Способ эпитаксиального наращивания полупроводников типа a iiibv

 

Способ эпитаксиального наращивания полупроводников типа A^III B^V на жидкой фазе в процессе принудительного охлаждения раствора-расплава, включающий создание постоянных зон температур, профиль которых изменяется по длине реактора, и перемещение подложек с постоянной скоростью вдоль реакционной трубы, во время которого осуществляют операции обработки подложек и эпитаксиального наращивания, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества эпитаксиальных слоев и повышения экономичности производства, в первой зоне устанавливают положительный градиент температур 2 - 10^oC/см и при температуре T₁, превышающей температуру насыщенного расплава на 5 - 25^oC приводят подложки в контакт с раствором-расплавом повышают температуру на 20 - 150^oC выше T₁во второй зоне при линейном уменьшении градиента, а в третьей зоне устанавливают отрицательный градиент температур 0,5 - 2^oC, понижающий к окончанию процесса температуру на 30 - 60^oC, причем скорость перемещения подложки составляет (1 - 5)^oC10^-2 см/с.