного устройства упрощает процесс измерений и повышает производительность, поскольку отпадает необ5 ходимость в дополнительных измерениях фазовых характеристик по точкам. Кроме того, устройство позволяет оценивать начало пробоя р-п перехода по смене знака фазовой характеристики.

Формула изобретения

Таким образом, части характеристик, соответствующих одному знаку фазы, изобУстройство для автоматического снятия характеристик полупроводниковых приборов, содержащее генератор нарастающего напряжения, генератор высокой частоты, сумматор напряжения, токосъемный резистор, фильтр высокой частоты, двухлучевой осциллограф, усилитель, детектор и видеоусилитель, отличающееся тем, что, с целью облегчения визуального разграничения емкостных и индуктивных участков характеристики проводи мости и повышения производительности измерений, в него введено фазочувствительное устройство, один вход которого через фильтр подключен к ячейке для измеряемого полупроводникового прибора, а другой к генератору высокой частоты, выход фазочувствительного устройства подключен к вертикальному входу двухлучевого осциллографа и через блок формирования меток— ко входу модуляции яркости.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Г!НХТ-1. Паспорт, техническое описание и инструкция по эксплуатации В/о,«Машприборинторг», СССР, Москва, 1968.

2. Мэндленд Г. P. и др. Интегральные схемы. Основы проектирования и технологии.

М., 1971, с. 443.

ЦП!4!4П!4 Заказ 3653/37

Тираж 1089 Подписное

Филиал ППП «Патент», r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Устройство для автоматического снятия характеристик полупроводниковых приборов Устройство для автоматического снятия характеристик полупроводниковых приборов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх