Установка проекционной электронной литографии

 

< >716018

Союз Советских

Социалистических

Республик.

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт.саид-ву д 543915 (51)М. Кл. (22) Заявлвно 281277 (21) . 2567149/28-12 с присоединением заявки №

G 03 G 17/00

Государственный комитет

СССР по делам изобретений н открытий (23) Приоритет—

Опубликовано 15.02.80. Бюллетень ¹

Дата опубликования описания 18p28p (53) УДК 621, 185. 833 (088. 8) (72) Авторы изобретения

И .Н.Рыков, В.М.Сутырин, О.Т.Румов и Х.И.Фейгин (71) Заявитель (54) УСТАНОВКА ПРОЕКЦИОННОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ

ЛИТОГРАФИИ

Изобретение относится к проекци.

Ьнной электрбнной литографии.

Из основного авт. св, Р 543915 известна установка проекционной электронной литографии, содержащая ультрафиолетовый источник, электрод с фотокатодом, электрод с подложкой, систему электромагнитных катушек и высоковольтный источник питания, а также цифровой дозирующий интегратор электронного типа и дат ики тока, причем последние соединены между собой параллельно, включены на вход цифрового дозирующего интегратора.и размещены в теле электрода с подложкой на пути потока электронов с фотокатода.

На этой установке экспонируются фотошаблоны с размерами 62,5х62,5мм и 70х70 мм, имеющими рабочее поле до 50х50 с минимальным размером рисунка 1 мкм.

Однако, данная установка имеет следущие недостатки: уход установ ленного значения магнитного поля, вследствие изменения геометрических размеров электромагнитных катушек из-за их разогрева; изменение

)магнитного поля в рабочем объеме,за счет влияния внешних магнитных .)полей; отсутствие объективного контроля величины магнитного поля в рабочей зоне в процессе экспонирования.

Эти недостатки приводят к расфокусировке изображения на фотошаблонах и, как следствие, к низкому проценту выхода годных фотошаблонов .

Цель изобретения — повышение выхода качественной продукции за счет улучшения фокусировки электронного изображения.

Это достигается тем, что установка проекционной электронной литографии имеет. систему регулирования параметров магнитного поля электромагнитных катушек с датчиком ядерного магнитного резонанса.

Резонансная частота. поглощения датчика соответствует измеряемому магнитному полю. Изменение магнитного поля от его установленного значения приводит к и зменению ре зонансной частоты. поглощения датчика. Система регулирования параметров магнитного поля электромагнитных кату30 шек t" датчиком ядерного магнитного

71601 8

Формула изобретения

ЦКИИПИ

Тираж 52б

Заказ 9524/41

Подписное резонанса, который pàçìåöåé в "непосредственной близости ат экспони: руемой пбдложки, поддерживает ток B электромагнитных катушках таким, что разность между резонансной частотой поглощения датчика и опорной частотой, соответствующей заданному маг нитйому полю, минчмальна, Таким образом, заданное магнитное поле поддерживается с высокой точностью, обеспечивая фокусировку электронного изображения на подложке, На чертеже схематически изображена установка проекционной элект ронной литографии, Установка имеет ультрафиолетовый источник 1, фотакатод 2, электрод 3, подложку 4, высоковольтный

Источник 5 напряжения„ электромагнитные катушки б, электрод 7, дат чик тока 8, цифровой дозирующий интегратор 9, датчик 10 ядерного маг" ййтйого резонанса и регулятор 11 па-раметров магнитного поля, Пад действием света ультрафиолетового источника 1 электроны эмитируют с поверхности фотакатода 2, закрепленного на электроде 3, ускоряются электрическим потенциалом, приложенным между фатакатодом 2 и подложкой 4 от высоковольтного источника 5, и фОКусируются на подложке однарадньж магнитным полем, созданным электромагнитными катушками б.

В электроде 7, в катарам расположена подложка 4, размещены четыре датчика тока 8, соединенные между собой параллельно и включенные на вход цифраваго дазирующего интегратора электроннога типа 9. Датчик 10 ядерного магнитного резонайса, реагируя на изменение магнитного поля, с высокой точностью выдает сигнал на вход систе5 мы регулирования 11 параметров магнитного поля, Регулятор 11 управляет током электромагнитных катушек таким образом, что поддерживается с высокой тачйостью заданное значение маг1О нитнОГО пОля.

Испаль завание системы регулирования параметров магнитного поля электромагнитных катушек с датчиком ядерного магнитного резонанса позвбляет поддерживать высокую стабильность магнитного поля в течение всего рабочего цикла экспонирования, исключает расфакусиравку электронного изображения ва время экспонирования, позволяет проводить контроль величины

2G магнитного поля в любой точке рабочей зоны, Все это позволяет повысить процент эыхода годных экспонированных фотошаблонав.

Установка проекционной электронной литографии па авт, св. 9 543915, ЗО отличающаяся тем, что, с целью повышения выхода качественной продукции за счет улучшения фокусировки электронного иэображения, она имеет систему регулирования параметров магнитного поля электромагнитных катушек с датчиком ядерного магнитного резонанса. филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная,4

Установка проекционной электронной литографии Установка проекционной электронной литографии 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электроники и медицины и может быть использовано для получения, обработки и анализа электронных изображений объектов с помощью газоразрядного свечения, образующегося при помещении объектов в электрическое поле высокой напряженности

Изобретение относится к способу получения титанилфталоцианина, заключающемуся во взаимодействии динитрила фталевой кислоты, 1,3-дииминоизоиндолина или их смеси с галогенидами титана (III или IV), алкоксидами титана (IV) или алкоксигалогенидами титана (IV) в присутствии восстановителя и растворителя в атмосфере сухого инертного газа под действием микроволнового излучения в течение 15-30 минут с последующей обработкой водой, водным раствором кислоты или водным раствором основания и отделением кристаллов

Изобретение относится к медицинской технике отображения информации электрических сигналов от диагностирующих датчиков, а также к другим областям науки и техники для преобразования электрических сигналов в оптические
Наверх