Кодоуправляемый элемент сеточной модели

 

ОП ИСАИ ИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОИ:КОМУ СВИДИВЛЬСТВУ (n>748446

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. саид-ву(51)М. Кл.

G 06 G 7/46 (22) Заявлено 160578 (21) 2616335/18-24 с присоединением заявки №

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий (54 УЮ 681 3 (088, 8) (23) Приоритет

Опубликовано 1507.80 Бюллетень ¹ 26

Дата опубликования описания 150780

Е.Е,Кампарзале, Л.Jl.Êoòoâè÷, И.Э.Опманис и В.И.Трушкин (72) Авторы изобретения

Рижский ордена Трудового Красного Знамени политехнический (71) Заявители институт и Всесоюзный научно-исследовательский институт гидрогеологии и инженерной геологии (54) КОДОУПРАВЛЯЕМЫЙ ЭЛЕМЕНТ СЕТОЧНОЙ МОДЕЛИ

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в специализированных аналоговых вычислительных машинах, в сеточных моделях. 5

Известен кодоуправляемый элемент, содержащий блок проводимостей, программный и управляющий блоки, памятью.

Наиболее близким по техническому 10 . решению является кодоуправляемый элемент сеточной модели, содержащий программный блок, блок проводимостей, выход которого подключен к блоку усилителей, выход которого соединен со 15 входом блока коррекции управляющих сигналов, выход которого подключен к первому входу блока формирования управляющих сигналовЯ. недостаток известных кодоуправляе- 2() мых элементов заключается в ограниченной точности задания значений весов сопротивлений для магазинов проводимостей в конце диапазона, для магази,нов сопротивлений в начале диапазона.25

Цель изобретения — повышение точности элемента сеточной модели.

С этой целью в кодоуправляемый эле- мент сеточной модели введены регистр памяти, элемент памяти, два дешифрую- ЗО

2 тора, при этом первый выход программного блока подключен к первому входу регистра памяти, второй вход кото-. рого соединен с первым выходом первого дешифратора, второй выход которого подключен к первому входу элеМента памяти, второй вход элемента памяти соединен со вторым выходом программного блока, третий выход которого подключен ко входу первого дешифратора. Выходы регистра памяти и элемента памяти соединены соответственно с первым и вторым входами второго дешифратора, выход которого под„:ëþ÷åí ко второму входу блока формирования управляющих сигналов, выходы которого соединены с соответствующими управляющими входами блока проводимостеи, Кроме того, блок проводимостей содержит три группы МДП-транзисторов при этом в каждом разряде, кроме перного, исток МДП-транзистора первой группы объединен с одним из выводов разрядного резистора и подключен к стокам МДП-транзисторов первой и второй группы предыдущего разряда, в nepsoM разряде исток МдПтранзистора объединен с одним из вы.водов разрядного резистора и являет)ся входом блока проводимостей1!другой

748446 вывод разрядного резистора объединен с истоком МДП-транзистооа третьей группы и подключен к истоку МДП-тран зистора второй группы последующего разряда, стоки всех МДП-транзисторов третьей группы и стоки МДП-транзисторов первой и второй группы объеДинены и являются выходом блока про= водимостей, затворы МДП-транзисторов всех групп являются соответствующими управляющими входами блоков проводимос тей .

Блок-схема кодоуправляемого элемен- та сеточной модели представлена йа

" чертеже.

Элемент содержит программный блок

1, регистр памяти 2, элемент памя-.

/ тй 3, первый дешифратор 4, второй дешифратор 5, блок 6 формирова ни я управляющих сигналов, МДП-транзисторы первой группы 7, 8, 9, МДП-транзисторы-третьей группы 10, 11, 12, МДП- транзисторы второй группы 13, 14, 15, блок 16 проводимостей, разрядные резисторы 17, 18, 19, блок 20 усилителей, блок коррекции 21 управляю= щих сигналов.

Первый выход программного блока 1 соединен со входом регистра памяти 2, второй выход — с управляющим входом элемента памяти 3, а третий выход— со входом первого дешифратора 4, первый и второй выходы которого подключены соответственно к регистру па-" мяти 2 и к элементу памяти 3, выход которого связан со вторым входом второго дешйфратора 5, первый вход которого соединен с регистром памяти 2, а- выход соединен со вторым входом блока 6. Выходы блока 6 подключены к затворам МДП- тран зисторов 7-15, причем затворы МДП-транзисторов 13, 14, 15 объединены. Блок 16 содержит цепочку разрядных резисторов 17, 18, 19", соединенных МДП-транзисторами 13, 14,15 ° Один вывод резистора 17 подключен к истоку МДП-транзистора 7, а второй вывод подключен к истокам МДП-транзисторов 10, 13. Стоки МДП-транзисторов 7 и 13 объединены и подключены к истоку МДП-транзистора 8 и к первому выводу резистора 18, второй вывод которого подключен к истокам МДП-транзисторов 11,14.Стоки МДП-транзисторов . 8,14 объединены и подключены к истоку

