Переключатель бистабильных цилиндрических магнитных доменов

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИ ЕТЮЛЬСТВУ

Союз Сееетснии

Социалистических

Республик (б1) Дополнительное к авт. сеид-ву— (22) Заявлено 0702,79 (21) 2722718/18-24 (51) hA Kn с присоединением заявки М (23) Приоритет

G 11 С 11/14

Государственный комитет

СССР во делан изобретений н открытий

Опубликовано 30,11.80. Бюллетень М 44 (5Э) УДК 681.327. .66 (088.8) Дата опубликования описания 30 . 11. 80 (72) Авторы изобретения

Л.С.Ломов и В.Г.Редько (71) Заявитель (5 4 ) ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ БИСТАБИЛ ЬНЫХ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ

МАГНИТНЫХ ДОМЕНОЭ

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении запоми- . нающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Известен переключатель ЦМД, содержащий на поверхности магнитоодноосной пленки токовую шину, расположенную между двумя каналами йродвижения ЦМД

И.

В таких переключателях нет перехода ЦМД от одного диаметра к другому. Кроме того, такие переключатели требуют больших токов для своего управления. 15

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является переключатель ЦМД, который содержит токовую петлю специальной форьы, охватывающую аппликациями в пре- 20 делах одного периода канала продвижения ЦМД p2$.

Известный переключатель предназначен только для доменов одного диаметра, причем длительность и фаза переднего фронта импульса тока переключателя имеют жесткую привязку в пределах одного оборота вектора поля управления Ду . Кроме того, такие переключатели требуют высокой точнос- 30 ти совмещения токовой петли с аппликациями трека.

Целью изобретения является упрощение переключателя бистабильных ЦМД.

Поставленная цель достигается путем того, что в переключателе бистабильных ЦИД,содержащем магнитоодноосную пленку, на поверхности которой расположены каналы продвижения цМд из Т- и Х;образных пермаллоевых аппликаций и шина управления, каналы продвижения ЦМД расположены параллельно друг другу на расстоянии, равном периоду первого канала продвижения ЦМД, величина которого не менее, чем в два раза меньше периода второго канала продвижения ЦМД, а шина управления выполнена в виде токовой петли, расположенной под соответствующей Т-образной пермоллоевой аппликацией первого канала продвижения ЦМД.

Сущность изобретения поясняется при помощи чертежа, на котором изображена принципиальная схема переключателя.

Переключатель бистабильных ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1, на поверхности которой расположены первый 2 и второй 3 каналы продвиже783851

Формула изобретения

ВНИИПИ Заказ 8558/55 Тираж 662 Подписное

Филиал ППП "Патент"„ r. ужгород, ул. Проектная,4 ния ЦМД соответственно с малыми 4 и большими 5 диаметрами и шина 6 управления, выполненная в виде токовой петли>подключенной к блоку 7 управления. Каналы 2 и 3 продвижения цМд выйолнены из Т-образных 8 и

1-образных 9 пермаллоевых аппликаций.

Период первого канала продвижения

ЦМД 1 и период второго канала продвижения ЦМД 4 находятся в отношении

5/Я с3/g. Расстояние между каналами

"продвижения. ЦМД равно . t0

Предложенный переключатель работает следующим образом.

Когда малый ЦМД 4 йод воздействием вращающегося магнитного поля 8 попадает в период канала 2, в котором 15 расположена токовая петля — шина 6, блок 7 управления вырабатывает импульс тока, который создает локальное магнитное поле, переводящее ЦМД

4 малого диаметра в ЦМД 5 большого 2р диаметра. Взаимодействие большого

ЦМД 5 с аппликациями 8 и 9 канала

2 мало. вследствие малости самих аппликаций 8 и 9. В то же.время канал 3 находится близко. к ЦМД 5, и аппликации 8 или 9 канала 3 захватывают ЦМД

5. При дальнейшем вращении вектора q ЦМД 5 начинает движение по кана лу 3.

Таким образом, проиэошЛо переключение движения ЦмД из одного канала ЗО в другой.

Если блок 7 управления не выраба» тывает в момент прохождения под токовой петлей — шиной 6 импульса тока, то переход ЦМД от одного диаметра 35 к другому не осуществляется и домен продолжает движение в канале 2.

Предложенный переключатель выполняет две функции: перевод ЦМД Н3 одного состояния в другое (от одного диамет- 4 ) ра к другому) и переключение продвижения ЦМД из одного канала в другой.

Это позволяет уменьшить количество функциональных элементов в схемах на бистабильных ЦМД. Кроме того, расположение токовой петли в пределах пеI риода канала малых ЦМД не создает ограничений на фазовую привязку импульса тока уйравления: переключение происходит в любой момент времени в пределах одного оборота вектора Н ч сразу после перехода от ЦМД малого диаметра к большому. Это существенно снижает требОвания к блоку управления и упрощает его конструкцию, так как снижаются требования к точности совмещения токовой петли с элементами продвижения. Допуск на совмещение может составлять полусумму размеров ширины петли и периода канала для малых ЦМД.

Переключатель бистабильных цилин1 дрических магнитных доменов, содержащий магнитоодноосную пленку, на поверхности которой расположены каналы продвижения цилиндрических магнитных доменов из Т-и I -образных пермаллоевых аппликаций и шина управления,о тл и ч а ю шийся тем,что,с целью упрощения переключателя бистабильных цилиндрических магнитных доменов, каналы .продвижения цилиндрических магнитных доменов, располо- жены параллельно друг другу на расстоянии, равном периоду первого канала продвижения цилиндрических маг- нитных доменов, величина которого не менее,чем в два раза меньше периода второго канала продвижения цилиндрических магнитных доменов,а шина, управления выполнена в виде токовой петли, расположенной под соответствующей Т-образной пермаллоевой аппликацией первого канала продвижения цилиндрических магнитных доменов.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент CttIA 9 3911411,кл.340174, опублик. 1975. 2. Патент США 9 4020476, кл,340174, опублик. 1977 (прототип).

Переключатель бистабильных цилиндрических магнитных доменов Переключатель бистабильных цилиндрических магнитных доменов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх