Способ нанесения тонких пленок
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК, например пленок фоторезиста на подложки, включающий нанесение на подложку раствора фоторезиста, центрифугирование подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества нанесения на подложку раствора фоторезиста, край стороны подложки, на которую наносят раствор, скругляют по всему периметру.
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в процессе изготовления интегральных схем при получении защитной маски. Известен способ нанесения тонких пленок, например, пленок фоторезиста на подложки, включающий нанесение на подложку раствора фоторезиста, центрифугирование подложки. Однако известный способ не обеспечивает высокого качества нанесения пленки. Цель изобретения повышение качества нанесения на подложку раствора фоторезиста достигается тем, что в способе нанесения тонких пленок, включающем нанесение на подложку раствора фоторезиста, центрифугирование, перед нанесением на подложку раствора фоторезиста край стороны подложки, на которую наносят раствор, скругляют по всему периметру. Способ используется в техпроцессе изготовления тонкопленочных термопечатающих головок на подложках размером 48х60х0,5 мм, которые в дальнейшем состыковываются друг с другом боковыми гранями с сохранением шага печати 1,0 мм, в связи с чем металлизация на боковых гранях подложки должна исключаться. Перед проведением процесса нанесения пленок фоторезиста, края той стороны подложки, на которой впоследствии формировался рисунок, скруглялись по всему периметру на наждачном круге с размерами частиц абразива около 1 мкм. Радиус кривизны при этом получен равным 50 мкм. Обработанные таким образом подложки обезжиривались в растворе органического растворителя (например, трихлорэтилена, изопропилового спирта) с механическим воздействием вдоль обработанных краев, после чего на подложки проводилось напыление необходимой структуры с последующим формированием рисунка методом фотолитографии с использованием позитивного фоторезиста ФП-383. Фоторезист наносился при скорости вращения центрифуги 2500 об/мин, исходная вязкость фоторезиста 6,0-6,5 сст. Такой режим обеспечивал толщину слоя фоторезиста 0,9-1,1 мкм, что позволяло в дальнейшем использовать травители на основе плавиковой и азотной кислот. Скругление края подложки со стороны наносимого фоторезиста перед операцией нанесения его на подложку позволит повысить равномерность толщины наносимой пленки за счет устранения валика фоторезиста по краю подложки.
Формула изобретения
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК, например пленок фоторезиста на подложки, включающий нанесение на подложку раствора фоторезиста, центрифугирование подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества нанесения на подложку раствора фоторезиста, край стороны подложки, на которую наносят раствор, скругляют по всему периметру.MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе
Номер и год публикации бюллетеня: 36-2000
Извещение опубликовано: 27.12.2000