МДП-транзйстора 9 и к первому выводу

" резистора 19, второй вывод которого соединен с истоками МДП-транзисторов 12, 15, стоки которых соедннены со стоками МДП-тран- зйсторов 10, 11, 9 и с выходом блока проводимостей, который через блок 20 усилйтелей и блок коррекции 21 под, ключен к первому входу блока форми рбвания управляющих сигналов." Кодоуправляемый элемент сеточной модели работает следующим образом .

В программный блок 1 записывается программа работы и массив исходных данных для блока 16. Программный блок.

1 посылает в первый дешифратор цифровой код значения сопротивления. Первый дешифратор 4 обрабатывает принятый код и определяет состояние элемента памяти 3, а цифровой .код пересылает в регистр памяти 2. Элемент памяти 3 и регистр памяти 2 записывают информацию, принятую от первого дешифратора 4, сигналом управления от программного блока 1. Второй дешифратор 5 определяет состояние МДП-транзисторов

7 - 15. В случае высокого уровня сиг-! - / нала на выходе элемента памяти 3 второй дешифратор 5 закрывает МДП-тран35 зисторы,13, 14, 15, открывает МДП-транзисторы 7, 8, а состояние МДП-транзисторов 10, 11, 12 определяет цифровой код, записанный в регистр памяти 2.

Напряжение с выхода блока 16 через блок усилителей 20 поступает в

20 блок коррекции 21, который вырабатывает напряжение коррекции, поступающее. в блок 6, где складывается с управляющим сигналом и поступает на затворы МДП-транзисторов.

25 Предлагаемый реэистивный блок проводимостей объединяет свойства блока проводимостей и блока сопротивлений, используя одни и те же резисторы. Это позволяет получить равномерную точность во всем диапазоне изменения сопротивления, а также расширяет диапазон магазина проводимостей примерно в два раза. Такое ре- . шение позволяет исполнить резистив35 нйй блок проводимостей в интегральном исполнении, обеспечивая максимальный диапазон при минимальном суммарном сопротивлении резисторов. Число разрядов резистивногo блока проводимостей может достигнуть 14 - 16, при

4О дальнейшем увеличении числа разрядов невозможно обеспечение точности.

Формула изобретения

45 1".-Кодоуправляемый элемент сеточной модели, содержащий программный блок, блок проводймостей, выход которого подключен ко входу блока усилителей, выход которого соединен со

5р входом блока коррекции управляющих сигналов, выход которого поцключен к первому входу блока формирования управляющих сигналов,о т л и ч а ю щ и йс я тем,что,с целью повышения точности, в него ввецены Регистр памяти, элемент памяти, два дешифратора, при этом первый выход программного блока подключен к первому входу регистра памяти, второй вход которого соединен с первым выходом первого дешифрабО тора, второй выход которого подключен к первому входу элемента памяти, второй вход элемента памяти соединен со вторым выходом программного блока, третий выход которого подключен ко

65 входу первого дешифратора, выходы ре748446 гистра памяти и элемента памяти соединены соответственно с первым и вторым входами второго дешифратора, выход которого подключен ко второму входу блока формирования управляющих сигналов, выходы которого соединены с соответствующими входами блока проводимостей.

2.Элемент по п.lo т л и ч а ю щ и йся тем,что блок проводимостей содержит три группы МДП-транзисторов, при этом о ,в каждом разряде, кроме первого, исток МДП-транзистора первой группы объединен с одним из выводов разрядного резистора и подключен к стокам

МДП-транзисторов первой и второй группы предыдущего разряда, в первом раэ- 5 ряде исток МДП-транзиотора объединеи с одним из выводов разрядного реэистора и является входом блока проводимостей, другой вывод разрядного резистора объединен с истоком МДП-транзистора: третьей группы и подключен к истоку МДП-транзистора второй группы последующего разряда, стоки

МДП-транзисторов третьей группы и стоки МДП-транзисторов первой и второй группы объединены и являются выходом блока проводимостей, затворы

МДП-транзисторов всех групп являются соответствующими управляющими входами блоков проводимостей.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

9 417803, кл, G 06 G 7/48, 1974, 2. Авторское свидетельство СССР

М 547790, кл, С 06 G 7/46, 1977. цйИИПИ Заказ 4242/38

Тираж 751 Подписное

Филиал ППП Патент, .г. Ужгород, ул. Проектная,4