Способ определения концентрации электронов в приповерхностном слое вырожденного антимонида индия п-типа
Способ определения концентрации электронов в приповерхностном слое вырожденного антимонида индия, n-типа, включающий освещение монохроматическим поляризованным светом образцов исследуемого и взятого в качестве эталона невырожденного полупроводника, многократное измерение эллипсометрического параметра 
и соответствующих ему длин волн, определение энергетического сдвига края полосы собственного поглощения, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа перенесением измерений в видимую область спектра, перед освещением поверхности исследуемого образца и эталона аморфизируют с сохранением исходной концентрации электронов, при измерениях эллипсометрического параметра находят по крайней мере две пары длин волн, удовлетворяющих условиям 
где (
o) - параметр, измеренный на эталоне; ( ) - параметр, измеренный на исследуемом образце; o л - длина волны света, освещающего эталон; л - длина волны света, освещающего исследуемый образец; 
EG - сдвиг края полосы собственного поглощения; и по найденному сдвигу края полосы собственного поглощения расчетным путем определяют концентрацию электронов.
